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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N4733BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4733Bulk 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4733Bulk 8541.10.0000 1,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
KBL400 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBL400 1.0000
RFQ
ECAD 900 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-KBL400 8541.10.0000 100 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 50 v 4 a 단일 단일 50 v
FR304T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR304T/R 0.1300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-FR304T/RTR 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
FR306BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR306BULK 0.2100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-fr306bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 10 µa @ 800 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
BR1010 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1010 1.1700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-10 기준 BR-10 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-Br1010 8541.10.0000 200 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 1000 v 10 a 단일 단일 1kv
1N5927BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5927BT/r 0.1300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5927BT/RTR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 9.1 v 12 v 6.5 옴
1N5251BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5251BT/R 0.0400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5251BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 17 v 22 v 29 옴
1N4728AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4728AT/r 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-1N4728AT/RTR 5,000 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.3 v 10 옴
RBV2506 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2506 2.0600
RFQ
ECAD 100 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV2506 8541.10.0000 100 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
1N4757AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4757AT/r 0.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4757AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 38.8 v 51 v 95 옴
1N5256BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5256BT/r 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5256BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 23 v 30 v 49 옴
1N5358BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5358bbulk 0.3800
RFQ
ECAD 500 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5358bbulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 16.7 v 22 v 3.5 옴
1N5245BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5245bbulk 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5245bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 11 v 15 v 16 옴
1N5395BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5395BULK 0.1800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5395Bulk 8541.10.0000 500 400 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
1N746ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N746ABULK 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n746Abulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 3.3 v 28 옴
1N5923BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5923BBULK 0.1600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5923bbulk 8541.10.0000 500 5 µa @ 6.5 v 8.2 v 3.5 옴
1N4972 EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4972 0.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4972 8541.10.0000 1,000 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 29.7 v 39 v 14 옴
1N4738A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4738A 0.0500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 상자 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4738A 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 6 v 8.2 v 4.5 옴
1N5394BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5394Bulk 0.1800
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5394Bulk 8541.10.0000 500 300 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
1N5236BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5236BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5236bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 6 v 7.5 v 6 옴
1N5223BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5223BT/r 0.0400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5223BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 2.7 v 30 옴
1N4746ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4746ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4746ABULK 8541.10.0000 1,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 13.7 v 18 v 20 옴
BYD13DBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BYD13dbulk 0.2100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 눈사태 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-byd13dbulk 8541.10.0000 500 200 v 1.05 V @ 1 a 1 µa @ 200 v 175 ° C 1.4a -
1N5396T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5396T/R 0.0400
RFQ
ECAD 40 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5396t/rtr 8541.10.0000 5,000 500 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 500 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
1N5244BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5244bbulk 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5244bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 10 v 14 v 15 옴
SR1R EIC SEMICONDUCTOR INC. SR1R 0.2500
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-sr1rtr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2000 v 3 v @ 500 ma 200 ns 5 µa @ 2000 v -40 ° C ~ 150 ° C 500ma 5pf @ 4V, 1MHz
1N5225BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5225bbulk 0.1800
RFQ
ECAD 500 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5225bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 50 µa @ 1 v 3 v 29 옴
HER304BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER304BULK 0.2500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-Her304Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.1 v @ 3 a 50 ns 10 µa @ 300 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
1N5357BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5357bbulk 0.3800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5357bbulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 15.2 v 20 v 3 옴
MR850BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. mr850bulk 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-mr850bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.25 V @ 3 a 150 ns 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고