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다이오드(545)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt)
BZV85-C10,133 NXP Semiconductors BZV85-C10,133 0.0400
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 ECAD 98 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1.3W DO-41 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV85-C10,133-954 1 1V @ 50mA 200nA @ 7V 10V 8옴
BZX84J-B62,115 NXP Semiconductors BZX84J-B62,115 0.0300
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 ECAD 59 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 550mW SOD-323F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84J-B62,115-954 1 1.1V @ 100mA 43.4V에서 50nA 62V 140옴
PMEG045V050EPDZ NXP Semiconductors PMEG045V050EPDZ 0.1700
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 ECAD 9 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 실장 TO-277, 3-PowerDFN 쇼트키 CFP15 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMEG045V050EPDZ-954 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 45V 490mV @ 5A 19ns 45V에서 300μA 175°C(최대) 5A 580pF @ 1V, 1MHz
BZX884-B10315 NXP Semiconductors BZX884-B10315 -
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 ECAD 6947 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BZX79-C24,113 NXP Semiconductors BZX79-C24,113 0.0200
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 ECAD 350 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-C24,113-954 EAR99 8541.10.0070 1 900mV @ 10mA 16.8V에서 50nA 24V 70옴
NZX6V2C133 NXP Semiconductors NZX6V2C133 -
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 ECAD 8589 0.00000000 NXP 반도체 NZX 대부분 활동적인 ±2.42% 175°C (TJ) 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 500mW ALF2 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-NZX6V2C133-954 1 1.5V @ 200mA 4V에서 3μA 6.15V 15옴
BZV85-C36,133 NXP Semiconductors BZV85-C36,133 -
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 ECAD 3634 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 BZV85-C36 1.3W DO-41 다운로드 0000.00.0000 1 1V @ 50mA 50nA @ 25V 36V 50옴
TDZ16J,115 NXP Semiconductors TDZ16J,115 -
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 ECAD 4263 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101, TDZxJ 대부분 활동적인 ±1.88% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F 500mW SC-90 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-TDZ16J,115-954 1 1.1V @ 100mA 11.2V에서 50nA 16V 20옴
BZX84-A43,215 NXP Semiconductors BZX84-A43,215 0.1100
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 ECAD 95 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±1% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84-A43,215-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 30.1V 43V 150옴
PZU3.0B2A,115 NXP Semiconductors PZU3.0B2A,115 -
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 ECAD 1522 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-76, SOD-323 320mW SOD-323 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-PZU3.0B2A,115-954 1 1.1V @ 100mA 10μA @ 1V 3V 95옴
MMBD4148,215 NXP Semiconductors MMBD4148,215 -
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 ECAD 6158 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 기준 TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-MMBD4148,215-954 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 75V 1.25V @ 150mA 4ns 75V에서 500nA 150°C(최대) 215mA 1.5pF @ 0V, 1MHz
PMEG6010ESBC,315 NXP Semiconductors PMEG6010ESBC,315 0.0300
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 ECAD 30 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 PMEG6010 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMEG6010ESBC,315-954 1
BZV85-C3V6,133 NXP Semiconductors BZV85-C3V6,133 0.0300
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 ECAD 30 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1.3W DO-41 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV85-C3V6,133-954 1 1V @ 50mA 50μA @ 1V 3.6V 15옴
TDZ5V6J/ZL,135 NXP Semiconductors TDZ5V6J/ZL,135 0.0300
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 ECAD 1 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101, TDZxJ 대부분 활동적인 ±2% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F TDZ5V6 500mW SOD-323F 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-TDZ5V6J/ZL,135-954 1 1.1V @ 100mA 2.5V에서 10μA 5.6V 40옴
BZT52H-B2V4,115 NXP Semiconductors BZT52H-B2V4,115 0.0200
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 ECAD 19 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C(타) 표면 실장 SOD-123F BZT52 375mW SOD-123F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZT52H-B2V4,115-954 1 900mV @ 10mA 50μA @ 1V 2.4V 85옴
PMEG4020EP,115 NXP Semiconductors PMEG4020EP,115 0.0900
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 ECAD 21 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 SOD-128 쇼트키 SOD-128/CFP5 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMEG4020EP,115-954 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 490mV @ 2A 40V에서 100μA 150°C(최대) 2A 95pF @ 10V, 1MHz
BZX79-B47133 NXP Semiconductors BZX79-B47133 0.0200
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 ECAD 30 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1
BZV55-B5V1,135 NXP Semiconductors BZV55-B5V1,135 -
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 ECAD 7200 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 0000.00.0000 1 900mV @ 10mA 2V에서 2μA 5.1V 60옴
PMEG2015EH,115 NXP Semiconductors PMEG2015EH,115 0.0500
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 ECAD 94 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 SOD-123F 쇼트키 SOD-123F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMEG2015EH,115-954 5,912 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 20V 660mV @ 1.5A 20V에서 70μA 150°C(최대) 1.5A 50pF @ 1V, 1MHz
BZX79-B5V1,133 NXP Semiconductors BZX79-B5V1,133 0.0200
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 ECAD 139 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-B5V1,133-954 1 900mV @ 10mA 2V에서 2μA 5.1V 60옴
PZU2.4BL,315 NXP Semiconductors PZU2.4BL,315 -
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 ECAD 6739 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-882 250mW DFN1006-2 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-PZU2.4BL,315-954 1 1.1V @ 100mA 50μA @ 1V 2.4V 100옴
BZX884-B51,315 NXP Semiconductors BZX884-B51,315 0.0300
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 ECAD 149 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-882 250mW DFN1006-2 다운로드 0000.00.0000 9,648 900mV @ 10mA 50nA @ 35.7V 51V 180옴
BAS56,215 NXP Semiconductors 바스56,215 0.0300
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 ECAD 6825 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BAS56,215-954 EAR99 8541.10.0070 3,780
BZX84J-B68,115 NXP Semiconductors BZX84J-B68,115 1.0000
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 ECAD 9101 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F BZX84J-B68 550mW SOD-323F 다운로드 0000.00.0000 1 1.1V @ 100mA 47.6V에서 50nA 68V 160옴
BZV55-C20,135 NXP Semiconductors BZV55-C20,135 0.0200
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 ECAD 155 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 0000.00.0000 1 900mV @ 10mA 14V에서 50nA 20V 55옴
BZX79-C62,113 NXP Semiconductors BZX79-C62,113 0.0200
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 ECAD 429 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-C62,113-954 1 900mV @ 10mA 43.4V에서 50nA 62V 215옴
BZV55-B33,115 NXP Semiconductors BZV55-B33,115 0.0200
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 ECAD 207 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-B33,115-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 23.1V 33V 80옴
BZB84-B9V1,215 NXP Semiconductors BZB84-B9V1,215 -
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 ECAD 6918 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300mW TO-236AB - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZB84-B9V1,215-954 1 900mV @ 10mA 500nA @ 6V 9.1V 15옴
BZV55-B5V6,115 NXP Semiconductors BZV55-B5V6,115 0.0200
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 ECAD 547 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-B5V6,115-954 EAR99 8541.10.0070 1 900mV @ 10mA 1μA @ 2V 5.6V 40옴
BZB784-C13,115 NXP Semiconductors BZB784-C13,115 0.0300
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 ECAD 69 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% - 표면 실장 SC-70, SOT-323 180mW SOT-323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZB784-C13,115-954 1 1쌍 구역 900mV @ 10mA 100nA @ 8V 13V 30옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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장바구니 목록 (0개 품목)
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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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