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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMBG4751E3/TR13 | - | ![]() | 2145 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG4751 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 22.8 v | 30 v | 40 | |||||||||||||
![]() | 3EZ5.1D10E3/TR12 | - | ![]() | 8705 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ5.1 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 1 v | 5.1 v | 3.5 옴 | ||||||||||||
![]() | 1N5913BPE3/tr8 | - | ![]() | 7781 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5913 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µa @ 1 v | 3.3 v | 10 옴 | |||||||||||||
APT2X41DC120J | - | ![]() | 9761 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | 동위 동위 | APT2X41 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | SOT-227 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 2 독립 | 1200 v | 40a | 1.8 V @ 40 a | 0 ns | 800 µa @ 1200 v | ||||||||||||
jantx1n4474dus | 49.5750 | ![]() | 3451 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1N4474 | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 50 NA @ 19.2 v | 24 v | 16 옴 | |||||||||||||
![]() | 3EZ4.3D2E3/TR8 | - | ![]() | 8997 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ4.3 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 30 µa @ 1 v | 4.3 v | 4.5 옴 | |||||||||||||
![]() | APT2X31DC60J | - | ![]() | 9278 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT2X31 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | SOT-227 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 2 독립 | 600 v | 30A | 1.8 V @ 30 a | 0 ns | 600 µa @ 600 v | |||||||||||
![]() | 3EZ18D10E3/TR12 | - | ![]() | 5092 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ18 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 13.7 v | 18 v | 6 옴 | ||||||||||||
![]() | 3EZ5.6d10/tr8 | - | ![]() | 4218 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ5.6 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 2 v | 5.6 v | 2.5 옴 | ||||||||||||
![]() | 1N5386CE3/tr12 | - | ![]() | 5753 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5386 | 5 w | T-18 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 130 v | 180 v | 430 옴 | |||||||||||||
![]() | CPT30050A | - | ![]() | 4066 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 양극 양극 공통 | 50 v | 150a | 760 mV @ 200 a | 4 ma @ 50 v | ||||||||||||||
![]() | 2EZ30D10/TR12 | - | ![]() | 8931 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ30 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 22.5 v | 30 v | 20 옴 | ||||||||||||
![]() | 2EZ10D10E3/TR12 | - | ![]() | 7079 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ10 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µa @ 7.6 v | 10 v | 3.5 옴 | ||||||||||||
![]() | SPB160100E3 | - | ![]() | 9187 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 튜브 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | SPB160 | Schottky | SOT-227 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 100 v | 160a | 920 MV @ 160 a | 5 ma @ 100 v | |||||||||||||
![]() | 3EZ200D/TR8 | - | ![]() | 3957 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ200 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 152 v | 200 v | 875 옴 | ||||||||||||
![]() | 1N5337CE3/tr13 | - | ![]() | 7007 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5337 | 5 w | T-18 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1.2 v @ 1 a | 5 µa @ 1 v | 4.7 v | 2 옴 | |||||||||||||
![]() | 1 PMT5919CE3/TR13 | - | ![]() | 6148 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5919 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 3 v | 5.6 v | 2 옴 | |||||||||||||
![]() | 1N5381AE3/tr8 | - | ![]() | 3427 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5381 | 5 w | T-18 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 93.6 v | 130 v | 190 옴 | |||||||||||||
![]() | 2EZ190D5E3/TR12 | - | ![]() | 7462 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ190 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 144.8 v | 190 v | 825 옴 | |||||||||||||
![]() | MSDM200-16 | - | ![]() | 8372 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | M3-1 | 기준 | M3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.45 V @ 200 a | 500 µa @ 1600 v | 200a | 3 단계 | 1.6kV | ||||||||||||||
![]() | 2EZ130D5/TR12 | - | ![]() | 3075 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ130 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 98.8 v | 130 v | 400 옴 | ||||||||||||
![]() | 1N5942BG | 3.4050 | ![]() | 3079 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5942 | 1.25 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 38.8 v | 51 v | 70 옴 | ||||||||||||
![]() | 1N4732AP/TR12 | - | ![]() | 5630 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4732 | 1 W. | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 1 v | 4.7 v | 8 옴 | ||||||||||||
![]() | 3EZ14DE3/TR12 | - | ![]() | 1602 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ14 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 10.6 v | 14 v | 5 옴 | ||||||||||||
![]() | 2EZ3.9D2/TR8 | - | ![]() | 1303 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ3.9 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 30 µa @ 1 v | 3.9 v | 5 옴 | ||||||||||||
![]() | 1N5950cp/tr8 | - | ![]() | 6567 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5950 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 83.6 v | 110 v | 300 옴 | ||||||||||||
![]() | 1N5375B/TR8 | - | ![]() | 1753 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5375 | 5 w | T-18 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 59 v | 82 v | 64 옴 | ||||||||||||
![]() | LSM115J | - | ![]() | 2831 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214BA | LSM115 | Schottky | DO-214BA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 15 v | 220 MV @ 1 a | 10 ma @ 15 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||
![]() | 1N5914P/TR8 | - | ![]() | 2660 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5914 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 75 µa @ 1 v | 3.6 v | 9 옴 | ||||||||||||
![]() | 1N5950APE3/tr8 | - | ![]() | 2156 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5950 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 83.6 v | 110 v | 300 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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