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다이오드(545)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 전류에 연결된 전압 - 역방향 잔류 @ Vr 전압에 에너지화된 전류 - 순방향(Vf)(최대) @ If
BZB84-C5V1,215 NXP Semiconductors BZB84-C5V1,215 -
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 ECAD 6129 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300mW TO-236AB - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZB84-C5V1,215-954 EAR99 8541.10.0070 1 1쌍 구역 900mV @ 10mA 5.1V 60옴
BZB784-C13,115 NXP Semiconductors BZB784-C13,115 0.0300
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 ECAD 69 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% - 표면 실장 SC-70, SOT-323 180mW SOT-323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZB784-C13,115-954 1 1쌍 구역 900mV @ 10mA 100nA @ 8V 13V 30옴
BZV55-B5V6,115 NXP Semiconductors BZV55-B5V6,115 0.0200
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 ECAD 547 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-B5V6,115-954 EAR99 8541.10.0070 1 900mV @ 10mA 1μA @ 2V 5.6V 40옴
BZX79-C43,113 NXP Semiconductors BZX79-C43,113 0.0200
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 ECAD 214 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-C43,113-954 EAR99 8541.10.0050 1 900mV @ 10mA 50nA @ 700mV 43V 150옴
BZX884-B24,315 NXP Semiconductors BZX884-B24,315 -
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 ECAD 1145 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-882 250mW DFN1006-2 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZX884-B24,315-954 1 900mV @ 10mA 16.8V에서 50nA 24V 70옴
PMEG6030ETPX NXP Semiconductors PMEG6030ETPX -
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 ECAD 2481 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 SOD-128 쇼트키 SOD-128/CFP5 - 2156-PMEG6030ETPX 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 530mV @ 3A 12ns 60V에서 200μA 175°C 3A 360pF @ 1V, 1MHz
NZX36A,133 NXP Semiconductors NZX36A,133 0.0200
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 ECAD 109 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -55°C ~ 175°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 500mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NZX36A,133-954 1 1.5V @ 200mA 50nA @ 25.2V 36V 140옴
MMBZ5263BLT1G NXP Semiconductors MMBZ5263BLT1G -
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 ECAD 9111 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225mW SOT-23-3(TO-236) - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-MMBZ5263BLT1G-954 1 900mV @ 10mA 43V에서 100nA 56V 150옴
BZV55-B12,115 NXP Semiconductors BZV55-B12,115 0.0200
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 ECAD 55 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-B12,115-954 1 900mV @ 10mA 100nA @ 8V 12V 25옴
PZU4.7B,115 NXP Semiconductors PZU4.7B,115 0.0300
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 ECAD 14 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F 310mW SOD-323F - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-PZU4.7B,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1.1V @ 100mA 2μA @ 1V 4.66V 80옴
BZV90-C30,115 NXP Semiconductors BZV90-C30,115 1.0000
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 ECAD 9642 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA BZV90-C30 1.5W SOT-223 다운로드 0000.00.0000 1 1V @ 50mA 50nA @ 21V 30V 80옴
BZX79-C10,133 NXP Semiconductors BZX79-C10,133 0.0200
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 ECAD 240 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-C10,133-954 1 900mV @ 10mA 200nA @ 7V 10V 20옴
PZU3.0B2,115 NXP Semiconductors PZU3.0B2,115 1.0000
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 ECAD 7015 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 310mW SOD-323F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PZU3.0B2,115-954 1 1.1V @ 100mA 10μA @ 1V 3V 95옴
BZX84-A6V8,215 NXP Semiconductors BZX84-A6V8,215 0.1000
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 ECAD 4414 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±1% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84-A6V8,215-954 2,785 900mV @ 10mA 2μA @ 4V 6.8V 15옴
BZX884-C33,315 NXP Semiconductors BZX884-C33,315 -
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 ECAD 8749 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-882 250mW DFN1006-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX884-C33,315-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 23.1V 33V 80옴
BZX884-B27315 NXP Semiconductors BZX884-B27315 0.0300
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 ECAD 479 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1
BZX84-C75,215 NXP Semiconductors BZX84-C75,215 0.0200
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 ECAD 209 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84-C75,215-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 52.5V 75V 255옴
BZX79-C16,133 NXP Semiconductors BZX79-C16,133 -
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 ECAD 3155 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 BZX79-C16 400mW ALF2 다운로드 0000.00.0000 1 900mV @ 10mA 11.2V에서 50nA 16V 40옴
BZV55-B3V3,115 NXP Semiconductors BZV55-B3V3,115 0.0200
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 ECAD 191 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-B3V3,115-954 1 900mV @ 10mA 1V에서 5μA 3.3V 95옴
BAW56,215 NXP Semiconductors BAW56,215 -
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 ECAD 2043년 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAW56 기준 SOT-23 다운로드 0000.00.0000 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍 구역 215mA(DC) 1.25 500 150°C(최대) 80 150
PMEG2002AESFB,315 NXP Semiconductors PMEG2002AESFB,315 -
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 ECAD 2666 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.10.0070 1
BZV85-C4V7,133 NXP Semiconductors BZV85-C4V7,133 0.0300
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 ECAD 62 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1.3W DO-41 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV85-C4V7,133-954 1 1V @ 50mA 3μA @ 1V 4.7V 13옴
PZU3.6B2L,315 NXP Semiconductors PZU3.6B2L,315 0.0300
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 ECAD 20 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-882 250mW DFN1006-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PZU3.6B2L,315-954 EAR99 8541.10.0050 9,947 1.1V @ 100mA 1V에서 5μA 3.6V 90옴
BZV85-C36,113 NXP Semiconductors BZV85-C36,113 0.0300
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 ECAD 152 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1.3W DO-41 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV85-C36,113-954 1 1V @ 50mA 50nA @ 25V 36V 50옴
BZX79-C5V6,133 NXP Semiconductors BZX79-C5V6,133 0.0200
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 ECAD 325 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-C5V6,133-954 1 900mV @ 10mA 1μA @ 2V 5.6V 40옴
BAV20,143 NXP Semiconductors BAV20,143 -
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 ECAD 6288 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 기준 ALF2 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BAV20,143-954 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 150V 1.25V @ 200mA 50ns 100nA @ 150V 175°C(최대) 250mA 5pF @ 0V, 1MHz
PZU20B2A,115 NXP Semiconductors PZU20B2A,115 -
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 ECAD 5308 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-76, SOD-323 320mW SOD-323 다운로드 0000.00.0000 1 1.1V @ 100mA 50nA @ 15V 20V 20옴
BZX384-B22,115 NXP Semiconductors BZX384-B22,115 -
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 ECAD 4745 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-76, SOD-323 BZX384 300mW SOD-323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX384-B22,115-954 1 1.1V @ 100mA 15.4V에서 50nA 22V 55옴
NZH20C,115 NXP Semiconductors NZH20C,115 0.0200
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 ECAD 15 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±3% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-123F 500mW SOD-123F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NZH20C,115-954 1 900mV @ 10mA 40nA @ 15V 20V 28옴
BZX84-B4V7,215 NXP Semiconductors BZX84-B4V7,215 0.0200
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 ECAD 74 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84-B4V7,215-954 1 900mV @ 10mA 3μA @ 2V 4.7V 80옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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