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다이오드(545)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt)
BZB984-C3V6,115 NXP Semiconductors BZB984-C3V6,115 0.0400
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 ECAD 133 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% - 표면 실장 SOT-663 265mW SOT-663 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZB984-C3V6,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1쌍 구역 900mV @ 10mA 1V에서 5μA 3.6V 85옴
PMBD914,215 NXP Semiconductors PMBD914,215 0.0200
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 ECAD 191 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBD914 기준 TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMBD914,215-954 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 1.25V @ 150mA 4ns 75V에서 1μA 150°C(최대) 215mA 1.5pF @ 0V, 1MHz
BZV55-C3V6,115 NXP Semiconductors BZV55-C3V6,115 0.0200
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 ECAD 132 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-C3V6,115-954 1 900mV @ 10mA 1V에서 5μA 3.6V 90옴
BZX79-C3V3,143 NXP Semiconductors BZX79-C3V3,143 0.0200
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 ECAD 290 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-C3V3,143-954 1 900mV @ 10mA 1V에서 5μA 3.3V 95옴
PMBD7100,215 NXP Semiconductors PMBD7100,215 0.0200
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 ECAD 18 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMBD7100,215-954 1
BZX884-C18,315 NXP Semiconductors BZX884-C18,315 -
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 ECAD 7302 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-882 250mW DFN1006-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX884-C18,315-954 EAR99 8541.10.0070 1 900mV @ 10mA 12.6V에서 50nA 18V 45옴
BZV85-C16,113 NXP Semiconductors BZV85-C16,113 0.0300
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 ECAD 28 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1W DO-41 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV85-C16,113-954 1 1V @ 50mA 50nA @ 11V 16V 15옴
PMEG3005AESF,315 NXP Semiconductors PMEG3005AESF,315 -
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 ECAD 9404 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 PMEG3005 다운로드 EAR99 8541.10.0070 1
PZU7.5B3,115 NXP Semiconductors PZU7.5B3,115 0.0300
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 ECAD 33 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 310mW SOD-323F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PZU7.5B3,115-954 1 1.1V @ 100mA 500nA @ 4V 7.5V 10옴
BZX79-B11143 NXP Semiconductors BZX79-B11143 -
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 ECAD 4192 0.00000000 NXP 반도체 BZX79 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZX79-B11143-954 1 900mV @ 10mA 100nA @ 8V 11V 20옴
BZX884-B2V4,315 NXP Semiconductors BZX884-B2V4,315 -
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 ECAD 7880 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-882 250mW DFN1006-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX884-B2V4,315-954 1 900mV @ 10mA 50μA @ 1V 2.4V 100옴
BZT52H-B62,115 NXP Semiconductors BZT52H-B62,115 -
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 ECAD 3303 0.00000000 NXP 반도체 BZT52H 대부분 활동적인 ±1.94% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-123F 375mW SOD-123F - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZT52H-B62,115-954 1 900mV @ 10mA 43.4V에서 50nA 62V 140옴
BZB784-C11115 NXP Semiconductors BZB784-C11115 -
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 ECAD 3443 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 ±5% - 표면 실장 SC-70, SOT-323 180mW SOT-323 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1 1쌍 구역 900mV @ 10mA 100nA @ 8V 11V 20옴
BZX884-B68,315 NXP Semiconductors BZX884-B68,315 0.0300
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 ECAD 30 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-882 250mW DFN1006-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX884-B68,315-954 EAR99 8541.10.0070 1 900mV @ 10mA 47.6V에서 50nA 68V 240옴
PMEG2015EH,115 NXP Semiconductors PMEG2015EH,115 0.0500
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 ECAD 94 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 SOD-123F 쇼트키 SOD-123F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMEG2015EH,115-954 5,912 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 20V 660mV @ 1.5A 20V에서 70μA 150°C(최대) 1.5A 50pF @ 1V, 1MHz
PZU12BA,115 NXP Semiconductors PZU12BA,115 -
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 ECAD 6428 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-76, SOD-323 320mW SOD-323 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-PZU12BA,115-954 1 1.1V @ 100mA 100nA @ 9V 12V 10옴
BZV55-C20,135 NXP Semiconductors BZV55-C20,135 0.0200
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 ECAD 155 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 0000.00.0000 1 900mV @ 10mA 14V에서 50nA 20V 55옴
BZV49-C11,115 NXP Semiconductors BZV49-C11,115 -
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 ECAD 4934 0.00000000 NXP 반도체 BZV49 대부분 활동적인 ±5% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 1W SOT-89 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZV49-C11,115-954 1 1V @ 50mA 100nA @ 8V 11V 20옴
BZB84-C75,215 NXP Semiconductors BZB84-C75,215 0.0200
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 ECAD 510 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZB84-C75,215-954 1 1쌍 구역 900mV @ 10mA 50nA @ 52.5V 75V 255옴
BYV29F-600,127 NXP Semiconductors BYV29F-600,127 0.3700
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 ECAD 51 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-220-2 기준 TO-220AC 다운로드 EAR99 8541.10.0080 802 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 1.9V @ 8A 35ns 600V에서 50μA 150°C(최대) 9A -
BZV55-C30,115 NXP Semiconductors BZV55-C30,115 0.0200
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 ECAD 248 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-C30,115-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 21V 30V 80옴
BZV55-C30,135 NXP Semiconductors BZV55-C30,135 0.0200
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 ECAD 56 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-C30,135-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 21V 30V 80옴
BZT52H-B9V1,115 NXP Semiconductors BZT52H-B9V1,115 -
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 ECAD 2099 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C(타) 표면 실장 SOD-123F BZT52 375mW SOD-123F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZT52H-B9V1,115-954 1 900mV @ 10mA 500nA @ 6V 9.1V 10옴
BZX884-B10,315 NXP Semiconductors BZX884-B10,315 0.0300
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 ECAD 322 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-882 250mW DFN1006-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX884-B10,315-954 1 900mV @ 10mA 200nA @ 7V 10V 10옴
BZX79-B8V2113 NXP Semiconductors BZX79-B8V2113 1.0000
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 ECAD 6688 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BZX84J-C13,115 NXP Semiconductors BZX84J-C13,115 -
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 ECAD 5511 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F 550mW SC-90 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZX84J-C13,115-954 1 1.1V @ 100mA 100nA @ 8V 13V 10옴
BZV55-C24,115 NXP Semiconductors BZV55-C24,115 0.0200
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 ECAD 173 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-C24,115-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 700mV 24V 70옴
BZT52H-C20,115 NXP Semiconductors BZT52H-C20,115 0.0200
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 ECAD 129 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C(타) 표면 실장 SOD-123F BZT52 375mW SOD-123F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZT52H-C20,115-954 1 900mV @ 10mA 14V에서 50nA 20V 20옴
PMEG2005EGWX NXP Semiconductors PMEG2005EGWX -
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 ECAD 5456 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 실장 SOD-123 쇼트키 SOD-123 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMEG2005EGWX-954 EAR99 8541.10.0070 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 20V 500mA에서 390mV 20V에서 200μA 150°C(최대) 500mA 66pF @ 1V, 1MHz
PMEG3020CEP,115 NXP Semiconductors PMEG3020CEP,115 0.0900
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 ECAD 386 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 SOD-128 쇼트키 SOD-128/CFP5 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMEG3020CEP,115-954 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 420mV @ 2A 30V에서 1.5mA 150°C(최대) 2A 170pF @ 1V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

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