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다이오드 (5250)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
2EZ9.1D5/TR12 Microsemi Corporation 2EZ9.1D5/TR12 -
RFQ
 ECAD 1679 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ9.1 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 2.5 옴
1N4701 (DO35) Microsemi Corporation 1N4701 (DO35) -
RFQ
 ECAD 2344 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4701 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 10.6 v 14 v
1N5221B (DO-35) Microsemi Corporation 1N5221B (DO-35) -
RFQ
 ECAD 4398 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5221 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 24 v 30 옴
3EZ6.8D5/TR8 Microsemi Corporation 3EZ6.8D5/TR8 -
RFQ
 ECAD 2035 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ6.8 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 6.8 v 2 옴
2EZ13DE3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ13DE3/TR12 -
RFQ
 ECAD 1127 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ13 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 5 옴
1N5377E3/TR13 Microsemi Corporation 1N5377E3/tr13 -
RFQ
 ECAD 4099 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5377 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,250 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 65.5 v 91 v 75 옴
1EZ190D/TR8 Microsemi Corporation 1EZ190D/TR8 -
RFQ
 ECAD 1443 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ190 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 144.8 v 190 v 1700 옴
1N5936DG Microsemi Corporation 1N5936dg 8.2950
RFQ
 ECAD 4349 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5936 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 22.8 v 30 v 28 옴
2EZ5.6D2/TR12 Microsemi Corporation 2EZ5.6D2/TR12 -
RFQ
 ECAD 4565 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ5.6 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.6 v 2.5 옴
JANTX1N4493CUS Microsemi Corporation jantx1n4493cus 38.7300
RFQ
 ECAD 4646 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Melf, a 1N4493 1.5 w D-5A 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 250 NA @ 120 v 150 v 700 옴
3EZ22DE3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ22DE3/TR12 -
RFQ
 ECAD 5442 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ22 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 16.7 v 22 v 8 옴
SMBG5944BE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5944BE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 4643 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5944 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 47.1 v 62 v 100 옴
1N5337CE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5337CE3/tr8 -
RFQ
 ECAD 5565 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5337 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 5 µa @ 1 v 4.7 v 2 옴
2EZ150D2E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ150D2E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 5906 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ150 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 114 v 150 v 575 옴
SMBG4761C/TR13 Microsemi Corporation SMBG4761C/TR13 -
RFQ
 ECAD 3133 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4761 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 56 v 75 v 175 옴
SMBG5928BE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5928BE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 3483 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5928 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 9.9 v 13 v 7 옴
1N5937CG Microsemi Corporation 1N5937cg 6.0300
RFQ
 ECAD 2722 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5937 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 25.1 v 33 v 33 옴
1N4731CP/TR12 Microsemi Corporation 1N4731CP/TR12 -
RFQ
 ECAD 8556 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4731 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.3 v 9 옴
SMBG5944C/TR13 Microsemi Corporation SMBG5944C/TR13 -
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5944 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 47.1 v 62 v 100 옴
1N5382B Microsemi Corporation 1N5382B -
RFQ
 ECAD 5135 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5382 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 101 v 140 v 230 옴
1N4697 (DO35) Microsemi Corporation 1N4697 (DO35) -
RFQ
 ECAD 2889 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4697 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 7.6 v 10 v
SMBG5335BE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5335BE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 7283 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5335 5 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 50 µa @ 1 v 3.9 v 2 옴
SMBG5952C/TR13 Microsemi Corporation SMBG5952C/TR13 -
RFQ
 ECAD 2631 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5952 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 98.8 v 130 v 450 옴
CPT50060D Microsemi Corporation CPT50060D -
RFQ
 ECAD 8044 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 60 v 250A 730 mv @ 250 a 8 ma @ 60 v
1N5337A/TR12 Microsemi Corporation 1N5337A/TR12 -
RFQ
 ECAD 8573 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5337 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 5 µa @ 1 v 4.7 v 2 옴
SMBG4760CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4760CE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 2900 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4760 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 51.7 v 68 v 150 옴
1N5387B/TR8 Microsemi Corporation 1N5387B/TR8 -
RFQ
 ECAD 10000 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5387 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 137 v 190 v 450 옴
JANTX1N4493D Microsemi Corporation jantx1n4493d 41.5800
RFQ
 ECAD 8322 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4493 1.5 w DO-41 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 250 NA @ 120 v 150 v 700 옴
3EZ11D10/TR8 Microsemi Corporation 3EZ11D10/TR8 -
RFQ
 ECAD 8762 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ11 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 8.4 v 11 v 4 옴
2EZ200D2E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ200D2E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 9197 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ200 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 152 v 200 v 900 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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