- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
다이오드 (453)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mr850bulk | 0.2100 |  | 1 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-mr850bulk | 8541.10.0000 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 1.25 V @ 3 a | 150 ns | 10 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | SF56-- | 0.6700 | | 3 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2439-SF56- 볼크 | 8541.10.0000 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.7 V @ 5 a | 35 ns | 10 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 5a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
| 1N5357bbulk | 0.3800 | | 12 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 5 w | DO-15 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n5357bbulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 15.2 v | 20 v | 3 옴 | |||||||||||
 | 1N5256BBULK | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n5256bbulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 23 v | 30 v | 49 옴 | |||||||||||
| MURA110 | 0.8500 | | 4 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 기준 | SMA (DO-214AC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-Mura110 | 8541.10.0000 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 875 mv @ 1 a | 30 ns | 2 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | |||||||||
| 1N5932BT/r | 0.0500 | | 20 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1N5932BT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µa @ 15.2 v | 20 v | 14 옴 | ||||||||||||
| BZX55C18T/R | 0.0300 | | 5 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-BZX55C18T/RTR | 8541.10.0000 | 500 | 1 v @ 100 ma | 100 na @ 13 v | 18 v | 50 옴 | |||||||||||
| 1N5260BBULK | 0.1800 | | 5 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n5260bbulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 33 v | 43 v | 93 옴 | |||||||||||
| 1N5361AT/r | 0.1500 | | 7 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 5 w | DO-15 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n5361at/rtr | 8541.10.0000 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 19.4 v | 27 v | 5 옴 | |||||||||||
| 1N5230bbulk | 0.1800 | | 3 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n5230bbulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 2 v | 4.7 v | 19 옴 | |||||||||||
| BR2504 | 2.9600 | | 650 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 4- 스퀘어, BR-50 | 기준 | BR-50 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-BR2504 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 v @ 12.5 a | 10 µa @ 400 v | 25 a | 단일 단일 | 400 v | |||||||||||
| 1N752AT/r | 0.0300 | | 10 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1N752AT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 1 v | 5.6 v | 11 옴 | |||||||||||
| BR3506 | 3.1300 | | 1 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 4- 스퀘어, BR-50 | 기준 | BR-50 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-BR3506 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 v @ 17.5 a | 10 µa @ 600 v | 35 a | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||
| 1N4739ABULK | 0.1800 | | 3 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n473999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999까지까지합니다 경우 | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 7 v | 9.1 v | 5 옴 | |||||||||||
| BR3501 | 2.6900 | | 1 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 4- 스퀘어, BR-50 | 기준 | BR-50 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-BR3501 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 v @ 17.5 a | 10 µa @ 100 v | 35 a | 단일 단일 | 100 v | |||||||||||
| 1N5393T/r | 0.0400 | | 15 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n5393T/rtr | 8541.10.0000 | 5,000 | 짐 | 200 v | 1.1 v @ 1.5 a | 5 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N5232bbulk | 0.1800 | | 2 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n5232bbulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 3 v | 5.6 v | 11 옴 | |||||||||||
| 1N4750A | 0.1800 | | 11 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1N4750A | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 20.6 v | 27 v | 35 옴 | |||||||||||
| 1N5377bbulk | 0.3800 | | 1 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 5 w | DO-15 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n5377bbulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 69.2 v | 91 v | 75 옴 | |||||||||||
| 1N5255bbulk | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n5255bbulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 21 v | 28 v | 44 옴 | |||||||||||
| 1N4732AG | 0.1800 | | 1 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n4732Ag | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 1 v | 4.7 v | 8 옴 | |||||||||||
| 1N4736Bulk | 0.2000 | | 10 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1N4736Bulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 4 v | 6.8 v | 3.5 옴 | |||||||||||
| 1N5915bbulk | 0.2500 | | 5 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n5915bbulk | 8541.10.0000 | 500 | 25 µa @ 1 v | 3.9 v | 7.5 옴 | ||||||||||||
| BR806 | 0.9100 | | 2 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, BR-10 | 기준 | BR-10 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-BR806 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V @ 4 a | 10 µa @ 600 v | 8 a | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||
| 1N4736AT/r | 0.0500 | | 10 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1N4736AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 4 v | 6.8 v | 3.5 옴 | |||||||||||
| fkbl406mbulk | 1.8500 | | 900 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, KBL | 기준 | KBL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-fkbl406mbulk | 8541.10.0000 | 50 | 1.4 v @ 4 a | 10 µa @ 600 v | 4 a | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||
| 1N5396T/R | 0.0400 | | 40 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n5396t/rtr | 8541.10.0000 | 5,000 | 짐 | 500 v | 1.1 v @ 1.5 a | 5 µa @ 500 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N4007W | 0.0670 | | 2547 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 기준 | DO-41 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1n4007wtr | 8541.10.0000 | 3,000 | 짐 | 1000 v | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| BR1000 | 0.9400 | | 1 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, BR-10 | 기준 | BR-10 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-BR1000 | 8541.10.0000 | 200 | 1.1 v @ 5 a | 10 µa @ 50 v | 10 a | 단일 단일 | 50 v | |||||||||||
| 1N4758ABULK | 0.1800 | | 10 | 0.00000000 | EIC 반도체 inc. | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2439-1N4758Bulk | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 42.6 v | 56 v | 110 옴 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)