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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
FR102BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR102BULK 0.2100
RFQ
ECAD 38 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-fr102bulk 8541.10.0000 600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
HER101T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER101T/R 0.0500
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-her101t/rtr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.1 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
1N5241BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5241BT/r 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5241BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 8.4 v 11 v 22 옴
HER302BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER302BULK 0.2400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-Her302Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.1 v @ 3 a 50 ns 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
1N4753ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4753ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4753ABULK 8541.10.0000 1,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 27.4 v 36 v 50 옴
1N5402T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5402T/R 0.0800
RFQ
ECAD 21 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5402T/rtr 8541.10.0000 1,250 200 v 950 MV @ 3 a 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
SF28-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. SF28-T/R 0.1600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-SF28-T/RTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 4 V @ 2 a 35 ns 20 µa @ 800 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1MHz
1N4731ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4731ABULK 0.1300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-1N4731ABULK 1,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.3 v 9 옴
AR2502 EIC SEMICONDUCTOR INC. AR2502 0.2800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. 자동차 가방 활동적인 표면 표면 마이크로드 마이크로드 기준 마이크로드 마이크로드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-AR2502 8541.10.0000 500 200 v 1 V @ 25 a 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
1N4753AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4753AT/r 0.0600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4753AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 27.4 v 36 v 50 옴
DR204T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. DR204T/R 0.0600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-DR204T/RTR 8541.10.0000 3,000 400 v 1 V @ 2 a 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A 75pf @ 4V, 1MHz
1N4732ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4732ABULK 0.1200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-1N4732Abulk 1,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.7 v 8 옴
1N4751A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4751A 0.1800
RFQ
ECAD 29 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4751A 8541.10.0000 1,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 22.8 v 30 v 40
1N5400BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5400Bulk 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5400bulk 8541.10.0000 500 50 v 950 MV @ 3 a 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
1N5243BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5243BT/r 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5243BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 13 옴
1N4004T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4004T/R 0.0230
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-1N4004T/RTR 5,000 400 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
1N5392T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5392T/R 0.0400
RFQ
ECAD 60 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5392t/rtr 8541.10.0000 5,000 100 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
1N748ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N748ABULK 0.2100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N748ABULK 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
1N4738 EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4738 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n4738tr 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 6 v 8.2 v 4.5 옴
1N5359A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5359A 0.1330
RFQ
ECAD 6 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 - Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5359atr 8541.10.0000 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 17.3 v 24 v 3.5 옴
1N4005BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4005BULK 0.1300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-1n4005bulk 1,000 600 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
1N4728ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4728ABULK 0.1500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-1N4728ABULK 1,000 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.3 v 10 옴
1N5396BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5396Bulk 0.1800
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5396Bulk 8541.10.0000 500 500 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 500 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
1N4738ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4738ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4738ABULK 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 6 v 8.2 v 4.5 옴
1N5397T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5397T/R 0.0400
RFQ
ECAD 55 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5397T/RTR 8541.10.0000 5,000 600 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
1N4934BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4934BULK 0.1800
RFQ
ECAD 90 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4934Bulk 8541.10.0000 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
1N5400T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5400T/R 0.0900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5400t/rtr 8541.10.0000 1,250 50 v 950 MV @ 3 a 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
1N4756A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4756A 0.1800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4756A 8541.10.0000 1,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 35.8 v 47 v 80 옴
1N5253BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5253bbulk 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5253bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 19 v 25 v 35 옴
1N5238BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5238bbulk 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5238bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 6.5 v 8.7 v 8 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고