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다이오드(545)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 다이오드 전압 - 역방향(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 냄비에 냄비를 조건으로 Q@VR, F
1PS79SB31,115 NXP Semiconductors 1PS79SB31,115 -
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 ECAD 5059 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 SC-79, SOD-523 쇼트키 SOD-523 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-1PS79SB31,115-954 EAR99 8541.10.0070 1 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 30V 500mV @ 200mA 10V에서 30μA 125°C(최대) 200mA 25pF @ 1V, 1MHz
BZX84J-C68,115 NXP Semiconductors BZX84J-C68,115 0.0300
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 ECAD 30 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 550mW SOD-323F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84J-C68,115-954 11,823 1.1V @ 100mA 47.6V에서 50nA 68V 160옴
BZV85-C12,113 NXP Semiconductors BZV85-C12,113 0.0400
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 ECAD 19 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1W DO-41 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV85-C12,113-954 1 1V @ 50mA 200nA @ 8.4V 12V 10옴
NZX13A,133 NXP Semiconductors NZX13A,133 0.0200
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 ECAD 88 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -55°C ~ 175°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 500mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NZX13A,133-954 1 1.5V @ 200mA 100nA @ 8V 13V 35옴
PMEG4005EGWJ NXP Semiconductors PMEG4005EGWJ -
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 ECAD 1938년 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 실장 SOD-123 쇼트키 SOD-123 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMEG4005EGWJ-954 EAR99 8541.10.0070 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 470mV @ 500mA 40V에서 100μA 150°C(최대) 500mA 43pF @ 1V, 1MHz
BZX79-C5V6,143 NXP Semiconductors BZX79-C5V6,143 -
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 ECAD 5295 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 BZX79-C5V6 400mW ALF2 다운로드 0000.00.0000 1 900mV @ 10mA 1μA @ 2V 5.6V 40옴
NZH10C,115 NXP Semiconductors NZH10C,115 0.0200
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 ECAD 30 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±3% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-123F 500mW SOD-123F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NZH10C,115-954 1 900mV @ 10mA 200nA @ 7V 10V 8옴
BZX79-B75,133 NXP Semiconductors BZX79-B75,133 0.0200
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 ECAD 74 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-B75,133-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 52.5V 75V 255옴
BZX84-C27,215 NXP Semiconductors BZX84-C27,215 -
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 ECAD 2500 0.00000000 NXP 반도체 BZX84 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZX84-C27,215-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 18.9V 27V 80옴
BZV55-B11,135 NXP Semiconductors BZV55-B11,135 0.0200
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 ECAD 30 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-B11,135-954 1 900mV @ 10mA 100nA @ 8V 11V 20옴
1N4728A,113 NXP Semiconductors 1N4728A,113 0.0300
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 ECAD 258 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-1N4728A,113-954 1
BZX585-B7V5,115 NXP Semiconductors BZX585-B7V5,115 -
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 ECAD 9498 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-79, SOD-523 300mW SOD-523 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX585-B7V5,115-954 1 1.1V @ 100mA 5V에서 1μA 7.5V 10옴
BZX585-B51,115 NXP Semiconductors BZX585-B51,115 0.0300
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 ECAD 104 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-79, SOD-523 300mW SOD-523 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX585-B51,115-954 9,366 1.1V @ 100mA 50nA @ 35.7V 51V 180옴
BAS321115 NXP Semiconductors BAS321115 1.0000
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 ECAD 1886년 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.10.0070 1
BZX79-B9V1,133 NXP Semiconductors BZX79-B9V1,133 1.0000
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 ECAD 9762 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 BZX79-B9V1 400mW ALF2 다운로드 0000.00.0000 1 900mV @ 10mA 500nA @ 6V 9.1V 15옴
1N4744A,133 NXP Semiconductors 1N4744A,133 0.0400
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 ECAD 25 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1W DO-41 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-1N4744A,133-954 EAR99 8541.10.0050 1 1.2V @ 200mA 11.4V에서 5μA 15V 14옴
BZV90-C13,115 NXP Semiconductors BZV90-C13,115 0.1500
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 ECAD 4 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA 1.5W SOT-223 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV90-C13,115-954 1 1V @ 50mA 100nA @ 8V 13V 30옴
NZX14C,133 NXP Semiconductors NZX14C,133 0.0200
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 ECAD 100 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% 175°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 500mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NZX14C,133-954 1 1.5V @ 200mA 50nA @ 9.8V 14V 35옴
BZV85-C4V3,113 NXP Semiconductors BZV85-C4V3,113 0.0300
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 ECAD 30 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1.3W DO-41 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV85-C4V3,113-954 1 1V @ 50mA 1V에서 5μA 4.3V 13옴
1N4749A,133 NXP Semiconductors 1N4749A,133 0.0400
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 ECAD 57 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1W DO-41 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-1N4749A,133-954 1 1.2V @ 200mA 18.2V에서 5μA 24V 25옴
BZT52H-C6V2,115 NXP Semiconductors BZT52H-C6V2,115 0.0200
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 ECAD 41 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C(타) 표면 실장 SOD-123F BZT52 375mW SOD-123F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZT52H-C6V2,115-954 1 900mV @ 10mA 4V에서 3μA 6.2V 10옴
BZX384-B11,115 NXP Semiconductors BZX384-B11,115 -
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 ECAD 5376 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-76, SOD-323 BZX384 300mW SOD-323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX384-B11,115-954 1 1.1V @ 100mA 100nA @ 8V 11V 20옴
BZV55-B27,115 NXP Semiconductors BZV55-B27,115 0.0200
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 ECAD 125 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-B27,115-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 18.9V 27V 80옴
NZX16C,133 NXP Semiconductors NZX16C,133 0.0200
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 ECAD 26 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -55°C ~ 175°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 500mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NZX16C,133-954 1 1.5V @ 200mA 11.2V에서 50nA 16V 45옴
BZT52H-C30,115 NXP Semiconductors BZT52H-C30,115 0.0200
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 ECAD 157 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C(타) 표면 실장 SOD-123F BZT52 375mW SOD-123F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZT52H-C30,115-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 21V 30V 40옴
BB131,115 NXP Semiconductors BB131,115 0.1000
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 ECAD 12 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 125°C (TJ) 표면 실장 SC-76, SOD-323 SOD-323 다운로드 RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BB131,115 EAR99 8541.10.0070 1 1.055pF @ 28V, 1MHz 하나의 30V 16 C0.5/C28 -
BAV102,115 NXP Semiconductors BAV102,115 0.0300
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 ECAD 52 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 기준 LLDS; 미니멜프 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BAV102,115-954 11,357 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 150V 1.25V @ 200mA 50ns 150V에서 100nA 175°C(최대) 250mA 5pF @ 0V, 1MHz
BZX585-C2V7,135 NXP Semiconductors BZX585-C2V7,135 0.0300
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 ECAD 29 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-79, SOD-523 300mW SOD-523 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX585-C2V7,135-954 10,764 1.1V @ 100mA 20μA @ 1V 2.7V 100옴
BAS16,235 NXP Semiconductors BAS16,235 0.0200
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 ECAD 2 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101, BAS16 대부분 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 기준 TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BAS16,235-954 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 1.25V @ 150mA 4ns 500nA @ 80V 150°C(최대) 215mA 1.5pF @ 0V, 1MHz
BLC6G27LS-100,118 NXP Semiconductors BLC6G27LS-100,118 563.3800
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 ECAD 100 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BLC6G27LS-100,118-954 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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