SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N5399T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5399t/r 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5399t/rtr 8541.10.0000 5,000 1000 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
1N5406BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5406Bulk 0.1800
RFQ
ECAD 26 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5406Bulk 8541.10.0000 500 600 v 950 MV @ 3 a 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
1N4735ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4735ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4735ABULK 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 3 v 6.2 v 2 옴
1N4755AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4755AT/r 0.0600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4755AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 32.7 v 43 v 70 옴
1N4756AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4756AT/r 0.0600
RFQ
ECAD 30 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4756AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 35.8 v 47 v 80 옴
1N5936BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5936BT/r 0.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5936BT/RTR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 22.8 v 30 v 26 옴
1N5228BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5228BT/r 0.0400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5228BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
1N5251BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5251BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5251bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 17 v 22 v 29 옴
1N5353BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5353bbulk 0.3900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5353bbulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 12.2 v 16 v 2.5 옴
1N5247BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5247BT/r 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N5247BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 13 v 17 v 19 옴
FR303T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR303T/R 0.1300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-FR303T/RTR 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1N4734ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4734ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n4734ABULK 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 2 v 5.6 v 5 옴
BA159BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BA159BULK 0.2100
RFQ
ECAD 17 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BA159BULK 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
BR600 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR600 0.7300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-6 기준 BR-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-BR600 8541.10.0000 200 1 V @ 3 a 10 µa @ 50 v 6 a 단일 단일 50 v
KBP206 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBP206 0.8500
RFQ
ECAD 19 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP 기준 KBP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-KBP206 8541.10.0000 100 1 V @ 1 a 10 µa @ 600 v 2 a 단일 단일 600 v
1N4733AG EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4733AG 0.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4733AG 8541.10.0000 1,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
RBV2508 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2508 1.7400
RFQ
ECAD 700 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RBV-25 기준 RBV-25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2439-RBV2508 8541.10.0000 100 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 800 v 25 a 단일 단일 800 v
MR854T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. MR854T/R 0.1100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-mr854t/rtr 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 3 a 150 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
1N4749AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4749AT/r 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4749AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 18.2 v 24 v 25 옴
1N5363BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5363bbulk 0.4100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5363bbulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 22.8 v 30 v 8 옴
1N5360B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5360B 0.1150
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 상자 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 - Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5360b 8541.10.0000 500 1.2 v @ 1 a 500 na @ 19 v 25 v 4 옴
1N4745A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4745A 0.5750
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n4745at 8541.10.0000 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 12.2 v 16 v 16 옴
1N5229BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5229bbulk 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n529bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 22 옴
1N5380BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5380bbulk 0.3800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 5 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5380bbulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 91.2 v 120 v 170 옴
HER103BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER103BULK 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-Her103Bulk 8541.10.0000 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.1 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
1N4732T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4732T/R 0.0900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n4732t/rtr 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.7 v 8 옴
1N4740A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4740A 0.1050
RFQ
ECAD 21 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 상자 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1N4740A 8541.10.0000 1,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 7.6 v 10 v 7 옴
1N5243BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5243bbulk 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-1n5243bbulk 8541.10.0000 500 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 13 옴
FR207BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR207BULK 0.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-FR207BULK 8541.10.0000 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 V @ 2 a 500 ns 10 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1MHz
HER303T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER303T/R 0.1700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC 반도체 inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2439-her303t/rtr 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.1 v @ 3 a 50 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고