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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N5943BG Microsemi Corporation 1N5943BG 3.4050
RFQ
ECAD 4626 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5943 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 42.6 v 56 v 86 옴
1N5381BE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5381BE3/TR13 -
RFQ
ECAD 4664 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5381 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,250 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 93.6 v 130 v 190 옴
MSCD200-08 Microsemi Corporation MSCD200-08 -
RFQ
ECAD 2000 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D2 기준 SD2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1 연결 연결 시리즈 800 v 200a 1.3 v @ 300 a 9 ma @ 800 v
SMBJ5917A/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5917A/TR13 -
RFQ
ECAD 8043 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5917 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1.5 v 4.7 v 5 옴
1N5952CP/TR8 Microsemi Corporation 1N5952CP/TR8 -
RFQ
ECAD 4355 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5952 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 98.8 v 130 v 450 옴
1N5917CG Microsemi Corporation 1N5917cg 6.0300
RFQ
ECAD 2915 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5917 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1.5 v 4.7 v 5 옴
3EZ4.3D2/TR12 Microsemi Corporation 3EZ4.3D2/TR12 -
RFQ
ECAD 2642 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ4.3 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 30 µa @ 1 v 4.3 v 4.5 옴
2EZ27D5 Microsemi Corporation 2EZ27D5 -
RFQ
ECAD 4202 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ27 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 20.6 v 27 v 18 옴
3EZ12D2E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ12D2E3/TR8 -
RFQ
ECAD 2078 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ12 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 4.5 옴
JANTX1N4962D Microsemi Corporation jantx1n4962d 29.4600
RFQ
ECAD 7682 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 e, 축 방향 1N4962 5 w e, 축 방향 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 5 µa @ 11.4 v 15 v 3.5 옴
1N5346B Microsemi Corporation 1N5346B -
RFQ
ECAD 6342 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5346 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 7.5 µa @ 6.6 v 9.1 v 2 옴
1N5949CP/TR12 Microsemi Corporation 1N5949cp/tr12 -
RFQ
ECAD 6897 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5949 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 76 v 100 v 250 옴
SMBG5335CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5335CE3/TR13 -
RFQ
ECAD 6680 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5335 5 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 50 µa @ 1 v 3.9 v 2 옴
1N5939CP/TR12 Microsemi Corporation 1N5939cp/tr12 -
RFQ
ECAD 6736 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5939 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 29.7 v 39 v 45 옴
1N5956BPE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5956BPE3/tr8 -
RFQ
ECAD 9859 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5956 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 152 v 200 v 1200 옴
1EZ130D10E3/TR8 Microsemi Corporation 1ez130d10e3/tr8 -
RFQ
ECAD 2238 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ130 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 98.8 v 130 v 910 옴
1N5235A (DO-35) Microsemi Corporation 1N5235A (DO-35) -
RFQ
ECAD 7956 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5235 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 3 µa @ 4.8 v 6.8 v 5 옴
1N5952AE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5952AE3/tr13 -
RFQ
ECAD 6606 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5952 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 98.8 v 130 v 450 옴
SMBG5935AE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5935AE3/TR13 -
RFQ
ECAD 7498 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5935 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 20.6 v 27 v 23 옴
1N5382E3/TR12 Microsemi Corporation 1N5382E3/tr12 -
RFQ
ECAD 1013 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5382 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 101 v 140 v 230 옴
3EZ68D/TR8 Microsemi Corporation 3EZ68D/TR8 -
RFQ
ECAD 6449 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ68 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 51.7 v 68 v 70 옴
CPT300100D Microsemi Corporation CPT300100D -
RFQ
ECAD 4674 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 100 v 150a 980 MV @ 200 a 4 ma @ 100 v
JANTX1N4495C Microsemi Corporation jantx1n4495c 33.2550
RFQ
ECAD 3416 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4495 1.5 w DO-41 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 250 NA @ 144 v 180 v 1300 옴
1N5386/TR12 Microsemi Corporation 1N5386/tr12 -
RFQ
ECAD 4978 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5386 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 130 v 180 v 430 옴
1N4703 (DO35) Microsemi Corporation 1N4703 (DO35) -
RFQ
ECAD 2605 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4703 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 NA @ 12.1 v 16 v
JAN1N6622U Microsemi Corporation JAN1N6622U 14.1900
RFQ
ECAD 3890 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/585 대부분 활동적인 표면 표면 SQ-Melf, a 1N6622 기준 D-5A - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.4 V @ 1.2 a 30 ns 500 NA @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.2A -
1N5951BPE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5951BPE3/TR8 -
RFQ
ECAD 2557 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5951 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91.2 v 120 v 380 옴
1N5928BG Microsemi Corporation 1N5928BG 3.0300
RFQ
ECAD 1149 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5928 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 9.9 v 13 v 7 옴
1N4730AP/TR12 Microsemi Corporation 1N4730AP/TR12 -
RFQ
ECAD 9137 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4730 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 50 µa @ 1 v 3.9 v 9 옴
2EZ10D/TR12 Microsemi Corporation 2EZ10D/TR12 -
RFQ
ECAD 2996 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ10 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 7.6 v 10 v 3.5 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고