SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N5350B Microsemi Corporation 1N5350B -
RFQ
ECAD 9668 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5350 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 9.4 v 13 v 2.5 옴
APT20SCD65K Microsemi Corporation APT20SCD65K -
RFQ
ECAD 9633 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220 [k] 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.8 V @ 20 a 0 ns 400 µa @ 650 v -55 ° C ~ 150 ° C 32A 680pf @ 100MV, 1MHz
CPT20145D Microsemi Corporation CPT20145D -
RFQ
ECAD 2820 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 45 v 100A 680 mV @ 200 a 4 ma @ 45 v
1N4729AG Microsemi Corporation 1N4729AG 2.8500
RFQ
ECAD 1138 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4729 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.6 v 10 옴
2EZ100D10E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ100D10E3/TR8 -
RFQ
ECAD 4915 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ100 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 76 v 100 v 175 옴
1N5244B (DO-35) Microsemi Corporation 1N5244B (DO-35) -
RFQ
ECAD 6301 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5244 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 10 v 14 v 15 옴
UFT14020 Microsemi Corporation UFT14020 -
RFQ
ECAD 5717 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 기준 기준 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 70A 975 MV @ 70 a 50 ns 25 µa @ 200 v
2EZ150D5/TR8 Microsemi Corporation 2EZ150D5/TR8 -
RFQ
ECAD 5853 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ150 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 114 v 150 v 575 옴
LX7710MDWC-V Microsemi Corporation lx7710mdwc-v -
RFQ
ECAD 4708 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 표면 표면 20-CSOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) LX7710 기준 20 CSOIC 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 8 연결 연결 시리즈 140 v 1A (DC) 2.08 V @ 700 ma 100 na @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C
3EZ68D2E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ68D2E3/TR12 -
RFQ
ECAD 8479 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ68 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 51.7 v 68 v 70 옴
MS106/TR8 Microsemi Corporation ms106/tr8 -
RFQ
ECAD 6276 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 MS106 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 690 mV @ 1 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
JANTX1N6660 Microsemi Corporation jantx1n6660 -
RFQ
ECAD 3306 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/608 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) 1N6660 Schottky TO-254AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 750 mV @ 15 a 1 ma @ 45 v 150 ° C (°)
APT10SCD120K Microsemi Corporation APT10SCD120K 10.1000
RFQ
ECAD 345 0.00000000 Microsemi Corporation - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220 [k] - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.5 V @ 10 a 0 ns - 10A -
JANTXV1N6620U Microsemi Corporation jantxv1n6620u 19.0950
RFQ
ECAD 9732 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/585 대부분 활동적인 표면 표면 SQ-Melf, a 1N6620 기준 D-5A - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.4 V @ 1.2 a 30 ns 500 na @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.2A -
3EZ17D5E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ17D5E3/TR8 -
RFQ
ECAD 6062 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ17 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 13 v 17 v 6 옴
2EZ36D/TR12 Microsemi Corporation 2EZ36D/TR12 -
RFQ
ECAD 2294 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ36 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 27.4 v 36 v 25 옴
MS104/TR8 Microsemi Corporation MS104/TR8 -
RFQ
ECAD 1609 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 MS104 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 690 mV @ 1 a 100 µa @ 40 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
681-4D, 4N, 4P Microsemi Corporation 681-4d, 4n, 4p -
RFQ
ECAD 8630 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 섀시 섀시 nd 681-4 기준 nd 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1 연결 연결 시리즈 400 v 15a 1.2 v @ 10 a 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C
2EZ5.6D2E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ5.6D2E3/TR12 -
RFQ
ECAD 6937 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ5.6 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.6 v 2.5 옴
3EZ4.7D2E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ4.7D2E3/TR12 -
RFQ
ECAD 9484 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ4.7 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 20 µa @ 1 v 4.7 v 4 옴
3EZ51DE3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ51DE3/TR8 -
RFQ
ECAD 9000 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ51 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 38.8 v 51 v 48 옴
CPT12050D Microsemi Corporation CPT12050D -
RFQ
ECAD 3208 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 50 v 60a 800 mV @ 120 a 3 ma @ 50 v
CPT500100 Microsemi Corporation CPT500100 -
RFQ
ECAD 8980 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 250A 900 MV @ 250 a 8 ma @ 100 v
1N5937BG Microsemi Corporation 1N5937bg 3.4050
RFQ
ECAD 1755 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5937 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 25.1 v 33 v 33 옴
JANTX1N4977CUS Microsemi Corporation jantx1n497777cus 24.6000
RFQ
ECAD 2082 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Mell, e 1N4977 5 w D-5B 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 47.1 v 62 v 42 옴
2EZ200D5 Microsemi Corporation 2EZ200D5 -
RFQ
ECAD 9324 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ200 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 152 v 200 v 900 옴
1N4894A Microsemi Corporation 1N4894A -
RFQ
ECAD 1238 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N4894 400MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 100 6.35 v 10 옴
3EZ3.6D10/TR8 Microsemi Corporation 3EZ3.6D10/TR8 -
RFQ
ECAD 8132 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ3.6 3 w DO-204AL (DO-41) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 3.6 v
1N5914BE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5914BE3/TR13 -
RFQ
ECAD 1569 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5914 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 3.6 v 9 옴
SMAJ4492CE3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ4492CE3/TR13 -
RFQ
ECAD 9381 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 1.5 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 25 na @ 104 v 130 v 500 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고