전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZB984-C3V3,115 | 0.0400 | ![]() | 5822 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | - | 표면 표면 | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZB984-C3V3,115-954 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 양극 양극 공통 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 1 v | 3.3 v | 85 옴 | |||||||||
![]() | BZX585-B3V0,115 | - | ![]() | 1500 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | 300MW | SOD-523 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZX585-B3V0,115-954 | 1 | 1.1 v @ 100 ma | 10 µa @ 1 v | 3 v | 95 옴 | ||||||||||||
![]() | PZU24B1,115 | 0.0300 | ![]() | 59 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SOD-323F | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-PZU24B1,115-954 | 1 | 1.1 v @ 100 ma | 50 na @ 19 v | 24 v | 30 옴 | ||||||||||||
![]() | PZU20B2,115 | 0.0300 | ![]() | 32 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SOD-323F | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-PZU20B2,115-954 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 100 ma | 50 na @ 15 v | 20 v | 20 옴 | ||||||||||
![]() | PZU22B2,115 | 0.0300 | ![]() | 32 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SOD-323F | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-PZU22B2,115-954 | 1 | 1.1 v @ 100 ma | 50 na @ 17 v | 22 v | 25 옴 | ||||||||||||
![]() | 1N4742A, 113 | - | ![]() | 1206 | 0.00000000 | nxp 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-1N4742A, 113-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C39,115 | 0.0200 | ![]() | 837 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | llds; 최소한 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZV55-C39,115-954 | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 27.3 v | 39 v | 130 옴 | |||||||||||
![]() | BZX79-C4V7,113 | 0.0200 | ![]() | 262 | 0.00000000 | nxp 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZX79-C4V7,113-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | TDZ8V2J, 115 | 0.0300 | ![]() | 28 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q101, TDZXJ | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | TDZ8V2 | 500MW | SOD-323F | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-TDZ8V2J, 115-954 | 10,414 | 1.1 v @ 100 ma | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 10 옴 | |||||||||||
![]() | BZB84-C15,215 | 1.0000 | ![]() | 6356 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | - | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | TO-236AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZB84-C15,215-954 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 양극 양극 공통 | 900 mV @ 10 ma | 50 na @ 10.5 v | 15 v | 30 옴 | |||||||||
![]() | BZX84-A20,215 | 0.1000 | ![]() | 127 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZX84-A20,215-954 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 50 na @ 14 v | 20 v | 55 옴 | ||||||||||
![]() | BZV55-B3V0,115 | 0.0200 | ![]() | 86 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | llds; 최소한 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZV55-B3V0,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 10 µa @ 1 v | 3 v | 95 옴 | ||||||||||||
![]() | PMEG045V050EPDAZ | 0.1600 | ![]() | 895 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | Schottky | CFP15 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-PMEG045V050EPDAZ-954 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 490 mV @ 5 a | 12 ns | 300 µa @ 45 v | 175 ° C (°) | 5a | 580pf @ 1v, 1MHz | ||||||||
![]() | PMEG4005EGWJ | - | ![]() | 1938 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-PMEG4005EGWJ-954 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 470 mV @ 500 mA | 100 µa @ 40 v | 150 ° C (°) | 500ma | 43pf @ 1v, 1MHz | |||||||||
![]() | 1PS66SB17,115 | 1.0000 | ![]() | 1033 | 0.00000000 | nxp 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 1ps66 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-1PS66SB17,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-B16,115 | 0.0300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZX84J-B16,115-954 | 10,051 | 1.1 v @ 100 ma | 50 NA @ 11.2 v | 16 v | 20 옴 | ||||||||||||
![]() | BZX84-B10,215 | 0.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZX84-B10,215-954 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 200 na @ 7 v | 10 v | 20 옴 | ||||||||||||
![]() | BZX79-C30,143 | 0.0200 | ![]() | 165 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 400MW | ALF2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZX79-C30,143-954 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 700 mV | 30 v | 80 옴 | ||||||||||||
![]() | PZU4.3B, 115 | 0.0300 | ![]() | 21 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SOD-323F | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-PZU4.3B, 115-954 | 1 | 1.1 v @ 100 ma | 3 µa @ 1 v | 4.3 v | 90 옴 | ||||||||||||
![]() | BZT52H-C68,115 | 0.0200 | ![]() | 181 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | 표면 표면 | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZT52H-C68,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 47.6 v | 68 v | 160 옴 | |||||||||||
![]() | BZX585-B7V5,115 | - | ![]() | 9498 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | 300MW | SOD-523 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZX585-B7V5,115-954 | 1 | 1.1 v @ 100 ma | 1 µa @ 5 v | 7.5 v | 10 옴 | ||||||||||||
![]() | BZX84-C3V6,215 | 0.0200 | ![]() | 554 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZX84-C3V6,215-954 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 1 v | 3.6 v | 90 옴 | ||||||||||||
![]() | BZX79-C36,113 | 0.0200 | ![]() | 209 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 400MW | ALF2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZX79-C36,113-954 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 50 na @ 25.2 v | 36 v | 90 옴 | ||||||||||
![]() | BAS35,215 | 0.0400 | ![]() | 60 | 0.00000000 | nxp 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BAS35,215-954 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-B30,215 | 0.0300 | ![]() | 80 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | - | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | TO-236AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZB84-B30,215-954 | 11,823 | 1 양극 양극 공통 | 900 mV @ 10 ma | 50 na @ 21 v | 30 v | 80 옴 | |||||||||||
![]() | BZX84J-B51,115 | - | ![]() | 1651 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZX84J-B51,115-954 | 1 | 1.1 v @ 100 ma | 50 na @ 35.7 v | 51 v | 110 옴 | ||||||||||||
![]() | BZT52H-C22,115 | 0.0200 | ![]() | 60 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | 표면 표면 | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZT52H-C22,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 15.4 v | 22 v | 25 옴 | |||||||||||
![]() | BZV55-B75,115 | - | ![]() | 5152 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | llds; 최소한 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZV55-B75,115-954 | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 52.5 v | 75 v | 255 옴 | |||||||||||
![]() | BLC6G27LS-100,118 | 563.3800 | ![]() | 100 | 0.00000000 | nxp 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BLC6G27LS-100,118-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C6V8,115 | 0.0200 | ![]() | 287 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | llds; 최소한 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZV55-C6V8,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 2 µa @ 4 v | 6.8 v | 15 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고