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다이오드(545)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 현재 - 최대 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 다이오드 전압 - 역방향(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 저항 @ If, F
PZU4.3B,115 NXP Semiconductors PZU4.3B,115 0.0300
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 ECAD 21 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 310mW SOD-323F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PZU4.3B,115-954 1 1.1V @ 100mA 3μA @ 1V 4.3V 90옴
BZV90-C51,115 NXP Semiconductors BZV90-C51,115 -
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 ECAD 8346 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA 1.5W SOT-223 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1 1V @ 50mA 50nA @ 35.7V 51V 180옴
1PS79SB31,115 NXP Semiconductors 1PS79SB31,115 -
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 ECAD 5059 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 SC-79, SOD-523 쇼트키 SOD-523 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-1PS79SB31,115-954 EAR99 8541.10.0070 1 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 30V 500mV @ 200mA 10V에서 30μA 125°C(최대) 200mA 25pF @ 1V, 1MHz
PZU4.3B2A,115 NXP Semiconductors PZU4.3B2A,115 -
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 ECAD 7770 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-76, SOD-323 320mW SOD-323 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-PZU4.3B2A,115-954 1 1.1V @ 100mA 3μA @ 1V 4.3V 90옴
BZX84J-B11,115 NXP Semiconductors BZX84J-B11,115 1.0000
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 ECAD 7693 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 550mW SOD-323F 다운로드 0000.00.0000 1 1.1V @ 100mA 100nA @ 8V 11V 10옴
BZV55-B3V0,115 NXP Semiconductors BZV55-B3V0,115 0.0200
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 ECAD 86 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-B3V0,115-954 1 900mV @ 10mA 10μA @ 1V 3V 95옴
BZV55-B6V8,115 NXP Semiconductors BZV55-B6V8,115 0.0200
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 ECAD 67 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-B6V8,115-954 1 900mV @ 10mA 2μA @ 4V 6.8V 15옴
BZX884-C2V4315 NXP Semiconductors BZX884-C2V4315 -
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 ECAD 2439 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
1N914B NXP Semiconductors 1N914B -
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 ECAD 7402 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 기준 DO-35 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-1N914B-954 1 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 100V 1V @ 200mA 4ns 75V에서 5μA -65°C ~ 175°C 200mA 4pF @ 0V, 1MHz
BZX84-A27,215 NXP Semiconductors BZX84-A27,215 -
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 ECAD 1887년 0.00000000 NXP 반도체 BZX84 대부분 활동적인 ±1% -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZX84-A27,215-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 18.9V 27V 80옴
BAT54SW,115 NXP Semiconductors BAT54SW,115 0.0200
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 ECAD 21 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 BAT54 쇼트키 SOT-323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BAT54SW,115-954 EAR99 8541.10.0070 15,000 1쌍 직렬 연결 30V 200mA 800mV @ 100mA 150°C(최대)
BAW56W135 NXP Semiconductors BAW56W135 -
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 ECAD 7176 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 BAW56W 다운로드 0000.00.0000 1
TDZ5V6J135 NXP Semiconductors TDZ5V6J135 0.0300
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 ECAD 18 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101, TDZxJ 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±1.96% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F TDZ5V6 500mW SOD-323F - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-TDZ5V6J135 EAR99 8541.10.0050 10,414 1.1V @ 100mA 2.5V에서 10μA 5.6V 40옴
BAW56W,135 NXP Semiconductors BAW56W,135 0.0200
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 ECAD 210 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 BAW56 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BAW56W,135-954 EAR99 8541.10.0070 1
BZV55-B10,115 NXP Semiconductors BZV55-B10,115 0.0200
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 ECAD 351 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-B10,115-954 1 900mV @ 10mA 200nA @ 7V 10V 20옴
BZX84-B10,215 NXP Semiconductors BZX84-B10,215 0.0200
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 ECAD 1 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84-B10,215-954 1 900mV @ 10mA 200nA @ 7V 10V 20옴
BZX84-B24,215 NXP Semiconductors BZX84-B24,215 0.0200
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 ECAD 255 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84-B24,215-954 EAR99 8541.10.0050 1 900mV @ 10mA 16.8V에서 50nA 24V 70옴
1PS66SB17,115 NXP Semiconductors 1PS66SB17,115 1.0000
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 ECAD 1033 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 1PS66 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-1PS66SB17,115-954 1
BAS35,215 NXP Semiconductors BAS35,215 0.0400
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 ECAD 60 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BAS35,215-954 EAR99 8541.10.0070 1
BZX79-C36,113 NXP Semiconductors BZX79-C36,113 0.0200
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 ECAD 209 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-C36,113-954 EAR99 8541.10.0070 1 900mV @ 10mA 50nA @ 25.2V 36V 90옴
BZX79-C15,133 NXP Semiconductors BZX79-C15,133 0.0200
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 ECAD 244 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-C15,133-954 1 900mV @ 10mA 10.5V에서 50nA 15V 30옴
BZX84-C3V0,215 NXP Semiconductors BZX84-C3V0,215 0.0200
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 ECAD 177 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84-C3V0,215-954 1 900mV @ 10mA 10μA @ 1V 3V 95옴
BAP50-04W,115 NXP Semiconductors BAP50-04W,115 0.1100
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 ECAD 14 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 2-SMD, 무연 CS300 - 2156-BAP50-04W,115 2,645 50mA 240mW 0.5pF @ 5V, 1MHz 핀 - 인디 50V 5옴 @ 10mA, 100MHz
BZX79-C9V1,133 NXP Semiconductors BZX79-C9V1,133 0.0200
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 ECAD 290 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-C9V1,133-954 1 900mV @ 10mA 500nA @ 6V 9.1V 15옴
NZX10D,133 NXP Semiconductors NZX10D,133 0.0200
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 ECAD 110 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -55°C ~ 175°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 500mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NZX10D,133-954 1 1.5V @ 200mA 200nA @ 7V 10V 25옴
BZX84-A20,215 NXP Semiconductors BZX84-A20,215 0.1000
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 ECAD 127 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±1% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84-A20,215-954 EAR99 8541.10.0050 1 900mV @ 10mA 14V에서 50nA 20V 55옴
PZU4.7B2,115 NXP Semiconductors PZU4.7B2,115 -
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 ECAD 1077 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F 310mW SC-90 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-PZU4.7B2,115-954 1 1.1V @ 100mA 2μA @ 1V 4.7V 80옴
BAS16GW115 NXP Semiconductors BAS16GW115 1.0000
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 ECAD 6834 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 BAS16 다운로드 EAR99 8541.10.0070 1
BZX79-B8V2,143 NXP Semiconductors BZX79-B8V2,143 0.0200
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 ECAD 125 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-B8V2,143-954 1 900mV @ 10mA 700nA @ 5V 8.2V 15옴
BZV55-C39,115 NXP Semiconductors BZV55-C39,115 0.0200
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 ECAD 837 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-C39,115-954 0000.00.0000 1 900mV @ 10mA 50nA @ 27.3V 39V 130옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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