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1N5298UR-1/TR Microchip Technology 1N5298UR-1/TR 22.0050
RFQ
ECAD 3847 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5298 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5298ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.21MA 1.4V
CDLL7054/TR Microchip Technology CDLL7054/tr 68.3250
RFQ
ECAD 7560 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 CDLL70 - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL7054/tr 100
JANHCA1N5284 Microchip Technology JANHCA1N5284 -
RFQ
ECAD 4482 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5284 귀 99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
1N5296UR-1 Microchip Technology 1N5296UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 7449 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5296 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.001ma 1.29V
CD5304 Microchip Technology CD5304 19.2450
RFQ
ECAD 2701 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD530 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5304 귀 99 8541.10.0040 1 100V 1.98ma 1.75V
JANTXV1N5312-1/TR Microchip Technology jantxv1n5312-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 6824 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5312 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5312-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.29ma 2.6v
JANTX1N5287UR-1 Microchip Technology jantx1n5287ur-1 38.2650
RFQ
ECAD 2227 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5287 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
1N5304UR-1/TR Microchip Technology 1N5304UR-1/TR 22.0050
RFQ
ECAD 9121 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5304 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5304ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.98ma 1.75V
1N5303UR-1 Microchip Technology 1N5303UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 5030 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5303 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
JANHCA1N5305 Microchip Technology JANHCA1N5305 -
RFQ
ECAD 9757 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5305 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.2MA 1.85V
JANTX1N5311-1 Microchip Technology jantx1n5311-1 34.3200
RFQ
ECAD 9677 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5311 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
JAN1N5311-1/TR Microchip Technology Jan1n5311-1/tr 29.0400
RFQ
ECAD 4755 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5311 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5311-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
JANS1N5292UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5292UR-1/TR 131.5650
RFQ
ECAD 1037 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N5292UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
CDS5305UR-1 Microchip Technology CDS5305UR-1 -
RFQ
ECAD 3084 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDS53 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5305UR-1 50
CDLL5285/TR Microchip Technology CDLL5285/tr 25.2900
RFQ
ECAD 9753 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5285/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 297µA 1V
CD5309 Microchip Technology CD5309 19.2450
RFQ
ECAD 7423 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD530 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5309 귀 99 8541.10.0040 1 100V 3.3ma 2.25V
JAN1N5312-1/TR Microchip Technology Jan1n5312-1/tr 29.0400
RFQ
ECAD 6555 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5312 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5312-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.29ma 2.6v
JANTXV1N5289UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5289ur-1/tr 40.4100
RFQ
ECAD 1272 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5289 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5289ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
JAN1N5286UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5286ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 6609 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5286 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5286UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
JANTXV1N5302UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5302ur-1/tr 40.4100
RFQ
ECAD 4012 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5302 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5302ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.65MA 1.6V
CD5291 Microchip Technology CD5291 19.2450
RFQ
ECAD 1562 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD529 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5291 귀 99 8541.10.0040 1 100V 616µA 1.1V
1N5285UR-1 Microchip Technology 1N5285UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 5107 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5285 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
1N5303 Microchip Technology 1N5303 18.6000
RFQ
ECAD 3097 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5303 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5303 1 100V 1.76MA 1.65V
1N5295-1/TR Microchip Technology 1N5295-1/tr 18.7950
RFQ
ECAD 6547 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5295 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5295-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
JANHCA1N5304 Microchip Technology JANHCA1N5304 -
RFQ
ECAD 4067 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5304 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.98ma 1.75V
JANTX1N5307UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5307ur-1/tr 38.4300
RFQ
ECAD 6790 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5307 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5307ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.64ma 2V
CDLL5309/TR Microchip Technology CDLL5309/TR 25.2900
RFQ
ECAD 9517 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5309/TR 귀 99 8541.10.0050 1 100V 3.3ma 2.25V
JANS1N5296UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5296UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 6476 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5296ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.001ma 1.29V
JAN1N5293UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5293ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 5933 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5293 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5293UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
CDLL5283 Microchip Technology CDLL5283 25.0950
RFQ
ECAD 7595 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 242µA 1V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고