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1N5298RL Microchip Technology 1N5298RL 18.6000
RFQ
ECAD 1634 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 1N5298 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5298RL 1
JAN1N5293-1 Microchip Technology Jan1n5293-1 31.5150
RFQ
ECAD 1688 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5293 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
JANTX1N5290-1 Microchip Technology JANTX1N5290-1 -
RFQ
ECAD 5653 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5290 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
CDLL5312 Microchip Technology CDLL5312 25.3400
RFQ
ECAD 281 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1086-15188-Mil 귀 99 8541.10.0080 1 100V 4.29ma 2.6v
1N5303 Microchip Technology 1N5303 18.6000
RFQ
ECAD 3097 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5303 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5303 1 100V 1.76MA 1.65V
1N5300/TR Microchip Technology 1N5300/tr 18.7950
RFQ
ECAD 8546 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5300 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5300/tr 100 100V 1.43MA 1.5V
JANTXV1N5284-1 Microchip Technology jantxv1n5284-1 36.4050
RFQ
ECAD 7234 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5284 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
JANTXV1N5302UR-1 Microchip Technology jantxv1n5302ur-1 40.6350
RFQ
ECAD 9496 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5302 500MW do-213ab (Melf, LL41) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.65MA 1.6V
CDLL253/TR Microchip Technology CDLL253/TR 28.5000
RFQ
ECAD 6727 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL25 500MW do-213ab (Melf, LL41) - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL253/tr 100 70V 7.48ma 4.9V
JANTXV1N5283UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5283ur-1/tr 40.4100
RFQ
ECAD 3781 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5283 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5283ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
CD5306 Microchip Technology CD5306 19.2450
RFQ
ECAD 1443 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD530 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5306 귀 99 8541.10.0040 1 100V 2.42MA 1.95V
JANTX1N5287UR-1 Microchip Technology jantx1n5287ur-1 38.2650
RFQ
ECAD 2227 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5287 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
JANTX1N5283-1/TR Microchip Technology jantx1n5283-1/tr 36.2850
RFQ
ECAD 3292 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5283 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5283-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JAN1N5294-1 Microchip Technology JAN1N5294-1 31.5150
RFQ
ECAD 1320 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5294 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 825µA 1.2V
1N5290/TR Microchip Technology 1N5290/tr 18.7950
RFQ
ECAD 4010 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5290 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5290/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
JAN1N5300-1 Microchip Technology JAN1N5300-1 31.5150
RFQ
ECAD 6492 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5300 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.43MA 1.5V
1N5312/TR Microchip Technology 1N5312/tr 18.7950
RFQ
ECAD 2482 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5312 500MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5312/tr 100 100V 4.29ma 2.6v
CDLL5309/TR Microchip Technology CDLL5309/TR 25.2900
RFQ
ECAD 9517 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5309/TR 귀 99 8541.10.0050 1 100V 3.3ma 2.25V
JANTXV1N5304-1/TR Microchip Technology jantxv1n5304-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 2669 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5304 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5304-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.98ma 1.75V
JANS1N5305UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5305UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 2982 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5305ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.2MA 1.85V
CDLL5297/TR Microchip Technology CDLL5297/tr 22.3500
RFQ
ECAD 5397 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5297/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 1.1ma 1.35V
JANS1N5307-1/TR Microchip Technology JANS1N5307-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 1196 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5307-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.64ma 2V
JAN1N5286UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5286ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 6609 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5286 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5286UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
JANTX1N5308-1/TR Microchip Technology jantx1n5308-1/tr 34.1550
RFQ
ECAD 2052 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5308 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5308-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.97MA 2.15V
1N5313-1/TR Microchip Technology 1N5313-1/tr 21.8400
RFQ
ECAD 7302 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5313 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-1n5313-1/tr 100 100V 4.73MA 2.75V
JANKCA1N5297 Microchip Technology Jankca1n5297 -
RFQ
ECAD 2331 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5297 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
JANTXV1N5289UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5289ur-1/tr 40.4100
RFQ
ECAD 1272 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5289 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5289ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
JANHCA1N5295 Microchip Technology JANHCA1N5295 -
RFQ
ECAD 2558 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5295 귀 99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
JANTXV1N5314UR-1 Microchip Technology jantxv1n5314ur-1 43.9200
RFQ
ECAD 1314 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5314 500MW do-213ab (Melf, LL41) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 5.17ma 2.9V
JANTX1N5302UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5302ur-1/tr 38.4300
RFQ
ECAD 8344 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5302 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5302ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.65MA 1.6V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고