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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMBJ5378B/TR13 | - | ![]() | 6251 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ5378 | 5 w | SMBJ (DO-214AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 72 v | 100 v | 90 옴 | ||||||||||
![]() | MSCD100-18 | - | ![]() | 6357 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | D1 | 기준 | D1 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 1 연결 연결 시리즈 | 1800 v | 100A | 1.35 V @ 300 a | 5 ma @ 1800 v | ||||||||||||
![]() | 1N5255B (DO-35) | - | ![]() | 5693 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5255 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 21 v | 28 v | 44 옴 | ||||||||||
![]() | 1N5384B | - | ![]() | 9277 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5384 | 5 w | T-18 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 115 v | 160 v | 350 옴 | ||||||||||
![]() | SMBG5940C/TR13 | - | ![]() | 6306 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5940 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 32.7 v | 43 v | 53 | ||||||||||
![]() | 1N5223B (DO-35) | - | ![]() | 4530 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5223 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 200 ma | 75 µa @ 1 v | 2.7 v | 30 옴 | ||||||||||
![]() | 3EZ27D5E3/TR12 | - | ![]() | 3337 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ27 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 20.6 v | 27 v | 10 옴 | ||||||||||
![]() | 3EZ51D5/TR12 | - | ![]() | 7972 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ51 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 38.8 v | 51 v | 48 옴 | ||||||||||
![]() | SMBJ5335A/TR13 | - | ![]() | 6476 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ5335 | 5 w | SMBJ (DO-214AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 50 µa @ 1 v | 3.9 v | 2 옴 | ||||||||||
![]() | SMAJ4464E3/TR13 | - | ![]() | 8847 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 1.5 w | DO-214AC (SMAJ) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 300 NA @ 5.46 v | 9.1 v | 4 옴 | ||||||||||||
![]() | APT15S20KCTG | - | ![]() | 7709 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | APT15 | Schottky | TO-220 [k] | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 25A | 830 mv @ 15 a | 80 ns | 250 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | SMBG4734C/TR13 | - | ![]() | 5298 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG4734 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 2 v | 5.6 v | 5 옴 | ||||||||||
![]() | smbj4733ce3/tr13 | - | ![]() | 1190 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ4733 | 2 w | SMBJ (DO-214AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 1 v | 5.1 v | 7 옴 | ||||||||||
![]() | SMBG5942A/TR13 | - | ![]() | 7867 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5942 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 38.8 v | 51 v | 70 옴 | ||||||||||
![]() | 2EZ27D/TR8 | - | ![]() | 4572 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ27 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 20.6 v | 27 v | 18 옴 | ||||||||||
![]() | 3EZ5.6D5/TR12 | - | ![]() | 1794 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ5.6 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 2 v | 5.6 v | 2.5 옴 | ||||||||||
jantx1n6629u | - | ![]() | 9427 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/590 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 기준 | D-5B | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.4 V @ 1.4 a | 50 ns | 2 µa @ 800 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.4a | - | ||||||||||
![]() | 1N5939cg | 6.7950 | ![]() | 2482 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5939 | 1.25 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 29.7 v | 39 v | 45 옴 | ||||||||||
![]() | smbg5336be3/tr13 | - | ![]() | 2930 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5336 | 5 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 10 µa @ 1 v | 4.3 v | 2 옴 | |||||||||||
![]() | 5819Smge3/tr13 | - | ![]() | 1972 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | 5819sm | Schottky | DO-215AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 1 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | smaj6487e3/tr13 | - | ![]() | 6943 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 1.5 w | DO-214AC (SMAJ) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 35 µa @ 1 v | 3.9 v | 9 옴 | ||||||||||||
![]() | SMBJ4731C/TR13 | - | ![]() | 2144 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ4731 | 2 w | SMBJ (DO-214AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 1 v | 4.3 v | 9 옴 | ||||||||||
![]() | 3EZ3.6D2E3/TR8 | - | ![]() | 5785 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ3.6 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 3.6 v | |||||||||||||
![]() | SMBG4738A/TR13 | - | ![]() | 1082 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG4738 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 6 v | 8.2 v | 4.5 옴 | ||||||||||
![]() | 1N5339B/TR8 | - | ![]() | 6087 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5339 | 5 w | T-18 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µa @ 2 v | 5.6 v | 1 옴 | ||||||||||
![]() | 3EZ14D5/TR8 | - | ![]() | 4979 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ14 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 10.6 v | 14 v | 5 옴 | ||||||||||
jantx1n4474dus | 49.5750 | ![]() | 3451 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1N4474 | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 50 NA @ 19.2 v | 24 v | 16 옴 | |||||||||||
![]() | 2EZ11D2/TR12 | - | ![]() | 5454 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ11 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 8.4 v | 11 v | 4 옴 | ||||||||||
![]() | 3EZ16D10E3/TR12 | - | ![]() | 5687 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ16 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 12.2 v | 16 v | 5.5 옴 | ||||||||||
![]() | 1 PMT5919BE3/TR13 | - | ![]() | 4982 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5919 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 3 v | 5.6 v | 2 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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