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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
2EZ15D5E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ15D5E3/TR12 -
RFQ
ECAD 3064 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ15 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 11.4 v 15 v 7 옴
3EZ20D2E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ20D2E3/TR12 -
RFQ
ECAD 6117 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ20 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 15.2 v 20 v 7 옴
2EZ51D2/TR12 Microsemi Corporation 2EZ51D2/TR12 -
RFQ
ECAD 5851 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ51 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 38.8 v 51 v 48 옴
2EZ180D5E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ180D5E3/TR12 -
RFQ
ECAD 3333 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ180 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 136.8 v 180 v 725 옴
2EZ30D5E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ30D5E3/TR12 -
RFQ
ECAD 4167 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ30 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 22.5 v 30 v 20 옴
3EZ68D2/TR12 Microsemi Corporation 3EZ68D2/TR12 -
RFQ
ECAD 9404 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ68 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 51.7 v 68 v 70 옴
3EZ8.2D2/TR12 Microsemi Corporation 3EZ8.2d2/tr12 -
RFQ
ECAD 9159 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ8.2 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 6 v 8.2 v 2.3
1N4135 (DO35) Microsemi Corporation 1N4135 (DO35) -
RFQ
ECAD 9621 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4135 400MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 10 na @ 76 v 100 v 1500 옴
1N5806/TR Microsemi Corporation 1N5806/tr 5.9700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 a, 축 방향 1N5806 기준 a, 축 방향 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 2.5A -
2EZ62D10/TR12 Microsemi Corporation 2EZ62D10/TR12 -
RFQ
ECAD 1520 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ62 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 47.1 v 62 v 60 옴
3EZ12D5/TR12 Microsemi Corporation 3EZ12D5/TR12 -
RFQ
ECAD 4741 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ12 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 4.5 옴
1N5946PE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5946PE3/TR8 -
RFQ
ECAD 9620 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5946 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 56 v 75 v 140 옴
3EZ6.8D5/TR12 Microsemi Corporation 3EZ6.8D5/TR12 -
RFQ
ECAD 3246 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ6.8 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 6.8 v 2 옴
2EZ17D2E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ17D2E3/TR12 -
RFQ
ECAD 1078 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ17 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 13 v 17 v 9 옴
3EZ27D2/TR12 Microsemi Corporation 3EZ27D2/TR12 -
RFQ
ECAD 9774 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ27 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 20.6 v 27 v 10 옴
3EZ82D2/TR12 Microsemi Corporation 3EZ82D2/TR12 -
RFQ
ECAD 6761 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ82 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 62.2 v 82 v 95 옴
1N5236A (DO-35) Microsemi Corporation 1N5236A (DO-35) -
RFQ
ECAD 6933 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5236 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 3 µa @ 5.7 v 7.5 v 6 옴
3EZ6.8D10/TR8 Microsemi Corporation 3EZ6.8d10/tr8 -
RFQ
ECAD 7182 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ6.8 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 6.8 v 2 옴
1N5334E3/TR13 Microsemi Corporation 1N5334E3/tr13 -
RFQ
ECAD 4170 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5334 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,250 1.2 v @ 1 a 150 µa @ 1 v 3.6 v 2.5 옴
1PMT5924AE3/TR13 Microsemi Corporation 1 PMT5924AE3/TR13 -
RFQ
ECAD 2846 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5924 3 w DO-216AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 7 v 9.1 v 4 옴
1N4764CPE3/TR12 Microsemi Corporation 1N4764cpe3/tr12 -
RFQ
ECAD 1449 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4764 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 76 v 100 v 350 옴
SMBG4749/TR13 Microsemi Corporation SMBG4749/TR13 -
RFQ
ECAD 8764 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4749 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 18.2 v 24 v 25 옴
3EZ91D2E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ91D2E3/TR8 -
RFQ
ECAD 5752 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ91 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 69.2 v 91 v 115 옴
JANTX1N4962D Microsemi Corporation jantx1n4962d 29.4600
RFQ
ECAD 7682 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 e, 축 방향 1N4962 5 w e, 축 방향 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 5 µa @ 11.4 v 15 v 3.5 옴
1N5952AE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5952AE3/tr13 -
RFQ
ECAD 6606 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5952 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 98.8 v 130 v 450 옴
1N5949CP/TR12 Microsemi Corporation 1N5949cp/tr12 -
RFQ
ECAD 6897 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5949 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 76 v 100 v 250 옴
1N5382E3/TR12 Microsemi Corporation 1N5382E3/tr12 -
RFQ
ECAD 1013 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5382 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 101 v 140 v 230 옴
SMBG5935AE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5935AE3/TR13 -
RFQ
ECAD 7498 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5935 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 20.6 v 27 v 23 옴
1N5346B Microsemi Corporation 1N5346B -
RFQ
ECAD 6342 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5346 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 7.5 µa @ 6.6 v 9.1 v 2 옴
1N4730AP/TR12 Microsemi Corporation 1N4730AP/TR12 -
RFQ
ECAD 9137 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4730 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 50 µa @ 1 v 3.9 v 9 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고