RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

다이오드 (5250)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
1N5374E3/tr12	-	RFQ	3749	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5374		5 w	T-18	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 54 v		75 v	45 옴
UFT7260SM5C	-	RFQ	6220	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	기준 기준		기준		SM5	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	600 v	35a	1.35 V @ 35 a	75 ns	25 µa @ 600 v
3EZ9.1D2E3/TR12	-	RFQ	9964	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ9.1		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000					1.2 v @ 200 ma		3 µa @ 7 v		9.1 v	2.5 옴
1 PMT5919A/TR13	-	RFQ	3487	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5919		3 w	DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v		5.6 v	2 옴
MSCD100-16	-	RFQ	4731	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	D1		기준		D1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	짐	1 연결 연결 시리즈	1600 v	100A	1.35 V @ 300 a		5 ma @ 1600 v
SMBG4731E3/TR13	-	RFQ	6328	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG4731		2 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v		4.3 v	9 옴
smaj5948ae3/tr13	-	RFQ	3793	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ5948		3 w	DO-214AC (SMAJ)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 69.2 v		91 v	200 옴
SMBG4738CE3/TR13	-	RFQ	3246	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG4738		2 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 6 v		8.2 v	4.5 옴
3EZ10D2E3/TR12	-	RFQ	7165	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ10		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000					1.2 v @ 200 ma		3 µa @ 7.6 v		10 v	3.5 옴
2EZ39DE3/TR8	-	RFQ	5238	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ39		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500					1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 29.7 v		39 v	30 옴
1N4764ap/tr12	-	RFQ	5680	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4764		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 76 v		100 v	350 옴
1N4761CE3/TR13	-	RFQ	4744	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4761		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 56 v		75 v	175 옴
UFT7150	-	RFQ	9988	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			나사 나사	기준 기준		기준		기준 기준	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	500 v	35a	1.2 v @ 35 a	60 ns	25 µa @ 500 v
3EZ24D10E3/TR12	-	RFQ	6035	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ24		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000					1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 18.2 v		24 v	9 옴
SMBJ4738C/TR13	-	RFQ	9047	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ4738		2 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 6 v		8.2 v	4.5 옴
1N5336C/TR12	-	RFQ	7946	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5336		5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		10 µa @ 1 v		4.3 v	2 옴
SMBG4757CE3/TR13	-	RFQ	6060	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG4757		2 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 38.8 v		51 v	95 옴
2EZ16D2/TR8	-	RFQ	1207	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ16		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500					1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 12.2 v		16 v	8 옴
1N4751 g	-	RFQ	8229	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4751		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 22.8 v		30 v	40
smbj5336ae3/tr13	-	RFQ	5155	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5336		5 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		10 µa @ 1 v		4.3 v	2 옴
689-6d, 6n, 6p	-	RFQ	1049	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	nd	689-6	기준		nd	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 연결 연결 시리즈	600 v	15a	1.2 v @ 10 a	500 ns	10 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C
1N5946PE3/TR12	-	RFQ	3099	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5946		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 56 v		75 v	140 옴
SMBG4742E3/TR13	-	RFQ	7706	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG4742		2 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 9.1 v		12 v	9 옴
2EZ27DE3/TR8	-	RFQ	9074	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ27		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500					1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 20.6 v		27 v	18 옴
APT2X100D30J	-	RFQ	2096	Microsemi Corporation	-	튜브	쓸모없는			섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록	APT2X100	기준		ISOTOP®	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	10	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	2 독립	300 v	100A	1.4 V @ 100 a	47 ns	500 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 175 ° C
3EZ110D5E3/TR8	-	RFQ	8893	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ110		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500					1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 83.6 v		110 v	225 옴
3EZ17D5/TR12	-	RFQ	5915	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ17		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 13 v		17 v	6 옴
SMBJ4731C/TR13	-	RFQ	2144	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ4731		2 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v		4.3 v	9 옴
MSAD100-12	-	RFQ	1809	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	D1		기준		D1	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	짐	1 양극 양극 공통	1200 v	100A	1.35 V @ 300 a		5 ma @ 1200 v
3EZ62D10/TR8	-	RFQ	4168	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ62		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500					1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 47.1 v		62 v	55 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (5250)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²