SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SMBG4755AE3/TR13 Microsemi Corporation smbg4755ae3/tr13 -
RFQ
ECAD 2290 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4755 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 32.7 v 43 v 70 옴
1N4732PE3/TR8 Microsemi Corporation 1N4732PE3/TR8 -
RFQ
ECAD 9925 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4732 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.7 v 8 옴
3EZ30D10/TR8 Microsemi Corporation 3EZ30D10/TR8 -
RFQ
ECAD 1860 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ30 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 22.5 v 30 v 16 옴
MSDM100-18 Microsemi Corporation MSDM100-18 -
RFQ
ECAD 5950 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 M2-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1.9 v @ 300 a 500 µa @ 1800 v 100 a 3 단계 1.8 kV
1N5248A (DO-35) Microsemi Corporation 1N5248A (DO-35) -
RFQ
ECAD 9891 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5248 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 13.3 v 18 v 21 옴
1N4122 (DO35) Microsemi Corporation 1N4122 (DO35) -
RFQ
ECAD 1626 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4122 400MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 10 NA @ 27.38 v 36 v 200 옴
3EZ110D5/TR12 Microsemi Corporation 3EZ110D5/TR12 -
RFQ
ECAD 3819 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ110 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 83.6 v 110 v 225 옴
SK36BE3/TR13 Microsemi Corporation SK36BE3/TR13 -
RFQ
ECAD 2200 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SK36 Schottky SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
SK36AE3/TR13 Microsemi Corporation SK36AE3/TR13 -
RFQ
ECAD 1907 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SK36 Schottky SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
2EZ200D2E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ200D2E3/TR12 -
RFQ
ECAD 2443 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ200 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 152 v 200 v 900 옴
APT2X51DC120J Microsemi Corporation APT2X51DC120J -
RFQ
ECAD 1314 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT2X51 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky SOT-227 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 2 독립 1200 v 50a 1.8 V @ 50 a 0 ns 1 ma @ 1200 v
2EZ160D5 Microsemi Corporation 2EZ160D5 -
RFQ
ECAD 4534 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ160 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 121.6 v 160 v 650 옴
1N5954CPE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5954cpe3/tr12 -
RFQ
ECAD 8470 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5954 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 121.6 v 160 v 700 옴
1N5337E3/TR13 Microsemi Corporation 1N5337E3/tr13 -
RFQ
ECAD 2803 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5337 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,250 1.2 v @ 1 a 5 µa @ 1 v 4.7 v 2 옴
FST30100E3 Microsemi Corporation FST30100E3 -
RFQ
ECAD 1942 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 Schottky TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 15a 850 mV @ 15 a 500 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
1N4754 G Microsemi Corporation 1N4754 g -
RFQ
ECAD 9797 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4754 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 29.7 v 39 v 60 옴
1N5376BE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5376BE3/tr12 -
RFQ
ECAD 1565 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5376 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 63 v 87 v 75 옴
1N4732PE3/TR12 Microsemi Corporation 1N4732PE3/TR12 -
RFQ
ECAD 6111 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4732 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.7 v 8 옴
1N5338BE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5338be3/tr8 -
RFQ
ECAD 5800 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5338 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 1 v 5.1 v 1.5 옴
2EZ180D5/TR12 Microsemi Corporation 2EZ180D5/TR12 -
RFQ
ECAD 2586 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ180 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 136.8 v 180 v 725 옴
3EZ120D/TR12 Microsemi Corporation 3EZ120D/TR12 -
RFQ
ECAD 6651 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ120 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 91.2 v 120 v 300 옴
SMBG4749A/TR13 Microsemi Corporation SMBG4749A/TR13 -
RFQ
ECAD 6540 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4749 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 18.2 v 24 v 25 옴
SMAJ5947E3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ5947E3/TR13 -
RFQ
ECAD 7172 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ5947 3 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 62.2 v 82 v 160 옴
1PMT5918AE3/TR13 Microsemi Corporation 1 PMT5918AE3/TR13 -
RFQ
ECAD 3304 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5918 3 w DO-216AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.1 v 4 옴
1N5265B (DO-35) Microsemi Corporation 1N5265B (DO-35) -
RFQ
ECAD 6911 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5265 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 47 v 62 v 185 옴
APT50SCE120B Microsemi Corporation APT50SCE120B -
RFQ
ECAD 2482 0.00000000 Microsemi Corporation * 튜브 쓸모없는 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 30
1N4762PE3/TR12 Microsemi Corporation 1N4762PE3/TR12 -
RFQ
ECAD 7706 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4762 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 62.2 v 82 v 200 옴
JANTX1N4959DUS Microsemi Corporation jantx1n4959dus 32.2500
RFQ
ECAD 7427 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Mell, e 1N4959 5 w D-5B 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 10 µa @ 8.4 v 11 v 2.5 옴
2EZ56D5E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ56D5E3/TR12 -
RFQ
ECAD 1778 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ56 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 42.6 v 56 v 55 옴
1PMT5922AE3/TR13 Microsemi Corporation 1 PMT5922AE3/TR13 -
RFQ
ECAD 7611 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5922 3 w DO-216AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 6 v 7.5 v 3 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고