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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1PMT5921CE3/TR13 Microsemi Corporation 1 PMT5921CE3/TR13 -
RFQ
ECAD 1950 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5921 3 w DO-216AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 5.2 v 6.8 v 2.5 옴
1N4763UR-1 Microsemi Corporation 1N4763UR-1 3.4650
RFQ
ECAD 3775 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 1N4763 1 W. do-213ab - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 69.2 v 91 v 250 옴
FST20150 Microsemi Corporation FST20150 -
RFQ
ECAD 2081 0.00000000 Microsemi Corporation - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 830 mv @ 10 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
3EZ150D/TR12 Microsemi Corporation 3EZ150D/TR12 -
RFQ
ECAD 3413 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ150 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 114 v 150 v 550 옴
1EZ110D10/TR8 Microsemi Corporation 1EZ110D10/TR8 -
RFQ
ECAD 9369 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ110 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 83.6 v 110 v 570 옴
SK310AE3/TR13 Microsemi Corporation SK310AE3/TR13 -
RFQ
ECAD 2338 0.00000000 Microsemi Corporation * 테이프 & tr (TR) 활동적인 SK310 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500
MSKD60-18 Microsemi Corporation MSKD60-18 -
RFQ
ECAD 9879 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D1 기준 D1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1 음극 음극 공통 1800 v 60a 1.3 V @ 200 a 5 ma @ 1800 v
1N4754A G Microsemi Corporation 1N4754A g -
RFQ
ECAD 3840 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4754 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 29.7 v 39 v 60 옴
2EZ8.2DE3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ8.2DE3/TR8 -
RFQ
ECAD 7789 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ8.2 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 6 v 8.2 v 2.3
SMBG5337A/TR13 Microsemi Corporation SMBG5337A/TR13 -
RFQ
ECAD 4446 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5337 5 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 5 µa @ 1 v 4.7 v 2 옴
2EZ36DE3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ36DE3/TR8 -
RFQ
ECAD 2430 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ36 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 27.4 v 36 v 25 옴
SMAJ4488E3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ4488E3/TR13 -
RFQ
ECAD 2079 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 1.5 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 25 NA @ 72.8 v 91 v 200 옴
CPT30045A Microsemi Corporation CPT30045A -
RFQ
ECAD 9623 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 45 v 150a 760 mV @ 200 a 4 ma @ 45 v
SK34/TR13 Microsemi Corporation SK34/TR13 -
RFQ
ECAD 1431 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC SK34 Schottky do-214ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
1N5940AG Microsemi Corporation 1N5940AG 3.4050
RFQ
ECAD 8119 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5940 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 32.7 v 43 v 53
1N5811/TR Microsemi Corporation 1N5811/tr 7.4400
RFQ
ECAD 2554 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 b, 축 1N5811 기준 b, 축 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 875 mv @ 4 a 30 ns 5 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
1N5383BE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5383BE3/tr8 -
RFQ
ECAD 5065 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5383 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 108 v 150 v 330 옴
3EZ43D10/TR12 Microsemi Corporation 3EZ43D10/TR12 -
RFQ
ECAD 6767 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ43 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 32.7 v 43 v 33 옴
1N5947E3/TR13 Microsemi Corporation 1N5947E3/tr13 -
RFQ
ECAD 3437 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5947 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 62.2 v 82 v 160 옴
2EZ3.9D5 Microsemi Corporation 2EZ3.9D5 -
RFQ
ECAD 8586 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ3.9 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 30 µa @ 1 v 3.9 v 5 옴
3EZ39D5/TR12 Microsemi Corporation 3EZ39D5/TR12 -
RFQ
ECAD 2389 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ39 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 29.7 v 39 v 28 옴
2EZ150D10/TR12 Microsemi Corporation 2EZ150D10/TR12 -
RFQ
ECAD 7147 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ150 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 114 v 150 v 575 옴
1N5380AE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5380AE3/tr8 -
RFQ
ECAD 2428 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5380 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 86.4 v 120 v 170 옴
1N5918BG Microsemi Corporation 1N5918BG 4.7850
RFQ
ECAD 4778 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5918 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.1 v 4 옴
1N4704 (DO35) Microsemi Corporation 1N4704 (DO35) -
RFQ
ECAD 7385 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4704 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 12.9 v 17 v
LSM545JE3 Microsemi Corporation LSM545JE3 -
RFQ
ECAD 6414 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC LSM545 Schottky do-214ab 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 520 MV @ 5 a 2 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
3EZ180DE3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ180DE3/TR12 -
RFQ
ECAD 2668 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ180 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 136.8 v 180 v 700 옴
1PMT5919/TR7 Microsemi Corporation 1 PMT5919/TR7 -
RFQ
ECAD 6278 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5919 3 w DO-216AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 3 v 5.6 v 2 옴
2EZ10D2/TR8 Microsemi Corporation 2EZ10D2/TR8 -
RFQ
ECAD 6373 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ10 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 7.6 v 10 v 3.5 옴
1PMT5920AE3/TR13 Microsemi Corporation 1 PMT5920AE3/TR13 -
RFQ
ECAD 6520 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5920 3 w DO-216AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 6.2 v 2 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고