다이오드 (453)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BR1000	0.9400	RFQ	1	EIC 반도체 inc.	-	가방	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, BR-10	기준		BR-10	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-BR1000	8541.10.0000	200			1.1 v @ 5 a		10 µa @ 50 v		10 a		단일 단일	50 v
1N914T/R	0.0300	RFQ	10	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	기준		DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2439-1N914T/RTR	8541.10.0000	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	75 v	1 V @ 10 ma	4 ns	5 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 175 ° C	75MA	4pf @ 0V, 1MHz
1N4728AT/r	0.0500	RFQ	10	EIC 반도체 inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		1 W.	DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2439-1N4728AT/RTR		5,000			1.2 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v						3.3 v	10 옴

2000+