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JANTXV1N5310-1/TR Microchip Technology jantxv1n5310-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 4242 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5310 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5310-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.63MA 2.35V
JANTXV1N5305UR-1 Microchip Technology jantxv1n5305ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 6983 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5305 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.2MA 1.85V
1N5294/TR Microchip Technology 1N5294/tr 18.7950
RFQ
ECAD 9031 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5294 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5294/tr 100 100V 825µA 1.2V
JANS1N5305UR-1 Microchip Technology JANS1N5305UR-1 131.4000
RFQ
ECAD 4214 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5305 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.2MA 1.85V
1N7048-1 Microchip Technology 1N7048-1 7.1700
RFQ
ECAD 3280 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 1N7048 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1
1N5307UR-1 Microchip Technology 1N5307UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 8551 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5307 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.64ma 2V
JANTXV1N5295-1/TR Microchip Technology jantxv1n5295-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 4309 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5295 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5295-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
JANS1N5284UR-1 Microchip Technology JANS1N5284UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 9742 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5284 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
1N5288/TR Microchip Technology 1N5288/tr 18.7950
RFQ
ECAD 1991 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5288 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5288/tr 100 100V 429µA 1.05V
CDLL5313E3/TR Microchip Technology CDLL5313E3/TR 25.4850
RFQ
ECAD 3401 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5313E3/TR 귀 99 8541.10.0050 1 100V 4.73MA 2.75V
CDLL5283 Microchip Technology CDLL5283 25.0950
RFQ
ECAD 7595 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 242µA 1V
JAN1N5292UR-1 Microchip Technology JAN1N5292UR-1 36.6900
RFQ
ECAD 8067 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5292 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
CDLL253/TR Microchip Technology CDLL253/TR 28.5000
RFQ
ECAD 6727 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL25 500MW do-213ab (Melf, LL41) - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL253/tr 100 70V 7.48ma 4.9V
JAN1N5288UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5288ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 9675 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5288 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5288UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 429µA 1.05V
1N5309E3 Microchip Technology 1N5309E3 18.7950
RFQ
ECAD 5439 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5309 500MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5309e3 1 100V 3.3ma 2.25V
JANS1N5289-1/TR Microchip Technology JANS1N5289-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 3736 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5289-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
1N5283-1 Microchip Technology 1N5283-1 18.4950
RFQ
ECAD 7813 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5283 500MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JANTX1N5308UR-1 Microchip Technology jantx1n5308ur-1 38.2650
RFQ
ECAD 9019 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5308 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.97MA 2.15V
JANHCA1N5284 Microchip Technology JANHCA1N5284 -
RFQ
ECAD 4482 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5284 귀 99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
1N5297-1/TR Microchip Technology 1N5297-1/tr 21.8400
RFQ
ECAD 5731 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5297 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5297-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
JAN1N5285-1 Microchip Technology Jan1n5285-1 35.0250
RFQ
ECAD 2611 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5285 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
1N5283UR-1 Microchip Technology 1N5283UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 6787 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5283 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JAN1N5304UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5304ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 7448 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5304 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5304UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.98ma 1.75V
CDS5307UR-1/TR Microchip Technology CDS5307UR-1/TR -
RFQ
ECAD 4521 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 CDS53 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5307UR-1/TR 50
JANTX1N5307UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5307ur-1/tr 38.4300
RFQ
ECAD 6790 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5307 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5307ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.64ma 2V
JAN1N5310-1/TR Microchip Technology Jan1n5310-1/tr 27.1650
RFQ
ECAD 1693 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5310 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5310-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.63MA 2.35V
JANTX1N5298UR-1 Microchip Technology jantx1n5298ur-1 38.2650
RFQ
ECAD 4404 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5298 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.21MA 1.4V
JANS1N5292UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5292UR-1/TR 131.5650
RFQ
ECAD 1037 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N5292UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JANTX1N5287UR-1 Microchip Technology jantx1n5287ur-1 38.2650
RFQ
ECAD 2227 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5287 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
JANS1N5307-1/TR Microchip Technology JANS1N5307-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 1196 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5307-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.64ma 2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고