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다이오드(545)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 최대	공급업체 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	다이오드	전압 - 역방향(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	냄비에	냄비를 조건으로	Q@VR, F
BZX585-C5V1,115	-	보상요청	7528	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	SC-79, SOD-523			300mW	SOD-523	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.39.0001	1						1.1V @ 100mA		2V에서 2μA						5.1V	60옴
PZU27B,115	0.0300	보상요청	1401	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	SC-90, SOD-323F			310mW	SOD-323F	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PZU27B,115-954	EAR99	8541.10.0050	30						1.1V @ 100mA		50nA @ 21V						27V	40옴
BZX84-C2V7,215	0.0200	보상요청	48	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX84-C2V7,215-954		0000.00.0000	1						900mV @ 10mA		20μA @ 1V						2.7V	100옴
BZX84-B30,215	0.0200	보상요청	93	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±2%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX84-B30,215-954			1						900mV @ 10mA		50nA @ 21V						30V	80옴
BZV55-C3V3,115	-	보상요청	4298	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80			500mW	LLDS; 미니멜프	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV55-C3V3,115-954			1						900mV @ 10mA		1V에서 5μA						3.3V	95옴
BZX79-C4V7,143	0.0200	보상요청	170	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향			400mW	ALF2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX79-C4V7,143-954			1						900mV @ 10mA		3μA @ 2V						4.7V	80옴
BAS70-04W,115	-	보상요청	9472	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			표면 실장	SC-70, SOT-323		쇼트키		SC-70	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-BAS70-04W,115-954			1		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도	1쌍 직렬 연결	70V	70mA	1V @ 15mA		70V에서 10μA	150°C
1PS88SB82,115	-	보상요청	9512	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363		쇼트키		6-TSSOP	-				2156-1PS88SB82,115			1		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도		15V		700mV @ 30mA		200nA @ 1V	-65°C ~ 125°C
PMEG2010BELD,315	0.0500	보상요청	270	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			표면 실장	SOD-882		쇼트키		DFN1006-2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMEG2010BELD,315-954			1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)		20V		490mV @ 1A	1.6ns	20V에서 200μA	150°C(최대)	1A	40pF @ 1V, 1MHz
BZV55-B24,115	0.0200	보상요청	227	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%	-65°C ~ 200°C	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80			500mW	LLDS; 미니멜프	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV55-B24,115-954			1						900mV @ 10mA		16.8V에서 50nA						24V	70옴
BZX84J-C24,115	0.0300	보상요청	68	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	SC-90, SOD-323F			550mW	SOD-323F	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX84J-C24,115-954			11,823						1.1V @ 100mA		16.8V에서 50nA						24V	30옴
PMEG4005ESFYL	-	보상요청	2590	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			표면 실장	0201(0603미터법)		쇼트키		DSN0603-2	-				2156-PMEG4005ESFYL			1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)		40V		500mA에서 880mV	1.28ns	40V에서 6.5μA	150°C	500mA	17pF @ 1V, 1MHz
BZV85-C27,133	0.0400	보상요청	101	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	200°C	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향			1W	DO-41	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV85-C27,133-954			1						1V @ 50mA		19V에서 50nA						27V	40옴
BZX79-B62,133	-	보상요청	1934년	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향	BZX79-B62		400mW	ALF2	다운로드						0000.00.0000	1						900mV @ 10mA		43.4V에서 50nA						62V	215옴
BZX884-B10,315	0.0300	보상요청	322	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	SOD-882			250mW	DFN1006-2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX884-B10,315-954			1						900mV @ 10mA		200nA @ 7V						10V	10옴
PMEG150G20ELPX	-	보상요청	3493	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			표면 실장	SOD-128		기준		SOD-128/CFP5	-				2156-PMEG150G20ELPX			1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)		150V		850mV @ 2A	14ns	150V에서 30nA	175°C	2A	70pF @ 1V, 1MHz
BZX84-C6V2,235	0.0200	보상요청	120	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX84-C6V2,235-954			1						900mV @ 10mA		4V에서 3μA						6.2V	10옴
BZB984-C13,115	0.0400	보상요청	18	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-	표면 실장	SOT-663			265mW	SOT-663	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZB984-C13,115-954			1	1쌍 구역					900mV @ 10mA		100nA @ 8V						13V	10옴
BB208-02,135	-	보상요청	2082	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 125°C (TJ)	표면 실장	SC-79, SOD-523				SOD-523	-				2156-BB208-02,135			1											5.4pF @ 7.5V, 1MHz	하나의	10V			5.2	C1/C7.5	-
BZV55-B11,115	0.0200	보상요청	63	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%	-65°C ~ 200°C	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80			500mW	LLDS; 미니멜프	다운로드			REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV55-B11,115-954			1						900mV @ 10mA		100nA @ 8V						11V	20옴
BZX884-B2V7,315	-	보상요청	6297	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±2%	150°C (TJ)	표면 실장	SOD-882			250mW	DFN1006-2	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-BZX884-B2V7,315-954			1						900mV @ 10mA		20μA @ 1V						2.7V	100옴
TDZ4V7J,115	-	보상요청	1229	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TDZxJ	대부분	활동적인	±2%	-55°C ~ 150°C	표면 실장	SC-90, SOD-323F	TDZ4V7		500mW	SOD-323F	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-TDZ4V7J,115-954			1						1.1V @ 100mA		3μA @ 2V						4.7V	80옴
BZV90-C8V2,115	-	보상요청	2861	NXP 반도체	BZV90	대부분	활동적인	±5%	150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA			1.5W	SC-73	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-BZV90-C8V2,115-954			1						1V @ 50mA		700nA @ 5V						8.2V	15옴
BZT52H-C20,115	0.0200	보상요청	129	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 150°C(타)	표면 실장	SOD-123F	BZT52		375mW	SOD-123F	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZT52H-C20,115-954			1						900mV @ 10mA		14V에서 50nA						20V	20옴
BZV55-C24,115	0.0200	보상요청	173	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80			500mW	LLDS; 미니멜프	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV55-C24,115-954			1						900mV @ 10mA		50nA @ 700mV						24V	70옴
PMEG2005EGWX	-	보상요청	5456	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			표면 실장	SOD-123		쇼트키		SOD-123	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMEG2005EGWX-954	EAR99	8541.10.0070	1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)		20V		500mA에서 390mV		20V에서 200μA	150°C(최대)	500mA	66pF @ 1V, 1MHz
PZU12BA,115	-	보상요청	6428	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±5%	150°C (TJ)	표면 실장	SC-76, SOD-323			320mW	SOD-323	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-PZU12BA,115-954			1						1.1V @ 100mA		100nA @ 9V						12V	10옴
BZV55-B2V7,115	-	보상요청	7094	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%	-65°C ~ 200°C	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80			500mW	LLDS; 미니멜프	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV55-B2V7,115-954	EAR99	8541.10.0050	1						900mV @ 10mA		20μA @ 1V						2.7V	100옴
BZX79-C3V3,143	0.0200	보상요청	290	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향			400mW	ALF2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX79-C3V3,143-954			1						900mV @ 10mA		1V에서 5μA						3.3V	95옴
BYV29F-600,127	0.3700	보상요청	51	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			스루홀	TO-220-2		기준		TO-220AC	다운로드					EAR99	8541.10.0080	802		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)		600V		1.9V @ 8A	35ns	600V에서 50μA	150°C(최대)	9A	-

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드(545)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²