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JANTXV1N5307UR-1 Microchip Technology jantxv1n5307ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 5021 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5307 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.64ma 2V
JANTX1N5286UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5286ur-1/tr 38.4300
RFQ
ECAD 2777 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5286 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5286ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
JAN1N5312-1/TR Microchip Technology Jan1n5312-1/tr 29.0400
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ECAD 6555 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5312 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5312-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.29ma 2.6v
1N5306UR-1/TR Microchip Technology 1N5306UR-1/TR 21.9800
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ECAD 5878 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) - 귀 99 8541.10.0050 100 100V 2.42MA 1.95V
JANS1N5293-1/TR Microchip Technology JANS1N5293-1/tr 100.0200
RFQ
ECAD 1151 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5293-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
JANS1N5310-1 Microchip Technology JANS1N5310-1 99.8700
RFQ
ECAD 5218 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5310 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.63MA 2.35V
JANHCA1N5292 Microchip Technology JANHCA1N5292 -
RFQ
ECAD 5515 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5292 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JAN1N5293UR-1 Microchip Technology Jan1n5293ur-1 36.6900
RFQ
ECAD 6944 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5293 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
1N5305-1 Microchip Technology 1N5305-1 21.8550
RFQ
ECAD 4476 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5305 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.2MA 1.85V
JANTX1N5311-1 Microchip Technology jantx1n5311-1 34.3200
RFQ
ECAD 9677 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5311 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
JANTXV1N5296UR-1 Microchip Technology jantxv1n5296ur-1 40.2450
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ECAD 5802 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5296 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.001ma 1.29V
JANTX1N5283-1/TR Microchip Technology jantx1n5283-1/tr 36.2850
RFQ
ECAD 3292 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5283 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5283-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JANTX1N5289-1 Microchip Technology JANTX1N5289-1 33.9900
RFQ
ECAD 1447 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5289 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
JAN1N5305UR-1/TR Microchip Technology JAN1N5305UR-1/TR 30.4950
RFQ
ECAD 8932 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5305 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5305UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.2MA 1.85V
JANTXV1N5301-1/TR Microchip Technology jantxv1n5301-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 3306 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5301 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5301-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.54MA 1.55V
CDLL5291/TR Microchip Technology CDLL5291/tr 25.2900
RFQ
ECAD 1379 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5291/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 616µA 1.1V
JANTX1N5308-1/TR Microchip Technology jantx1n5308-1/tr 34.1550
RFQ
ECAD 2052 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5308 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5308-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.97MA 2.15V
JANHCA1N5304 Microchip Technology JANHCA1N5304 -
RFQ
ECAD 4067 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5304 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.98ma 1.75V
CDLL5285/TR Microchip Technology CDLL5285/tr 25.2900
RFQ
ECAD 9753 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5285/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 297µA 1V
1N5313-1 Microchip Technology 1N5313-1 21.6600
RFQ
ECAD 9287 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5313 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5313-1 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.73MA 2.75V
JANTXV1N5309-1/TR Microchip Technology jantxv1n5309-1/tr 49.8150
RFQ
ECAD 3667 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5309 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5309-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
JANTXV1N5291UR-1 Microchip Technology jantxv1n5291ur-1 -
RFQ
ECAD 2881 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5291 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 616µA 1.1V
JANTX1N5291UR-1 Microchip Technology jantx1n5291ur-1 -
RFQ
ECAD 1366 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5291 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 616µA 1.1V
JAN1N5312-1 Microchip Technology JAN1N5312-1 28.8900
RFQ
ECAD 7287 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5312 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.29ma 2.6v
JANTXV1N5310-1 Microchip Technology jantxv1n5310-1 36.4050
RFQ
ECAD 7856 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5310 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.63MA 2.35V
1N5305UR-1/TR Microchip Technology 1N5305UR-1/TR 22.0050
RFQ
ECAD 2363 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5305 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5305ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.2MA 1.85V
JANTXV1N5304-1 Microchip Technology jantxv1n5304-1 36.4050
RFQ
ECAD 7278 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5304 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.98ma 1.75V
CDLL5304/TR Microchip Technology CDLL5304/TR 25.2900
RFQ
ECAD 2994 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5304/TR 귀 99 8541.10.0050 1 100V 1.98ma 1.75V
1N5294UR-1/TR Microchip Technology 1N5294UR-1/TR 22.0050
RFQ
ECAD 9157 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5294 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5294ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 825µA 1.2V
JANS1N5309UR-1 Microchip Technology JANS1N5309UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 9616 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5309 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고