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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N5360BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5360BT/r 0.1100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5360BT/RTR 8541.10.0000 3,000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 19 v 25 v 4 옴
1N4007C.B.O. EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4007C.BO 0.1300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-1n4007c.bo 5,000 1000 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
1N4001 EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4001 0.0240
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-1N4001 1,000 50 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
1N748AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N748AT/r 0.0300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n748AT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
BYD13MBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BYD13MBULK 0.2100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 눈사태 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BYD13MBULK 8541.10.0000 500 1000 v 1.05 V @ 1 a 1 µa @ 1000 v 175 ° C 1.4a -
BR2504W EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2504W 2.5800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-50W 기준 BR-50W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR2504W 8541.10.0000 50 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 400 v 25 a 단일 단일 400 v
1N4737ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4737Bulk 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4737377Bulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 5 v 7.5 v 4 옴
1N4748A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4748A 0.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4748AT 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 16.7 v 22 v 23 옴
1N5818BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5818BULK 0.2100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 Schottky DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5818Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 1 ma @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
BYD13KBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. byd13kbulk 0.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 눈사태 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-byd13kbulk 8541.10.0000 500 800 v 1.05 V @ 1 a 1 µa @ 800 v 175 ° C 1.4a -
RBV2504 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2504 1.7000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV2504 8541.10.0000 100 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 400 v 25 a 단일 단일 400 v
RBV2502D EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2502D 1.7400
RFQ
ECAD 100 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV2502D 8541.10.0000 100 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 200 v 25 a 단일 단일 200 v
1N5923BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5923BT/r 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5923BT/RTR 8541.10.0000 5,000 5 µa @ 6.5 v 8.2 v 3.5 옴
1N4742A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4742A 0.0510
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n4742at 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 9.1 v 12 v 9 옴
1N5350BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5350BBULK 0.3600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5350bbulk 귀 99 8541.10.0050 500 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 9.9 v 13 v 2.5 옴
1N5380BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5380bbulk 0.3800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5380bbulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 91.2 v 120 v 170 옴
HER103BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER103BULK 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-Her103Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.1 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
1N5245BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5245BT/r 0.0400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5245BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 11 v 15 v 16 옴
FR155T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR155T/R 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-FR155T/RTR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.4 V @ 1.5 a 250 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A 25pf @ 4V, 1MHz
DR206T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. dr206t/r 0.0600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-DR206T/RTR 8541.10.0000 3,000 600 v 1 V @ 2 a 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A 75pf @ 4V, 1MHz
SS1D EIC SEMICONDUCTOR INC. SS1D 0.1300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-SS1DTR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
1N5361BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5361BBULK 0.3800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5361bbulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 20.6 v 27 v 5 옴
1N4739AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4739AT/r 0.0800
RFQ
ECAD 25 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4739AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 7 v 9.1 v 5 옴
1N756AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N756AT/r 0.0300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N756AT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 8.2 v 8 옴
1N4758AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4758AT/r 0.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4758AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 42.6 v 56 v 110 옴
RGP02-16E-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. RGP02-16E-T/R 0.1600
RFQ
ECAD 100 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RGP02-16E-T/RTR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1600 v 1.8 v @ 100 ma 300 ns 5 µa @ 1600 v -65 ° C ~ 150 ° C 500ma 5pf @ 4V, 1MHz
10A05 EIC SEMICONDUCTOR INC. 10A05 0.2900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 D-6, 축, 기준 D6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-10A05TR 800 600 v 1 V @ 10 a 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A 80pf @ 4V, 1MHz
SB390-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. SB390-Bulk 0.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-SB390-Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 790 MV @ 3 a 500 µA @ 500 µV -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
1N4742AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4742AT/r 0.0510
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4742AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 9.1 v 12 v 9 옴
Z1180-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Z1180-T/R 0.0800
RFQ
ECAD 30 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-Z1180-T/RTR 8541.10.0000 10,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 136.8 v 180 v 1200 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고