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다이오드 (453)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
1N4005T/R	0.0300	RFQ	75	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2439-1N4005T/RTR		5,000	짐	600 v	1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N4007C.BO	0.1300	RFQ	5	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2439-1n4007c.bo		5,000	짐	1000 v	1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N4001	0.0240	RFQ	10	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2439-1N4001		1,000	짐	50 v	1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
BYD13MBULK	0.2100	RFQ	5	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		눈사태		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-BYD13MBULK	8541.10.0000	500	짐	1000 v	1.05 V @ 1 a		1 µa @ 1000 v	175 ° C	1.4a	-
1N4746A	0.1000	RFQ	3	EIC 반도체 inc.	-	상자	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N4746A	8541.10.0000	1,000			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 13.7 v						18 v	20 옴
1N5360BT/r	0.1100	RFQ	3	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향			5 w	DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N5360BT/RTR	8541.10.0000	3,000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 19 v						25 v	4 옴
1N4744AT/r	0.0650	RFQ	100	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1n4744at/rtr	8541.10.0000	5,000			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 11.4 v						15 v	14 옴
1N5393	0.1800	RFQ	60	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1n5393	8541.10.0000	500	짐	200 v	1.1 v @ 1.5 a		5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5A	15pf @ 4V, 1MHz
FR307T/R	0.1600	RFQ	7	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-fr307t/rtr	8541.10.0000	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1000 v	1.3 v @ 3 a	500 ns	10 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
1N756ABULK	0.2100	RFQ	4	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N756ABULK	8541.10.0000	500			1.2 v @ 200 ma		100 na @ 1 v						8.2 v	8 옴
1N4148T/R	0.0130	RFQ	350	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4148	기준		DO-35	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2439-1N4148T/RTR		5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	75 v	1 V @ 10 ma	4 ns	5 µa @ 75 v	175 ° C	150ma	-
HER506T/R	0.2800	RFQ	15	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-her506t/rtr	8541.10.0000	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	600 v	1.7 V @ 5 a	75 ns	10 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
1N4006T/R	0.0300	RFQ	35	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2439-1n4006t/rtr		5,000	짐	800 v	1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
FR205T/R	0.0800	RFQ	9	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-FR205T/RTR	8541.10.0000	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	600 v	1.3 V @ 2 a	250 ns	10 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	15pf @ 4V, 1MHz
RGP02-20E- 볼크	0.2900	RFQ	3	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2439-RGP02-20E- 볼크	8541.10.0000	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	2000 v	1.8 v @ 100 ma	300 ns	5 µa @ 2000 v	-65 ° C ~ 150 ° C	500ma	5pf @ 4V, 1MHz
BR802	0.9100	RFQ	1	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, BR-10		기준		BR-10	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-BR802	8541.10.0000	200			1 V @ 4 a		10 µa @ 200 v		8 a		단일 단일	200 v
1N748AT/r	0.0300	RFQ	10	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1n748AT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v						3.9 v	23 옴
1N4007	0.1300	RFQ	17	EIC 반도체 inc.	-	상자	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N4007	8541.10.0000	1,000	짐	1000 v	1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N47333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333 왜 왜 왜 왜 왜 수 허 허 운전 집어 집어 보이었다서서서서들은 무익화 보인다들은 보인다들은	0.1800	RFQ	4	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N473333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333IOUDAY 3333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333 왜 왜 왜 왜 초 초 추가 E439-	8541.10.0000	500			1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v						5.1 v	7 옴
1N4744T/R	0.0400	RFQ	15	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N4744T/RTR	8541.10.0000	5,000			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 11.4 v						15 v	14 옴
1N5391T/R	0.0400	RFQ	25	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N5391T/RTR	8541.10.0000	5,000	짐	50 v	1.1 v @ 1.5 a		5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5A	15pf @ 4V, 1MHz
1N4741T/R	0.0600	RFQ	10	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N4741T/RTR	8541.10.0000	5,000			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 8.4 v						11 v	8 옴
byv26e	0.2100	RFQ	1	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		눈사태		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-Byv26E	8541.10.0000	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1000 v	2.5 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
1N4737Bulk	0.1800	RFQ	3	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N4737377Bulk	8541.10.0000	500			1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 5 v						7.5 v	4 옴
BR2504W	2.5800	RFQ	1	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, BR-50W		기준		BR-50W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-BR2504W	8541.10.0000	50			1.1 v @ 12.5 a		10 µa @ 400 v		25 a		단일 단일	400 v
gn2mt/r	0.1100	RFQ	3	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		기준		SMA (DO-214AC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-GN2MT/RTR	8541.10.0000	3,000	짐	1000 v	1 V @ 2 a		5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	75pf @ 4V, 1MHz
1N5818BULK	0.2100	RFQ	4	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		Schottky		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1n5818Bulk	8541.10.0000	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	30 v	550 mV @ 1 a		1 ma @ 30 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
1N5923BT/r	0.0500	RFQ	10	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N5923BT/RTR	8541.10.0000	5,000					5 µa @ 6.5 v						8.2 v	3.5 옴
FR207BULK	0.2800	RFQ	3	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-FR207BULK	8541.10.0000	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1000 v	1.3 V @ 2 a	500 ns	10 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	15pf @ 4V, 1MHz
FR101T/R	0.0400	RFQ	35	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-FR101T/RTR	8541.10.0000	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	50 v	1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (453)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²