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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMBG5920AE3/TR13 | - | ![]() | 6451 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5920 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 4 v | 6.2 v | 2 옴 | |||||||||||
![]() | 2EZ12D2E3/TR12 | - | ![]() | 5521 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ12 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 9.1 v | 12 v | 4.5 옴 | ||||||||||
![]() | 3EZ14D10E3/TR12 | - | ![]() | 6893 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ14 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 10.6 v | 14 v | 5 옴 | ||||||||||
![]() | 1N5917CP/TR12 | - | ![]() | 6914 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5917 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 1.5 v | 4.7 v | 5 옴 | ||||||||||
![]() | SMBG5915A/TR13 | - | ![]() | 4823 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5915 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 25 µa @ 1 v | 3.9 v | 7.5 옴 | ||||||||||
![]() | 1N5381/tr8 | - | ![]() | 6790 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5381 | 5 w | T-18 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 93.6 v | 130 v | 190 옴 | ||||||||||
jantx1n4981dus | 30.7500 | ![]() | 7568 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4981 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 69.2 v | 91 v | 90 옴 | |||||||||||
![]() | 1N5956PE3/TR12 | - | ![]() | 4639 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5956 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 152 v | 200 v | 1200 옴 | |||||||||||
![]() | 2EZ150D2E3/TR12 | - | ![]() | 6796 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ150 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 114 v | 150 v | 575 옴 | |||||||||||
![]() | 3EZ75D2/TR12 | - | ![]() | 3651 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ75 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 56 v | 75 v | 85 옴 | ||||||||||
![]() | 1N5375BE3/tr12 | - | ![]() | 5724 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5375 | 5 w | T-18 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 59 v | 82 v | 64 옴 | ||||||||||
![]() | MS104E3/TR8 | - | ![]() | 6060 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | MS104 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 690 mV @ 1 a | 100 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||
1N5267BDO35 | - | ![]() | 2293 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5267 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 56 v | 75 v | 270 옴 | |||||||||||
![]() | 2EZ160D2E3/TR12 | - | ![]() | 4659 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ160 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 121.6 v | 160 v | 650 옴 | |||||||||||
![]() | 1EZ100D5/TR12 | - | ![]() | 3297 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1EZ100 | 1 W. | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 v | ||||||||||||
![]() | SMBG5336A/TR13 | - | ![]() | 8094 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5336 | 5 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 10 µa @ 1 v | 4.3 v | 2 옴 | ||||||||||
![]() | 2EZ130D2/TR8 | - | ![]() | 5601 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ130 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 98.8 v | 130 v | 400 옴 | ||||||||||
![]() | 1N5916BPE3/tr8 | - | ![]() | 7849 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5916 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 1 v | 4.3 v | 6 옴 | |||||||||||
![]() | 1N5347B/TR8 | - | ![]() | 4214 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5347 | 5 w | T-18 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 5 µa @ 7.2 v | 10 v | 2 옴 | ||||||||||
![]() | jantx1n4989d | 29.4600 | ![]() | 8543 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4989 | 5 w | e, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 152 v | 200 v | 500 옴 | ||||||||||
![]() | 1N4762 g | - | ![]() | 6411 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4762 | 1 W. | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 62.2 v | 82 v | 200 옴 | ||||||||||
![]() | 1N4130 (DO35) | - | ![]() | 6842 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N4130 | 400MW | DO-35 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 10 NA @ 51.68 v | 68 v | 700 옴 | ||||||||||
![]() | 2EZ12D5/TR12 | - | ![]() | 6205 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ12 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 9.1 v | 12 v | 4.5 옴 | ||||||||||
![]() | 3EZ160D5E3/TR12 | - | ![]() | 2093 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ160 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 121.6 v | 160 v | 625 옴 | |||||||||||
![]() | 1EZ140D5E3/TR8 | - | ![]() | 9666 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1EZ140 | 1 W. | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 106.4 v | 140 v | 1100 옴 | |||||||||||
![]() | CPT600100A | - | ![]() | 5190 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 양극 양극 공통 | 100 v | 300A | 850 mV @ 300 a | 8 ma @ 100 v | ||||||||||||
![]() | 2EZ120D5E3/TR8 | - | ![]() | 3421 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ120 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 91.2 v | 120 v | 325 옴 | |||||||||||
![]() | 3EZ5.1D/TR8 | - | ![]() | 9555 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ5.1 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 1 v | 5.1 v | 3.5 옴 | ||||||||||
![]() | 3EZ24D/TR8 | - | ![]() | 5585 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ24 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 18.2 v | 24 v | 9 옴 | ||||||||||
jantx1n6629u | - | ![]() | 9427 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/590 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 기준 | D-5B | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.4 V @ 1.4 a | 50 ns | 2 µa @ 800 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.4a | - |
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