SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SMBG4751E3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4751E3/TR13 -
RFQ
ECAD 2145 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4751 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 22.8 v 30 v 40
3EZ5.1D10E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ5.1D10E3/TR12 -
RFQ
ECAD 8705 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ5.1 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 5.1 v 3.5 옴
1N5913BPE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5913BPE3/tr8 -
RFQ
ECAD 7781 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5913 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.3 v 10 옴
APT2X41DC120J Microsemi Corporation APT2X41DC120J -
RFQ
ECAD 9761 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 섀시 섀시 동위 동위 APT2X41 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 2 독립 1200 v 40a 1.8 V @ 40 a 0 ns 800 µa @ 1200 v
JANTX1N4474DUS Microsemi Corporation jantx1n4474dus 49.5750
RFQ
ECAD 3451 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Melf, a 1N4474 1.5 w D-5A 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 50 NA @ 19.2 v 24 v 16 옴
3EZ4.3D2E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ4.3D2E3/TR8 -
RFQ
ECAD 8997 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ4.3 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 30 µa @ 1 v 4.3 v 4.5 옴
APT2X31DC60J Microsemi Corporation APT2X31DC60J -
RFQ
ECAD 9278 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT2X31 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky SOT-227 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 2 독립 600 v 30A 1.8 V @ 30 a 0 ns 600 µa @ 600 v
3EZ18D10E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ18D10E3/TR12 -
RFQ
ECAD 5092 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ18 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 13.7 v 18 v 6 옴
3EZ5.6D10/TR8 Microsemi Corporation 3EZ5.6d10/tr8 -
RFQ
ECAD 4218 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ5.6 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.6 v 2.5 옴
1N5386CE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5386CE3/tr12 -
RFQ
ECAD 5753 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5386 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 130 v 180 v 430 옴
CPT30050A Microsemi Corporation CPT30050A -
RFQ
ECAD 4066 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 50 v 150a 760 mV @ 200 a 4 ma @ 50 v
2EZ30D10/TR12 Microsemi Corporation 2EZ30D10/TR12 -
RFQ
ECAD 8931 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ30 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 22.5 v 30 v 20 옴
2EZ10D10E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ10D10E3/TR12 -
RFQ
ECAD 7079 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ10 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 7.6 v 10 v 3.5 옴
SPB160100E3 Microsemi Corporation SPB160100E3 -
RFQ
ECAD 9187 0.00000000 Microsemi Corporation - 튜브 쓸모없는 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 SPB160 Schottky SOT-227 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 100 v 160a 920 MV @ 160 a 5 ma @ 100 v
3EZ200D/TR8 Microsemi Corporation 3EZ200D/TR8 -
RFQ
ECAD 3957 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ200 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 152 v 200 v 875 옴
1N5337CE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5337CE3/tr13 -
RFQ
ECAD 7007 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5337 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,250 1.2 v @ 1 a 5 µa @ 1 v 4.7 v 2 옴
1PMT5919CE3/TR13 Microsemi Corporation 1 PMT5919CE3/TR13 -
RFQ
ECAD 6148 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5919 3 w DO-216AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 3 v 5.6 v 2 옴
1N5381AE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5381AE3/tr8 -
RFQ
ECAD 3427 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5381 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 93.6 v 130 v 190 옴
2EZ190D5E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ190D5E3/TR12 -
RFQ
ECAD 7462 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ190 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 144.8 v 190 v 825 옴
MSDM200-16 Microsemi Corporation MSDM200-16 -
RFQ
ECAD 8372 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 M3-1 기준 M3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1.45 V @ 200 a 500 µa @ 1600 v 200a 3 단계 1.6kV
2EZ130D5/TR12 Microsemi Corporation 2EZ130D5/TR12 -
RFQ
ECAD 3075 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ130 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 98.8 v 130 v 400 옴
1N5942BG Microsemi Corporation 1N5942BG 3.4050
RFQ
ECAD 3079 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5942 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 38.8 v 51 v 70 옴
1N4732AP/TR12 Microsemi Corporation 1N4732AP/TR12 -
RFQ
ECAD 5630 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4732 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.7 v 8 옴
3EZ14DE3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ14DE3/TR12 -
RFQ
ECAD 1602 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ14 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 10.6 v 14 v 5 옴
2EZ3.9D2/TR8 Microsemi Corporation 2EZ3.9D2/TR8 -
RFQ
ECAD 1303 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ3.9 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 30 µa @ 1 v 3.9 v 5 옴
1N5950CP/TR8 Microsemi Corporation 1N5950cp/tr8 -
RFQ
ECAD 6567 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5950 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 83.6 v 110 v 300 옴
1N5375B/TR8 Microsemi Corporation 1N5375B/TR8 -
RFQ
ECAD 1753 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5375 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 59 v 82 v 64 옴
LSM115J Microsemi Corporation LSM115J -
RFQ
ECAD 2831 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214BA LSM115 Schottky DO-214BA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 15 v 220 MV @ 1 a 10 ma @ 15 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
1N5914P/TR8 Microsemi Corporation 1N5914P/TR8 -
RFQ
ECAD 2660 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5914 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 3.6 v 9 옴
1N5950APE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5950APE3/tr8 -
RFQ
ECAD 2156 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5950 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 83.6 v 110 v 300 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고