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JANTX1N5298UR-1 Microchip Technology jantx1n5298ur-1 38.2650
RFQ
ECAD 4404 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5298 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.21MA 1.4V
JANTX1N5287UR-1 Microchip Technology jantx1n5287ur-1 38.2650
RFQ
ECAD 2227 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5287 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
JANS1N5292UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5292UR-1/TR 131.5650
RFQ
ECAD 1037 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N5292UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JANTX1N5284UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5284ur-1/tr 38.4300
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ECAD 5941 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5284 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5284ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
JANS1N5307-1/TR Microchip Technology JANS1N5307-1/TR 100.0200
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ECAD 1196 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5307-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.64ma 2V
JANTXV1N5307UR-1 Microchip Technology jantxv1n5307ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 5021 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5307 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.64ma 2V
1N5283UR-1 Microchip Technology 1N5283UR-1 21.8250
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ECAD 6787 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5283 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JANTXV1N5313-1 Microchip Technology jantxv1n5313-1 36.4050
RFQ
ECAD 3820 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5313 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.73MA 2.75V
JANTX1N5286UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5286ur-1/tr 38.4300
RFQ
ECAD 2777 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5286 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5286ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
JAN1N5312-1/TR Microchip Technology Jan1n5312-1/tr 29.0400
RFQ
ECAD 6555 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5312 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5312-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.29ma 2.6v
CDLL5302/TR Microchip Technology CDLL5302/TR 25.2900
RFQ
ECAD 1601 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5302/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 1.65MA 1.6V
JANTXV1N5296UR-1 Microchip Technology jantxv1n5296ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 5802 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5296 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.001ma 1.29V
1N5283-1/TR Microchip Technology 1N5283-1/tr 18.6900
RFQ
ECAD 2302 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5283 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-1n5283-1/tr 100 100V 242µA 1V
CDLL5309/TR Microchip Technology CDLL5309/TR 25.2900
RFQ
ECAD 9517 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5309/TR 귀 99 8541.10.0050 1 100V 3.3ma 2.25V
JANTX1N5300UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5300ur-1/tr 38.4300
RFQ
ECAD 7229 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5300 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5300ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.43MA 1.5V
JANTX1N5311-1 Microchip Technology jantx1n5311-1 34.3200
RFQ
ECAD 9677 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5311 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
JANTX1N5289-1 Microchip Technology JANTX1N5289-1 33.9900
RFQ
ECAD 1447 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5289 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
JAN1N5305UR-1/TR Microchip Technology JAN1N5305UR-1/TR 30.4950
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ECAD 8932 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5305 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5305UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.2MA 1.85V
JANS1N5306-1 Microchip Technology JANS1N5306-1 99.8700
RFQ
ECAD 1506 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5306 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.42MA 1.95V
1N5305-1 Microchip Technology 1N5305-1 21.8550
RFQ
ECAD 4476 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5305 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.2MA 1.85V
JANTXV1N5311UR-1 Microchip Technology jantxv1n5311ur-1 40.8000
RFQ
ECAD 6781 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5311 500MW do-213ab (Melf, LL41) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
1N7049-1/TR Microchip Technology 1N7049-1/tr 7.3650
RFQ
ECAD 3217 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 1N7049 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n7049-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1
JANHCA1N5305 Microchip Technology JANHCA1N5305 -
RFQ
ECAD 9757 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5305 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.2MA 1.85V
1N5292/TR Microchip Technology 1N5292/tr 21.8400
RFQ
ECAD 3782 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5292 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5292/tr 100 100V 682µA 1.13V
CDLL257 Microchip Technology CDLL257 28.3200
RFQ
ECAD 9083 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL25 500MW do-213ab (Melf, LL41) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 50V 11.1MA 7.2v
JANTXV1N5314UR-1 Microchip Technology jantxv1n5314ur-1 43.9200
RFQ
ECAD 1314 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5314 500MW do-213ab (Melf, LL41) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 5.17ma 2.9V
1N5303 Microchip Technology 1N5303 18.6000
RFQ
ECAD 3097 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5303 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5303 1 100V 1.76MA 1.65V
CDS5303UR-1 Microchip Technology CDS5303UR-1 -
RFQ
ECAD 8770 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDS53 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5303UR-1 50
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RFQ
ECAD 3847 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5298 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5298ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.21MA 1.4V
JANTX1N5297-1 Microchip Technology jantx1n5297-1 33.7050
RFQ
ECAD 6027 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5297 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고