| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX79-B20,143 | 0.0200 | ![]() | 215 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX79-B20,143-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 14V | 20V | 55옴 | |||||||||||||||
![]() | RB521S30,115 | - | ![]() | 6894 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SC-79, SOD-523 | 쇼트키 | SOD-523 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-RB521S30,115-954 | 1 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 30V | 500mV @ 200mA | 10V에서 30μA | 150°C(최대) | 200mA | 25pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | PZU10B2A,115 | - | ![]() | 1079 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | PZU10 | 320mW | SOD-323 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1V @ 100mA | 100nA @ 7V | 10V | 10옴 | ||||||||||||||||
![]() | BZV55-C3V0,135 | 0.0200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | LLDS; 미니멜프 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZV55-C3V0,135-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 10μA @ 1V | 3V | 95옴 | ||||||||||||||||
![]() | BZX384-B4V7,115 | - | ![]() | 3698 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300mW | SOD-323 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX384-B4V7,115-954 | 1 | 1.1V @ 100mA | 3μA @ 2V | 4.7V | 80옴 | ||||||||||||||
![]() | BZX84-A3V3,215 | 0.1100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ±1% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250mW | TO-236AB | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX84-A3V3,215-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 1V에서 5μA | 3.3V | 95옴 | |||||||||||||||
![]() | PZU3.3B2L,315 | 0.0300 | ![]() | 148 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-882 | 250mW | DFN1006-2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PZU3.3B2L,315-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,764 | 1.1V @ 100mA | 1V에서 5μA | 3.3V | 95옴 | |||||||||||||
![]() | BZV85-C22,133 | 0.0300 | ![]() | 60 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AL, DO-41, 축방향 | 1.3W | DO-41 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZV85-C22,133-954 | 1 | 1V @ 50mA | 15.5V에서 50nA | 22V | 25옴 | |||||||||||||||
![]() | BZV85-C13,133 | 0.0300 | ![]() | 123 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AL, DO-41, 축방향 | 1.3W | DO-41 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZV85-C13,133-954 | 1 | 1V @ 50mA | 200nA @ 9.1V | 13V | 10옴 | |||||||||||||||
![]() | BYR29X-600,127 | 0.5100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-2 풀팩 | 기준 | TO-220F | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 600V | 1.7V @ 8A | 75ns | 600V에서 10μA | 150°C(최대) | 8A | - | ||||||||||||||
![]() | BZX585-B3V6,115 | 0.0300 | ![]() | 162 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-79, SOD-523 | 300mW | SOD-523 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX585-B3V6,115-954 | 9,366 | 1.1V @ 100mA | 1V에서 5μA | 3.6V | 90옴 | |||||||||||||||
![]() | BZV85-C43,133 | - | ![]() | 7382 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AL, DO-41, 축방향 | 1.3W | DO-41 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 1V @ 50mA | 30V에서 50nA | 43V | 75옴 | |||||||||||||||||
![]() | PMEG2015EA115 | - | ![]() | 9032 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | 쇼트키 | SOD-323 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 20V | 660mV @ 1.5A | 15V에서 50μA | -65°C ~ 125°C | 1.5A | 25pF @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||
![]() | BAV99W,115 | - | ![]() | 2469 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101, BAV99 | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BAV99 | 기준 | SOT-323 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BAV99W,115-954 | 1 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 1쌍 직렬 연결 | 100V | 150mA(DC) | 1.25V @ 150mA | 4ns | 80V에서 500nA | 150°C(최대) | ||||||||||||
![]() | 1N4740A,133 | 0.0300 | ![]() | 83 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-1N4740A,133-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C51,215 | 1.0000 | ![]() | 2995년 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300mW | SOT-23 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 1쌍 구역 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 35.7V | 51V | 180옴 | ||||||||||||||||
![]() | BZX79-C56,113 | 0.0200 | ![]() | 400 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX79-C56,113-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 39.2V | 56V | 200옴 | |||||||||||||||
![]() | BZB84-B12,215 | - | ![]() | 2966 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300mW | SOT-23 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 1쌍 구역 | 900mV @ 10mA | 100nA @ 8V | 12V | 25옴 | ||||||||||||||||
![]() | BZX79-B43,133 | - | ![]() | 4691 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | BZX79-B43 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 30.1V | 43V | 150옴 | ||||||||||||||||
![]() | BZV90-C3V0,115 | 0.1500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | 1.5W | SOT-223 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZV90-C3V0,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1V @ 50mA | 10μA @ 1V | 3V | 95옴 | |||||||||||||
![]() | BZV55-B3V6,115 | 0.0200 | ![]() | 218 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | LLDS; 미니멜프 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZV55-B3V6,115-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 1V에서 5μA | 3.6V | 90옴 | |||||||||||||||
![]() | BZX884-C13,315 | - | ![]() | 7950 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-882 | BZX884-C13 | 250mW | DFN1006-2 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 900mV @ 10mA | 100nA @ 8V | 13V | 10옴 | ||||||||||||||||
![]() | BZX884-C4V3,315 | 0.0300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-882 | 250mW | DFN1006-2 | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX884-C4V3,315-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900mV @ 10mA | 3μA @ 1V | 4.3V | 90옴 | |||||||||||||
![]() | BZV90-C6V2,115 | 0.1600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | 1.5W | SOT-223 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZV90-C6V2,115-954 | 1 | 1V @ 50mA | 4V에서 3μA | 6.2V | 10옴 | |||||||||||||||
![]() | BZX79-C47,143 | 0.0200 | ![]() | 175 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX79-C47,143-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 700mV | 47V | 170옴 | |||||||||||||||
![]() | BZV55-C56,115 | 0.0200 | ![]() | 37 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | LLDS; 미니멜프 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZV55-C56,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 39.2V | 56V | 200옴 | |||||||||||||
![]() | BZV85-C6V8,133 | 0.0300 | ![]() | 5093 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AL, DO-41, 축방향 | 1.3W | DO-41 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZV85-C6V8,133-954 | 3,375 | 1V @ 50mA | 2μA @ 4V | 6.8V | 3.5옴 | |||||||||||||||
![]() | BZV55-C11,115 | 0.0200 | ![]() | 284 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | LLDS; 미니멜프 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZV55-C11,115-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 100nA @ 8V | 11V | 20옴 | |||||||||||||||
![]() | BZT52-C33X | - | ![]() | 9569 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101, BZT52 | 대부분 | 활동적인 | ±6.06% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOD-123 | 350mW | SOD-123 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-BZT52-C33X-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 23.1V | 33V | 40옴 | |||||||||||||||
![]() | TDZ22J,115 | 0.0300 | ![]() | 42 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101, TDZxJ | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-90, SOD-323F | TDZ22 | 500mW | SOD-323F | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-TDZ22J,115-954 | 10,414 | 1.1V @ 100mA | 15.4V에서 50nA | 22V | 25옴 |

일일 평균 견적 요청량

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