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다이오드(545)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 최대	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)
BZV85-C6V2,133	0.0400	보상요청	96	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향			1W	DO-41	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV85-C6V2,133-954			1				1V @ 50mA		2μA @ 3V				6.2V	4옴
BZX79-B2V7,143	0.0200	보상요청	80	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향			400mW	ALF2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX79-B2V7,143-954			1				900mV @ 10mA		20μA @ 1V				2.7V	100옴
BZV85-C8V2,133	0.0300	보상요청	66	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향			1.3W	DO-41	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV85-C8V2,133-954			1				1V @ 50mA		700nA @ 5V				8.2V	5옴
BZB784-C2V7,115	0.0300	보상요청	75	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-	표면 실장	SC-70, SOT-323			180mW	SOT-323	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZB784-C2V7,115-954	EAR99	8541.10.0050	1	1쌍 구역			900mV @ 10mA		20μA @ 1V				2.7V	100옴
BZV85-C43,133	-	보상요청	7382	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향			1.3W	DO-41	다운로드						0000.00.0000	1				1V @ 50mA		30V에서 50nA				43V	75옴
BZX79-C56,143	0.0200	보상요청	367	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향			400mW	ALF2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX79-C56,143-954			1				900mV @ 10mA		50nA @ 39.2V				56V	200옴
BAS40-04,215	0.0200	보상요청	2929	NXP 반도체	*	대부분	활동적인					BAS40				-		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BAS40-04,215-954			13,000
NZH9V1B,115	0.0200	보상요청	198	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%	-55°C ~ 150°C	표면 실장	SOD-123F			500mW	SOD-123F	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-NZH9V1B,115-954	EAR99	8541.10.0070	1				900mV @ 10mA		500nA @ 6V				9.1V	8옴
BZV55-C5V1,115	0.0200	보상요청	84	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80			500mW	LLDS; 미니멜프	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV55-C5V1,115-954			1				900mV @ 10mA		2V에서 2μA				5.1V	60옴
BZX84-C30,215	0.0200	보상요청	50	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX84-C30,215-954			1				900mV @ 10mA		50nA @ 21V				30V	80옴
PZU4.3B2,115	-	보상요청	2424	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±2%	150°C (TJ)	표면 실장	SC-90, SOD-323F			310mW	SC-90	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-PZU4.3B2,115-954			1				1.1V @ 100mA		3μA @ 1V				4.3V	90옴
PZU3.0B1,115	0.0300	보상요청	13	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±2%	150°C (TJ)	표면 실장	SC-90, SOD-323F			310mW	SOD-323F	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-PZU3.0B1,115-954	EAR99	8541.10.0050	1				1.1V @ 100mA		10μA @ 1V				3V	95옴
BZV55-C3V0,135	0.0200	보상요청	50	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80			500mW	LLDS; 미니멜프	다운로드			REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV55-C3V0,135-954			1				900mV @ 10mA		10μA @ 1V				3V	95옴
BZX84-A3V3,215	0.1100	보상요청	6	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±1%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX84-A3V3,215-954			1				900mV @ 10mA		1V에서 5μA				3.3V	95옴
RB521S30,115	-	보상요청	6894	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			표면 실장	SC-79, SOD-523		쇼트키		SOD-523	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-RB521S30,115-954			1		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도	30V	500mV @ 200mA		10V에서 30μA	150°C(최대)	200mA	25pF @ 1V, 1MHz
BZX79-B20133	-	보상요청	6562	NXP 반도체	BZX79	대부분	활동적인	±2%	-65°C ~ 200°C (TJ)	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향			400mW	ALF2	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-BZX79-B20133-954			1				900mV @ 10mA		14V에서 50nA				20V	55옴
BZV55-C75,115	0.0200	보상요청	55	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80			500mW	LLDS; 미니멜프	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV55-C75,115-954			1				900mV @ 10mA		50nA @ 52.5V				75V	255옴
PMEG045T150EPDAZ	0.3600	보상요청	92	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			표면 실장	TO-277, 3-PowerDFN		쇼트키		CFP15	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMEG045T150EPDAZ-954	EAR99	8541.10.0080	1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)	45V	550mV @ 15A	20ns	45V에서 100μA	175°C(최대)	15A	800pF @ 10V, 1MHz
BZV55-C2V4,115	0.0200	보상요청	5308	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80			500mW	LLDS; 미니멜프	다운로드			REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV55-C2V4,115-954			10,000				900mV @ 10mA		50μA @ 1V				2.4V	100옴
BZB84-B18,215	-	보상요청	4081	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%	-	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZB84-B18		300mW	TO-236AB	다운로드						0000.00.0000	1	1쌍 구역			900mV @ 10mA		12.6V에서 50nA				18V	45옴
BZT52H-C62,115	0.0200	보상요청	165	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 150°C(타)	표면 실장	SOD-123F	BZT52		375mW	SOD-123F	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZT52H-C62,115-954			1				900mV @ 10mA		43.4V에서 50nA				62V	140옴
BZX79-C11,143	0.0200	보상요청	295	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향			400mW	ALF2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX79-C11,143-954			1				900mV @ 10mA		100nA @ 8V				11V	20옴
BAS101,215	-	보상요청	9960	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		기준		TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BAS101,215-954			1		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도	300V	1.1V @ 100mA	50ns	250V에서 150nA	150°C(최대)	200mA	2pF @ 0V, 1MHz
BZT52H-C4V3,115	0.0200	보상요청	102	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 150°C(타)	표면 실장	SOD-123F	BZT52		375mW	SOD-123F	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZT52H-C4V3,115-954			1				900mV @ 10mA		3μA @ 1V				4.3V	95옴
BZX84-B20,215	-	보상요청	1267	NXP 반도체	BZX84	대부분	활동적인	±2%	-65°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250mW	TO-236AB	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-BZX84-B20,215-954			1				900mV @ 10mA		14V에서 50nA				20V	55옴
BZX79-C47,143	0.0200	보상요청	175	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향			400mW	ALF2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX79-C47,143-954			1				900mV @ 10mA		50nA @ 700mV				47V	170옴
BZV55-C11,115	0.0200	보상요청	284	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80			500mW	LLDS; 미니멜프	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV55-C11,115-954			1				900mV @ 10mA		100nA @ 8V				11V	20옴
BZV85-C6V8,133	0.0300	보상요청	5093	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향			1.3W	DO-41	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV85-C6V8,133-954			3,375				1V @ 50mA		2μA @ 4V				6.8V	3.5옴
BZT52-C33X	-	보상요청	9569	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, BZT52	대부분	활동적인	±6.06%	150°C (TJ)	표면 실장	SOD-123			350mW	SOD-123	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-BZT52-C33X-954			1				900mV @ 10mA		50nA @ 23.1V				33V	40옴
TDZ22J,115	0.0300	보상요청	42	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TDZxJ	대부분	활동적인	±2%	-55°C ~ 150°C	표면 실장	SC-90, SOD-323F	TDZ22		500mW	SOD-323F	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-TDZ22J,115-954			10,414				1.1V @ 100mA		15.4V에서 50nA				22V	25옴

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드(545)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²