SIC
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다이오드 (5250)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
2EZ100D/TR12 Microsemi Corporation 2EZ100D/TR12 -
RFQ
 ECAD 8041 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ100 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 76 v 100 v 175 옴
JANTX1N4462CUS Microsemi Corporation jantx1n4462cus 28.7100
RFQ
 ECAD 9533 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Melf, a 1N4462 1.5 w D-5A 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 1 µa @ 4.5 v 7.5 v 2.5 옴
SMBG5920B/TR13 Microsemi Corporation SMBG5920B/TR13 -
RFQ
 ECAD 8425 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5920 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 6.2 v 2 옴
1N4700 (DO35) Microsemi Corporation 1N4700 (DO35) -
RFQ
 ECAD 4960 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4700 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 9.8 v 13 v
CPT600100A Microsemi Corporation CPT600100A -
RFQ
 ECAD 5190 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 100 v 300A 850 mV @ 300 a 8 ma @ 100 v
SMBG5917A/TR13 Microsemi Corporation SMBG5917A/TR13 -
RFQ
 ECAD 8946 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5917 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1.5 v 4.7 v 5 옴
SMAJ5914BE3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ5914BE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 6317 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ5914 3 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 3.6 v 9 옴
SMAJ4461E3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ4461E3/TR13 -
RFQ
 ECAD 6815 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 1.5 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 4.08 v 6.8 v 2.5 옴
SMBG4743/TR13 Microsemi Corporation SMBG4743/TR13 -
RFQ
 ECAD 4660 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4743 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 9.9 v 13 v 10 옴
3EZ100D/TR12 Microsemi Corporation 3EZ100D/TR12 -
RFQ
 ECAD 3722 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ100 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 76 v 100 v 160 옴
3EZ190D2/TR12 Microsemi Corporation 3EZ190D2/TR12 -
RFQ
 ECAD 9682 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ190 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 144.8 v 190 v 800 옴
SMBG4744A/TR13 Microsemi Corporation SMBG4744A/TR13 -
RFQ
 ECAD 4359 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4744 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 11.4 v 15 v 14 옴
SMAJ5914CE3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ5914CE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 8474 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ5914 3 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 3.6 v 9 옴
SK36BE3/TR13 Microsemi Corporation SK36BE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 2200 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SK36 Schottky SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
JANTX1N4468CUS Microsemi Corporation jantx1n4468cus 17.5350
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Melf, a 1N4468 1.5 w D-5A 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 50 na @ 10.4 v 13 v 8 옴
2EZ17DE3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ17DE3/TR12 -
RFQ
 ECAD 5387 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ17 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 13 v 17 v 9 옴
SMBG4736/TR13 Microsemi Corporation smbg4736/tr13 -
RFQ
 ECAD 3805 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4736 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 4 v 6.8 v 3.5 옴
SMAJ4470CE3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ4470CE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 8555 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 1.5 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 50 na @ 12.8 v 16 v 10 옴
1N5523D-1 Microsemi Corporation 1N5523D-1 5.6850
RFQ
 ECAD 6371 0.00000000 Microsemi Corporation - 가방 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5523 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 2.5 v 5.1 v 26 옴
1N4733 G Microsemi Corporation 1N4733 g -
RFQ
 ECAD 9205 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4733 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
1PMT5921B/TR7 Microsemi Corporation 1 PMT5921B/TR7 -
RFQ
 ECAD 3455 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5921 3 w DO-216AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 5.2 v 6.8 v 2.5 옴
SMAJ5946AE3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ5946AE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 1303 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ5946 3 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 56 v 75 v 140 옴
SMBG5336B/TR13 Microsemi Corporation SMBG5336B/TR13 -
RFQ
 ECAD 5730 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5336 5 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 10 µa @ 1 v 4.3 v 2 옴
UFT20140 Microsemi Corporation UFT20140 -
RFQ
 ECAD 8045 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 나사 나사 기준 기준 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 100A 1.25 V @ 100 a 70 ns 50 µa @ 400 v
APT10SCE170B Microsemi Corporation APT10SCE170B -
RFQ
 ECAD 6495 0.00000000 Microsemi Corporation - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1700 v 1.8 V @ 10 a 0 ns 200 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C 23a 1120pf @ 0v, 1MHz
2EZ12D10E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ12D10E3/TR12 -
RFQ
 ECAD 3196 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ12 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 4.5 옴
2EZ100D10/TR12 Microsemi Corporation 2EZ100D10/TR12 -
RFQ
 ECAD 3435 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ100 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 76 v 100 v 175 옴
SMBG5923C/TR13 Microsemi Corporation SMBG5923C/TR13 -
RFQ
 ECAD 8101 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5923 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 6.5 v 8.2 v 3.5 옴
SMBJ4737CE3/TR13 Microsemi Corporation smbj4737ce3/tr13 -
RFQ
 ECAD 9592 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ4737 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 5 v 7.5 v 4 옴
2EZ10DE3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ10DE3/TR12 -
RFQ
 ECAD 1562 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ10 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 7.6 v 10 v 3.5 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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