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다이오드(545)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt)
BZB84-B30,215 NXP Semiconductors BZB84-B30,215 0.0300
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 ECAD 80 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZB84-B30,215-954 11,823 1쌍 구역 900mV @ 10mA 50nA @ 21V 30V 80옴
BZX79-B5V6,113 NXP Semiconductors BZX79-B5V6,113 0.0200
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 ECAD 281 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-B5V6,113-954 1 900mV @ 10mA 1μA @ 2V 5.6V 40옴
NZX20B,133 NXP Semiconductors NZX20B,133 -
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 ECAD 3245 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -55°C ~ 175°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 NZX20 500mW ALF2 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1 1.5V @ 200mA 14V에서 50nA 20V 60옴
PDZ2.7B,115 NXP Semiconductors PDZ2.7B,115 -
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 ECAD 2481 0.00000000 NXP 반도체 PDZ-B 대부분 활동적인 ±2% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-76, SOD-323 400mW SOD-323 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-PDZ2.7B,115-954 1 1.1V @ 100mA 20μA @ 1V 2.7V 100옴
BZV55-C15,115 NXP Semiconductors BZV55-C15,115 1.0000
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 ECAD 1636년 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-C15,115-954 1 900mV @ 10mA 10.5V에서 50nA 15V 30옴
PZU24B2A,115 NXP Semiconductors PZU24B2A,115 1.0000
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 ECAD 3445 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-76, SOD-323 PZU24 320mW SOD-323 다운로드 0000.00.0000 1 1.1V @ 100mA 19V에서 50nA 24V 30옴
BZX79-C9V1,133 NXP Semiconductors BZX79-C9V1,133 0.0200
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 ECAD 290 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-C9V1,133-954 1 900mV @ 10mA 500nA @ 6V 9.1V 15옴
BZT52H-C12,115 NXP Semiconductors BZT52H-C12,115 0.0200
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 ECAD 27 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5.42% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-123F BZT52 375mW SOD-123F - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZT52H-C12,115-954 EAR99 8541.10.0070 1 900mV @ 10mA 100nA @ 8V 12V 10옴
PZU11B3,115 NXP Semiconductors PZU11B3,115 0.0300
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 ECAD 12 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 310mW SOD-323F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PZU11B3,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1.1V @ 100mA 100nA @ 8V 11V 10옴
BZX79-B12143 NXP Semiconductors BZX79-B12143 -
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 ECAD 4369 0.00000000 NXP 반도체 BZX79 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZX79-B12143-954 1 900mV @ 10mA 100nA @ 8V 12V 25옴
PMEG045V050EPDAZ NXP Semiconductors PMEG045V050EPDAZ 0.1600
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 ECAD 895 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 실장 TO-277, 3-PowerDFN 쇼트키 CFP15 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMEG045V050EPDAZ-954 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 45V 490mV @ 5A 12ns 45V에서 300μA 175°C(최대) 5A 580pF @ 1V, 1MHz
BZX84-C3V0,215 NXP Semiconductors BZX84-C3V0,215 0.0200
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 ECAD 177 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84-C3V0,215-954 1 900mV @ 10mA 10μA @ 1V 3V 95옴
BZX84J-C47,115 NXP Semiconductors BZX84J-C47,115 -
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 ECAD 9645 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 550mW SOD-323F 다운로드 0000.00.0000 1 1.1V @ 100mA 50nA @ 32.9V 47V 90옴
BZB984-C2V4,115 NXP Semiconductors BZB984-C2V4,115 1.0000
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 ECAD 2756 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% - 표면 실장 SOT-663 BZB984-C2V4 265mW SOT-663 다운로드 0000.00.0000 1 1쌍 구역 900mV @ 10mA 50μA @ 1V 2.4V 70옴
TDZ3V9J,115 NXP Semiconductors TDZ3V9J,115 -
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 ECAD 1496 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101, TDZxJ 대부분 활동적인 ±2.05% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F 500mW SC-90 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-TDZ3V9J,115-954 1 1.1V @ 100mA 3μA @ 1V 3.9V 90옴
