RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

다이오드 (5250)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
1EZ200D10E3/TR12	-	RFQ	6218	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1EZ200		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000					1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 152 v				200 v	1900 옴
2EZ190D10/TR8	-	RFQ	5150	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ190		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500					1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 144.8 v				190 v	825 옴
SMBJ4751C/TR13	-	RFQ	4876	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ4751		2 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 22.8 v				30 v	40
2EZ39D10E3/TR12	-	RFQ	8384	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ39		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000					1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 29.7 v				39 v	30 옴
2EZ13D10E3/TR8	-	RFQ	1842	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ13		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500					1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 9.9 v				13 v	5 옴
1N5348B	-	RFQ	8621	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5348		5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a	5 µa @ 8 v				11 v	2.5 옴
1N5952APE3/tr12	-	RFQ	4385	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5952		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000					1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 98.8 v				130 v	450 옴
1N5920cg	6.0300	RFQ	3053	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5920		1.25 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 4 v				6.2 v	2 옴
SMBG5955C/TR13	-	RFQ	4804	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5955		2 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 136.8 v				180 v	900 옴
MSAD120-16	-	RFQ	8247	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	D1		기준		D1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	짐	1 양극 양극 공통	1600 v	120a	1.43 V @ 300 a	6 ma @ 1600 v
1N4135 (DO35)	-	RFQ	9621	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4135		400MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1					1 v @ 200 ma	10 na @ 76 v				100 v	1500 옴
1N5943cg	6.7950	RFQ	1607	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5943		1.25 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 42.6 v				56 v	86 옴
1N5926AG	3.0300	RFQ	5917	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5926		1.25 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 8.4 v				11 v	5.5 옴
2EZ75D5DO41E3	-	RFQ	9084	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ75		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000					1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 56 v				75 v	90 옴
1 PMT5914C/TR13	-	RFQ	3202	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5914		3 w	DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma	75 µa @ 1 v				3.6 v	9 옴
3EZ200D2E3/TR8	-	RFQ	8822	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ200		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500					1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 152 v				200 v	875 옴
SMBJ5338C/TR13	-	RFQ	4930	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5338		5 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a	1 µa @ 1 v				5.1 v	1.5 옴
2EZ7.5DE3/TR12	-	RFQ	8836	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ7.5		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000					1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 5 v				7.5 v	2 옴
SMBJ5953C/TR13	-	RFQ	1076	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5953		2 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 114 v				150 v	600 옴
FST60100	-	RFQ	6206	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	TO-249-9, TO-249AA 변형		Schottky		TO-249	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	60a	860 MV @ 60 a	2 ma @ 100 v
1N4729E3/tr13	-	RFQ	6340	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4729		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma	100 µa @ 1 v				3.6 v	10 옴
LSM115J	-	RFQ	2831	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214BA	LSM115	Schottky		DO-214BA	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		15 v		220 MV @ 1 a	10 ma @ 15 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
1 PMT5915C/TR7	-	RFQ	6731	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5915		3 w	DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma	25 µa @ 1 v				3.9 v	7.5 옴
1N5388AE3/tr12	-	RFQ	2095	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5388		5 w	T-18	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a	500 NA @ 144 v				200 v	480 옴
1 PMT5920E3/TR13	-	RFQ	3578	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 20%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5920		3 w	DO-216AA	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 4 v				6.2 v	2 옴
3EZ5.6D5E3/TR8	-	RFQ	5773	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ5.6		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500					1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 2 v				5.6 v	2.5 옴
1N4762CPE3/TR12	-	RFQ	5114	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4762		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000					1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 62.2 v				82 v	200 옴
1N5387E3/tr13	-	RFQ	2867	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5387		5 w	T-18	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,250					1.2 v @ 1 a	500 NA @ 137 v				190 v	450 옴
SMBG4764A/TR13	-	RFQ	3744	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG4764		2 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 76 v				100 v	350 옴
3EZ200D/TR8	-	RFQ	3957	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ200		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500					1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 152 v				200 v	875 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (5250)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²