SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N4763PE3/TR12 Microsemi Corporation 1N4763PE3/TR12 -
RFQ
ECAD 5858 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4763 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 69.2 v 91 v 250 옴
3EZ9.1D2E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ9.1D2E3/TR12 -
RFQ
ECAD 9964 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ9.1 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 2.5 옴
2EZ120D10E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ120D10E3/TR8 -
RFQ
ECAD 1866 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ120 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 91.2 v 120 v 325 옴
APT2X60DC120J Microsemi Corporation APT2X60DC120J -
RFQ
ECAD 5444 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT2X60 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky SOT-227 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 2 독립 1200 v 60a 1.8 V @ 60 a 0 ns 1.2 ma @ 1200 v
2EZ20D10E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ20D10E3/TR12 -
RFQ
ECAD 9820 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ20 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 15.2 v 20 v 11 옴
2EZ68D10E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ68D10E3/TR12 -
RFQ
ECAD 7022 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ68 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 51.7 v 68 v 75 옴
1N5915CP/TR12 Microsemi Corporation 1N5915cp/tr12 -
RFQ
ECAD 1777 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5915 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 25 µa @ 1 v 3.9 v 7.5 옴
SMBG4730AE3/TR13 Microsemi Corporation smbg4730ae3/tr13 -
RFQ
ECAD 2746 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4730 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 50 µa @ 1 v 3.9 v 9 옴
2EZ22D10/TR12 Microsemi Corporation 2EZ22D10/TR12 -
RFQ
ECAD 3299 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ22 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 16.7 v 22 v 12 옴
1N5385CE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5385CE3/tr8 -
RFQ
ECAD 7833 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5385 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 122 v 170 v 380 옴
3EZ17D10/TR8 Microsemi Corporation 3EZ17D10/TR8 -
RFQ
ECAD 8545 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ17 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 13 v 17 v 6 옴
SMAJ4481CE3/TR13 Microsemi Corporation smaj4481ce3/tr13 -
RFQ
ECAD 1891 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 1.5 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 50 NA @ 37.6 v 47 v 50 옴
SMBG4757C/TR13 Microsemi Corporation SMBG4757C/TR13 -
RFQ
ECAD 5137 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4757 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 38.8 v 51 v 95 옴
APT2X50DC60J Microsemi Corporation APT2X50DC60J -
RFQ
ECAD 1747 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT2X50 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 2 독립 600 v 50a 1.8 V @ 50 a 0 ns 1 ma @ 600 v
3EZ47D/TR12 Microsemi Corporation 3EZ47D/TR12 -
RFQ
ECAD 7994 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ47 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 35.6 v 47 v 38 옴
FST160100A Microsemi Corporation FST160100A -
RFQ
ECAD 1079 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 to-249aa 9 된베이스 된베이스 Schottky TO-249 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 100 v 80a 960 MV @ 80 a 2 ma @ 100 v
2EZ120D10/TR12 Microsemi Corporation 2EZ120D10/TR12 -
RFQ
ECAD 8904 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ120 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 91.2 v 120 v 325 옴
2EZ9.1D/TR8 Microsemi Corporation 2EZ9.1D/TR8 -
RFQ
ECAD 5119 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ9.1 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 2.5 옴
3EZ190DE3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ190DE3/TR8 -
RFQ
ECAD 9803 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ190 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 144.8 v 190 v 800 옴
SMBJ5339CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5339CE3/TR13 -
RFQ
ECAD 7880 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5339 5 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 2 v 5.6 v 1 옴
1N5913AG Microsemi Corporation 1N5913AG 3.0300
RFQ
ECAD 3293 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5913 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.3 v 10 옴
3EZ160D5/TR12 Microsemi Corporation 3EZ160D5/TR12 -
RFQ
ECAD 2494 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ160 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 121.6 v 160 v 625 옴
1N4762ADO41E3 Microsemi Corporation 1N4762ADO41E3 -
RFQ
ECAD 8828 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4762 1 W. DO-204AL (DO-41) - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 62.2 v 82 v 200 옴
1PMT4623C/TR7 Microsemi Corporation 1 PMT4623C/TR7 -
RFQ
ECAD 6599 0.00000000 Microsemi Corporation PowerMite® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1 W. DO-216 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 200 ma 4 µa @ 2 v 4.3 v 1650 옴
1N5244A (DO-35) Microsemi Corporation 1N5244A (DO-35) -
RFQ
ECAD 6903 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5244 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 10 v 14 v 15 옴
SMBJ4745C/TR13 Microsemi Corporation SMBJ4745C/TR13 -
RFQ
ECAD 8852 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ4745 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 12.2 v 16 v 16 옴
2EZ190D5E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ190D5E3/TR12 -
RFQ
ECAD 7462 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ190 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 144.8 v 190 v 825 옴
3EZ43D10E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ43D10E3/TR8 -
RFQ
ECAD 8219 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ43 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 32.7 v 43 v 33 옴
FST16230D Microsemi Corporation FST16230D -
RFQ
ECAD 9445 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 나사 나사 TO-249AA Schottky TO-249 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 30 v 80a 590 mV @ 80 a 1 ma @ 30 v
1N5950CP/TR8 Microsemi Corporation 1N5950cp/tr8 -
RFQ
ECAD 6567 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5950 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 83.6 v 110 v 300 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고