BZX585-B20,115 NXP Semiconductors BZX585-B20,115 -
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 ECAD 2164 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-79, SOD-523 300mW SOD-523 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX585-B20,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1.1V @ 100mA 50nA @ 700mV 20V 55옴
PZU9.1B2A,115 NXP Semiconductors PZU9.1B2A,115 0.0300
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 ECAD 25 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-76, SOD-323 320mW SOD-323 다운로드 0000.00.0000 11,632 1.1V @ 100mA 500nA @ 6V 9.1V 10옴
BZX84J-C43115 NXP Semiconductors BZX84J-C43115 -
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 ECAD 7145 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F 550mW SC-90 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZX84J-C43115-954 1 1.1V @ 100mA 50nA @ 30.1V 43V 80옴
BZX884-B5V1,315 NXP Semiconductors BZX884-B5V1,315 0.0300
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 ECAD 81 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-882 250mW DFN1006-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX884-B5V1,315-954 EAR99 8541.10.0070 1 900mV @ 10mA 2V에서 2μA 5.1V 60옴
PZU8.2B2L,315 NXP Semiconductors PZU8.2B2L,315 -
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 ECAD 8532 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-882 PZU8.2 250mW DFN1006-2 다운로드 0000.00.0000 1 1.1V @ 100mA 500nA @ 5V 8.2V 10옴
PMEG4002AESFYL NXP Semiconductors PMEG4002AESFYL 0.0400
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 ECAD 1 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 0201(0603미터법) 쇼트키 DSN0603-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMEG4002AESFYL-954 EAR99 8541.10.0070 1 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 40V 525mV @ 200mA 1.25ns 40V에서 80μA 150°C(최대) 200mA 18pF @ 1V, 1MHz
BZX84J-B13,115 NXP Semiconductors BZX84J-B13,115 -
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 ECAD 1433 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 550mW SOD-323F 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84J-B13,115-954 1 1.1V @ 100mA 100nA @ 8V 13V 10옴
BZV55-C8V2,115 NXP Semiconductors BZV55-C8V2,115 0.0200
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 ECAD 1 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-C8V2,115-954 1 900mV @ 10mA 700nA @ 5V 8.2V 15옴
BZV85-C75,113 NXP Semiconductors BZV85-C75,113 0.0300
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 ECAD 103 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1.3W DO-41 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV85-C75,113-954 EAR99 8541.10.0050 1 1V @ 50mA 53V에서 50nA 75V 225옴
BZX79-C4V7,113 NXP Semiconductors BZX79-C4V7,113 0.0200
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 ECAD 262 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-C4V7,113-954 1
BAS40-07,215 NXP Semiconductors BAS40-07,215 0.0300
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 ECAD 178 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 BAS40 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BAS40-07,215-954 1
BZV85-C62,113 NXP Semiconductors BZV85-C62,113 0.0400
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 ECAD 55 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1.3W DO-41 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV85-C62,113-954 1 1V @ 50mA 43V에서 50nA 62V 175옴
BZV49-C2V4,115 NXP Semiconductors BZV49-C2V4,115 0.1600
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 ECAD 8 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-243AA 1W SOT-89 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV49-C2V4,115-954 1 1V @ 50mA 50μA @ 1V 2.4V 100옴
PZU3.9B2L,315 NXP Semiconductors PZU3.9B2L,315 -
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 ECAD 3873 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-882 PZU3.9 250mW DFN1006-2 다운로드 0000.00.0000 1 1.1V @ 100mA 3μA @ 1V 3.9V 90옴
BZV55-C6V8,115 NXP Semiconductors BZV55-C6V8,115 0.0200
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 ECAD 287 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-C6V8,115-954 1 900mV @ 10mA 2μA @ 4V 6.8V 15옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

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