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JANHCA1N5283 Microchip Technology JANHCA1N5283 -
RFQ
ECAD 8225 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5283 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
CD5303 Microchip Technology CD5303 19.2450
RFQ
ECAD 6213 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD530 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5303 귀 99 8541.10.0040 1 100V 1.76MA 1.65V
CD5287 Microchip Technology CD5287 19.2450
RFQ
ECAD 3571 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD528 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5287 귀 99 8541.10.0040 1 100V 363µA 1V
JAN1N5285UR-1 Microchip Technology JAN1N5285UR-1 36.6900
RFQ
ECAD 2757 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5285 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANS1N5293UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5293UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 7420 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5293ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
JANS1N5284-1 Microchip Technology JANS1N5284-1 99.8700
RFQ
ECAD 6471 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5284 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
JANTXV1N5292-1 Microchip Technology jantxv1n5292-1 36.4050
RFQ
ECAD 5932 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5292 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JANS1N5300-1 Microchip Technology JANS1N5300-1 99.8700
RFQ
ECAD 8353 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5300 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.43MA 1.5V
CDLL252/TR Microchip Technology CDLL252/TR 28.5000
RFQ
ECAD 4701 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL25 500MW do-213ab (Melf, LL41) - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL252/tr 100 70V 6.82MA 4.46V
1N5292-1 Microchip Technology 1N5292-1 18.6000
RFQ
ECAD 6131 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5292 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
CD5290 Microchip Technology CD5290 19.2450
RFQ
ECAD 6030 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD529 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5290 귀 99 8541.10.0040 1 100V 517µA 1.05V
JANS1N5287-1/TR Microchip Technology JANS1N5287-1/tr 100.0200
RFQ
ECAD 1532 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5287-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
JANS1N5302-1/TR Microchip Technology JANS1N5302-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 8174 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5302-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.65MA 1.6V
JANTX1N5304UR-1 Microchip Technology jantx1n5304ur-1 38.2650
RFQ
ECAD 3069 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5304 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.98ma 1.75V
1N7049-1 Microchip Technology 1N7049-1 7.1700
RFQ
ECAD 4052 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 1N7049 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1
CDS5297UR-1/TR Microchip Technology CDS5297UR-1/TR -
RFQ
ECAD 6257 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 CDS52 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5297UR-1/TR 50
JANTX1N5285UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5285ur-1/tr 38.4300
RFQ
ECAD 2948 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5285 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5285ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANTX1N5293-1 Microchip Technology jantx1n5293-1 -
RFQ
ECAD 5437 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5293 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
JAN1N5284UR-1/TR Microchip Technology JAN1N5284UR-1/TR 36.8400
RFQ
ECAD 1057 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5284 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5284UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
CDLL5289/TR Microchip Technology CDLL5289/TR 25.2900
RFQ
ECAD 4104 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5289/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 473µA 1.05V
JANS1N5289-1 Microchip Technology JANS1N5289-1 99.8700
RFQ
ECAD 8084 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5289 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
JANTXV1N5287-1/TR Microchip Technology jantxv1n5287-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 2802 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5287 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5287-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
1N5292UR-1/TR Microchip Technology 1N5292UR-1/TR 24.9900
RFQ
ECAD 6888 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5292 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5292ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JANTX1N5306UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5306ur-1/tr 38.4300
RFQ
ECAD 4517 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5306 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5306ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.42MA 1.95V
JANHCA1N5303 Microchip Technology JANHCA1N5303 -
RFQ
ECAD 9669 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5303 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
JANTX1N5302-1/TR Microchip Technology jantx1n5302-1/tr 34.1550
RFQ
ECAD 5749 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5302 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5302-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.65MA 1.6V
JAN1N5295-1/TR Microchip Technology Jan1n5295-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 6316 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5295 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5295-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
JANKCA1N5306 Microchip Technology jankca1n5306 -
RFQ
ECAD 4678 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5306 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.42MA 1.95V
CDLL5296 Microchip Technology CDLL5296 25.0950
RFQ
ECAD 1891 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 1.001ma 1.29V
CDLL5294 Microchip Technology CDLL5294 25.0950
RFQ
ECAD 9330 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 825µA 1.2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고