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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FR301BULK | 0.2100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-fr301bulk | 8541.10.0000 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 1.3 v @ 3 a | 150 ns | 10 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | 1N5360B | 0.1150 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 상자 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 5 w | DO-15 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n5360b | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 19 v | 25 v | 4 옴 | |||||||||||
![]() | 1N4004Bulk | 0.0900 | ![]() | 38 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 기준 | DO-41 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2439-1N4004Bulk | 1,000 | 짐 | 400 v | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | 1N4755AT/r | 0.0600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1N4755AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 32.7 v | 43 v | 70 옴 | |||||||||||
![]() | BR3504 | 2.6900 | ![]() | 300 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 4- 스퀘어, BR-50 | 기준 | BR-50 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-BR3504 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 v @ 17.5 a | 10 µa @ 400 v | 35 a | 단일 단일 | 400 v | |||||||||||
![]() | 1N5251BBULK | 0.1800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n5251bbulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 17 v | 22 v | 29 옴 | |||||||||||
![]() | 1N5239bbulk | 0.1800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n5239bbulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 v @ 200 ma | 3 µa @ 7 v | 9.1 v | 10 옴 | |||||||||||
![]() | 1N755ABULK | 0.2100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1N755ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 1 v | 7.5 v | 6 옴 | |||||||||||
![]() | BR5008 | 2.9900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 4- 스퀘어, BR-50 | 기준 | BR-50 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-BR5008 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 v @ 25 a | 10 µa @ 800 v | 50 a | 단일 단일 | 800 v | |||||||||||
![]() | 1N5354bbulk | 0.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 5 w | DO-15 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n5354Bulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 12.9 v | 17 v | 2.5 옴 | |||||||||||
![]() | 1N4758AT/r | 0.0600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1N4758AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 42.6 v | 56 v | 110 옴 | |||||||||||
![]() | BR2504W | 2.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, BR-50W | 기준 | BR-50W | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-BR2504W | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 v @ 12.5 a | 10 µa @ 400 v | 25 a | 단일 단일 | 400 v | |||||||||||
![]() | FR205T/R | 0.0800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 기준 | DO-15 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-FR205T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.3 V @ 2 a | 250 ns | 10 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | 1N5358A | 0.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 5 w | DO-15 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n5358a | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 15.8 v | 22 v | 3.5 옴 | |||||||||||
![]() | RBV1001 | 1.2400 | ![]() | 400 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, RBV-25 | 기준 | RBV-25 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2439-RBV1001 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 5 a | 10 µa @ 100 v | 10 a | 단일 단일 | 100 v | ||||||||||
![]() | BA159BULK | 0.2100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-BA159BULK | 8541.10.0000 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.3 v @ 1 a | 250 ns | 5 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | 1N5391Bulk | 0.1800 | ![]() | 19 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n5391Bulk | 8541.10.0000 | 500 | 짐 | 50 v | 1.1 v @ 1.5 a | 5 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1N5233BT/r | 0.0400 | ![]() | 20 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1N5233BT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 3.5 v | 6 v | 7 옴 | |||||||||||
![]() | 1N4737Bulk | 0.1800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1N4737377Bulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 5 v | 7.5 v | 4 옴 | |||||||||||
![]() | 1N4734ABULK | 0.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n4734ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 2 v | 5.6 v | 5 옴 | |||||||||||
![]() | 1N4749A | 0.1800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n4749a | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 18.2 v | 24 v | 25 옴 | |||||||||||
![]() | FR307BULK | 0.2400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-fr307bulk | 8541.10.0000 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.3 v @ 3 a | 500 ns | 10 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | 1N5250bbulk | 0.1800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n5250bbulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 15 v | 20 v | 25 옴 | |||||||||||
![]() | HER105BULK | 0.2400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-Her105Bulk | 8541.10.0000 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.1 v @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | 1N756ABULK | 0.2100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1N756ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 1 v | 8.2 v | 8 옴 | |||||||||||
![]() | 1N754ABULK | 0.2100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1N754ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 1 v | 6.8 v | 5 옴 | |||||||||||
![]() | SN13 | 0.0420 | ![]() | 50 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 기준 | SMA (DO-214AC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-SN13TR | 8541.10.0000 | 10,000 | 짐 | 1300 v | 1 V @ 1 a | 2 µs | 2 µa @ 1300 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | 1N4734AT/r | 0.0650 | ![]() | 15 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n4734at/rtr | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 2 v | 5.6 v | 5 옴 | |||||||||||
![]() | 1N4741AT/r | 0.0600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1N4741AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 8.4 v | 11 v | 8 옴 | |||||||||||
![]() | 1N4733AG | 0.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1N4733AG | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 1 v | 5.1 v | 7 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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