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다이오드 (453)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
2EZ15D5BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 2EZ15D5BULK 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-2EZ15D5BULK 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 11.4 v 15 v 7 옴
SR1R EIC SEMICONDUCTOR INC. SR1R 0.2500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-sr1rtr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2000 v 3 v @ 500 ma 200 ns 5 µa @ 2000 v -40 ° C ~ 150 ° C 500ma 5pf @ 4V, 1MHz
RM11A-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. rm11a-- 0.1900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 d-2, 방향 축 기준 D2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-rm11a-bulk 8541.10.0000 500 짐 600 v 920 MV @ 1.5 a 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.2A 30pf @ 4V, 1MHz
FR304BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR304BULK 0.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-fr304bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
HER104T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER104T/R 0.0600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-her104t/rtr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.1 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 300 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
FR105T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR105T/R 0.0400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-fr105t/rtr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
1N5240BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5240BT/r 0.0400
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5240BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 8 v 10 v 17 옴
1N5396T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5396T/R 0.0400
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5396t/rtr 8541.10.0000 5,000 짐 500 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 500 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
1N5248BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5248bbulk 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5248bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 14 v 18 v 21 옴
1N4736AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4736AT/r 0.0500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4736AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 4 v 6.8 v 3.5 옴
FKBL406MBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. fkbl406mbulk 1.8500
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-fkbl406mbulk 8541.10.0000 50 1.4 v @ 4 a 10 µa @ 600 v 4 a 단일 단일 600 v
HER104BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER104BULK 0.2400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-Her104Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.1 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 300 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
BR606 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR606 0.7600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-6 기준 BR-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR606 8541.10.0000 200 1 V @ 3 a 10 µa @ 600 v 6 a 단일 단일 600 v
1N5401BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5401Bulk 0.1800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5401Bulk 8541.10.0000 500 짐 100 v 950 MV @ 3 a 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
RBV2510 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2510 2.3100
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV2510 8541.10.0000 100 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 1000 v 25 a 단일 단일 1kv
BR806 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR806 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-10 기준 BR-10 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR806 8541.10.0000 200 1 V @ 4 a 10 µa @ 600 v 8 a 단일 단일 600 v
HER304BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER304BULK 0.2500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-Her304Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.1 v @ 3 a 50 ns 10 µa @ 300 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
1N4750A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4750A 0.1800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4750A 8541.10.0000 1,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 20.6 v 27 v 35 옴
1N5360BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5360bbulk 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5360bbulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 1 a 500 na @ 19 v 25 v 4 옴
BY299BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. by299bulk 0.2300
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-by299bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 V @ 2 a 250 ns 10 µa @ 800 v -50 ° C ~ 125 ° C 2A 28pf @ 4V, 1MHz
1N5357BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5357bbulk 0.3800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5357bbulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 15.2 v 20 v 3 옴
SF56-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. SF56-- 0.6700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-SF56- 볼크 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.7 V @ 5 a 35 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
HER303BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER303BULK 0.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-Her303Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.1 v @ 3 a 50 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
SZ6015 EIC SEMICONDUCTOR INC. SZ6015 0.1052
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-sz6015tr 8541.10.0000 3,000 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 10.8 v 15 v 2.5 옴
BR3506 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3506 3.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-50 기준 BR-50 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR3506 8541.10.0000 50 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 600 v 35 a 단일 단일 600 v
BR3501 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3501 2.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-50 기준 BR-50 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR3501 8541.10.0000 50 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 100 v 35 a 단일 단일 100 v
1N4739ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4739ABULK 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n473999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999까지까지합니다 경우 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 7 v 9.1 v 5 옴
1N752AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N752AT/r 0.0300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N752AT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 1 v 5.6 v 11 옴
BR2504 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2504 2.9600
RFQ
 ECAD 650 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, BR-50 기준 BR-50 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR2504 8541.10.0000 50 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 400 v 25 a 단일 단일 400 v
MURA110 EIC SEMICONDUCTOR INC. MURA110 0.8500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-Mura110 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 875 mv @ 1 a 30 ns 2 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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