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다이오드(545)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt)
BZV49-C2V4,115 NXP Semiconductors BZV49-C2V4,115 0.1600
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 ECAD 8 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-243AA 1W SOT-89 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV49-C2V4,115-954 1 1V @ 50mA 50μA @ 1V 2.4V 100옴
PMEG4002AESFYL NXP Semiconductors PMEG4002AESFYL 0.0400
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 ECAD 1 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 0201(0603미터법) 쇼트키 DSN0603-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMEG4002AESFYL-954 EAR99 8541.10.0070 1 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 40V 525mV @ 200mA 1.25ns 40V에서 80μA 150°C(최대) 200mA 18pF @ 1V, 1MHz
BZX884-B5V1,315 NXP Semiconductors BZX884-B5V1,315 0.0300
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 ECAD 81 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-882 250mW DFN1006-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX884-B5V1,315-954 EAR99 8541.10.0070 1 900mV @ 10mA 2V에서 2μA 5.1V 60옴
BZX79-C4V7,113 NXP Semiconductors BZX79-C4V7,113 0.0200
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 ECAD 262 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-C4V7,113-954 1
BZV55-C24,135 NXP Semiconductors BZV55-C24,135 0.0200
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 ECAD 220 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-C24,135-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 700mV 24V 70옴
PZU8.2B2L,315 NXP Semiconductors PZU8.2B2L,315 -
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 ECAD 8532 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-882 PZU8.2 250mW DFN1006-2 다운로드 0000.00.0000 1 1.1V @ 100mA 500nA @ 5V 8.2V 10옴
TDZ3V3J,115 NXP Semiconductors TDZ3V3J,115 0.0300
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 ECAD 10 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101, TDZxJ 대부분 활동적인 ±2% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F TDZ3V3 500mW SOD-323F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-TDZ3V3J,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1.1V @ 100mA 1V에서 5μA 3.3V 95옴
PZU20BA,115 NXP Semiconductors PZU20BA,115 0.0200
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 ECAD 48 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-76, SOD-323 320mW SOD-323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PZU20BA,115-954 1 1.1V @ 100mA 50nA @ 15V 20V 20옴
PZU9.1BL,315 NXP Semiconductors PZU9.1BL,315 0.0300
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 ECAD 92 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-882 250mW DFN1006-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PZU9.1BL,315-954 1 1.1V @ 100mA 500nA @ 6V 9.1V 10옴
BZV85-C18,113 NXP Semiconductors BZV85-C18,113 0.0400
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 ECAD 23 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1.3W DO-41 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV85-C18,113-954 1 1V @ 50mA 12.5V에서 50nA 18V 20옴
BZV55-B5V1,115 NXP Semiconductors BZV55-B5V1,115 0.0200
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 ECAD 115 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-B5V1,115-954 1 900mV @ 10mA 2V에서 2μA 5.1V 60옴
BZX585-B43,115 NXP Semiconductors BZX585-B43,115 0.0300
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 ECAD 11 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-79, SOD-523 300mW SOD-523 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX585-B43,115-954 1 1.1V @ 100mA 50nA @ 30.1V 43V 150옴
BAP70-02/AX NXP Semiconductors BAP70-02/AX 0.2300
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 ECAD 66 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 - 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-BAP70-02/AX-954 1
BAS32L,135 NXP Semiconductors BAS32L,135 0.0200
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 ECAD 635 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 기준 LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BAS32L,135-954 1 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 75V 1V @ 100mA 4ns 75V에서 5μA 200°C(최대) 200mA 2pF @ 0V, 1MHz
BAS32L,115 NXP Semiconductors BAS32L,115 0.0200
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 ECAD 3 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 기준 LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BAS32L,115-954 1 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 75V 1V @ 100mA 4ns 75V에서 5μA 200°C(최대) 200mA 2pF @ 0V, 1MHz
BZX585-B20,115 NXP Semiconductors BZX585-B20,115 -
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 ECAD 2164 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-79, SOD-523 300mW SOD-523 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX585-B20,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1.1V @ 100mA 50nA @ 700mV 20V 55옴
BZX79-B10,133 NXP Semiconductors BZX79-B10,133 0.0200
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 ECAD 105 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-B10,133-954 1 900mV @ 10mA 200nA @ 7V 10V 20옴
BZV55-B3V9,115 NXP Semiconductors BZV55-B3V9,115 0.0200
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 ECAD 81 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-B3V9,115-954 EAR99 8541.10.0070 1 900mV @ 10mA 3μA @ 1V 3.9V 90옴
BZT52H-C68,115 NXP Semiconductors BZT52H-C68,115 0.0200
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 ECAD 181 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C(타) 표면 실장 SOD-123F BZT52 375mW SOD-123F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZT52H-C68,115-954 1 900mV @ 10mA 47.6V에서 50nA 68V 160옴
BZX84-C18,235 NXP Semiconductors BZX84-C18,235 0.0200
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 ECAD 124 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84-C18,235-954 1 900mV @ 10mA 12.6V에서 50nA 18V 45옴
TDZ8V2J,115 NXP Semiconductors TDZ8V2J,115 0.0300
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 ECAD 28 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101, TDZxJ 대부분 활동적인 ±2% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F TDZ8V2 500mW SOD-323F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-TDZ8V2J,115-954 10,414 1.1V @ 100mA 700nA @ 5V 8.2V 10옴
BZX84-C68,215 NXP Semiconductors BZX84-C68,215 0.0200
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 ECAD 104 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84-C68,215-954 1 900mV @ 10mA 47.6V에서 50nA 68V 240옴
BZX84J-B16,115 NXP Semiconductors BZX84J-B16,115 0.0300
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 ECAD 16 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F 550mW SOD-323F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84J-B16,115-954 10,051 1.1V @ 100mA 11.2V에서 50nA 16V 20옴
BZB84-C15,215 NXP Semiconductors BZB84-C15,215 1.0000
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 ECAD 6356 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZB84-C15,215-954 EAR99 8541.10.0050 1 1쌍 구역 900mV @ 10mA 10.5V에서 50nA 15V 30옴
BZX585-B3V0,115 NXP Semiconductors BZX585-B3V0,115 -
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 ECAD 1500 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-79, SOD-523 300mW SOD-523 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX585-B3V0,115-954 1 1.1V @ 100mA 10μA @ 1V 3V 95옴
BZX84J-B51,115 NXP Semiconductors BZX84J-B51,115 -
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 ECAD 1651년 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 550mW SOD-323F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84J-B51,115-954 1 1.1V @ 100mA 50nA @ 35.7V 51V 110옴
BAS16J,115 NXP Semiconductors BAS16J,115 -
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 ECAD 5125 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101, BAS16 대부분 활동적인 표면 실장 SC-90, SOD-323F BAS16 기준 SOD-323F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BAS16J,115-954 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 1.25V @ 150mA 4ns 500nA @ 80V 150°C(최대) 250mA 1.5pF @ 0V, 1MHz
1N4737A,133 NXP Semiconductors 1N4737A,133 -
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 ECAD 5624 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1N4737 1W DO-41 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1 1.2V @ 200mA 5V에서 10μA 7.5V 4옴
BZX585-C11,115 NXP Semiconductors BZX585-C11,115 -
보상요청
 ECAD 8989 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-79, SOD-523 300mW SOD-523 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX585-C11,115-954 1 1.1V @ 100mA 8V에서 100μA 11V 10옴
PMBD7100,215 NXP Semiconductors PMBD7100,215 0.0200
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 ECAD 18 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMBD7100,215-954 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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장바구니 목록 (0개 품목)
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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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