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JANTXV1N5293-1/TR Microchip Technology jantxv1n5293-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 1573 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5293 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5293-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
CDS5304UR-1 Microchip Technology CDS5304UR-1 -
RFQ
ECAD 1004 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDS53 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5304UR-1 50
JANTXV1N5285-1/TR Microchip Technology jantxv1n5285-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 4273 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5285 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5285-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANTXV1N5303UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5303ur-1/tr 40.4100
RFQ
ECAD 9181 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5303 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5303ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
JANKCA1N5305 Microchip Technology Jankca1n5305 -
RFQ
ECAD 6645 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5305 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.2MA 1.85V
JANTX1N5297UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5297ur-1/tr 40.7850
RFQ
ECAD 5239 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5297 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5297ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
JANTXV1N5292-1/TR Microchip Technology jantxv1n5292-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 4820 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5292 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5292-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JANHCA1N5301 Microchip Technology JANHCA1N5301 -
RFQ
ECAD 1894 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5301 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.54MA 1.55V
1N5309E3/TR Microchip Technology 1N5309E3/tr 18.9900
RFQ
ECAD 4906 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5309 500MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5309e3/tr 100 100V 3.3ma 2.25V
JANTXV1N5303-1 Microchip Technology jantxv1n5303-1 36.4050
RFQ
ECAD 8406 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5303 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
CDLL5291 Microchip Technology CDLL5291 25.0950
RFQ
ECAD 3456 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 616µA 1.1V
JANTX1N5283-1/TR Microchip Technology jantx1n5283-1/tr 36.2850
RFQ
ECAD 3292 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5283 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5283-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JANS1N5301UR-1 Microchip Technology JANS1N5301UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 1849 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5301 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.54MA 1.55V
CDLL7049 Microchip Technology CDLL7049 68.1450
RFQ
ECAD 6915 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDLL70 - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL7049 1
1N5299E3 Microchip Technology 1N5299E3 18.7950
RFQ
ECAD 6429 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5299 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5299E3 1 100V 1.32MA 1.45V
JANTXV1N5283UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5283ur-1/tr 40.4100
RFQ
ECAD 3781 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5283 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5283ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JAN1N5285-1/TR Microchip Technology Jan1n5285-1/tr 35.1750
RFQ
ECAD 2513 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5285 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5285-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANTXV1N5301UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5301ur-1/tr 40.4100
RFQ
ECAD 4071 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5301 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5301ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.54MA 1.55V
JANTXV1N5295UR-1 Microchip Technology jantxv1n5295ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 1316 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5295 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
CD5305 Microchip Technology CD5305 19.2450
RFQ
ECAD 1823 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD530 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5305 귀 99 8541.10.0040 1 100V 2.2MA 1.85V
CDS5309UR-1 Microchip Technology CDS5309UR-1 -
RFQ
ECAD 4997 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDS53 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5309UR-1 50
JANS1N5313-1 Microchip Technology JANS1N5313-1 99.8700
RFQ
ECAD 1981 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5313 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.73MA 2.75V
CDLL255/TR Microchip Technology CDLL255/TR 28.5000
RFQ
ECAD 5981 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL25 500MW do-213ab (Melf, LL41) - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL255/tr 100 60V 9.02MA 5.9V
JAN1N5301UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5301ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 4492 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5301 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5301UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.54MA 1.55V
1N5299-1 Microchip Technology 1N5299-1 18.6000
RFQ
ECAD 7134 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5299 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.32MA 1.45V
JANKCA1N5308 Microchip Technology Jankca1n5308 -
RFQ
ECAD 6975 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5308 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.97MA 2.15V
CDLL5300 Microchip Technology CDLL5300 25.3350
RFQ
ECAD 8592 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 1.43MA 1.5V
JANTXV1N5302-1 Microchip Technology jantxv1n5302-1 36.4050
RFQ
ECAD 5287 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5302 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.65MA 1.6V
JANTX1N5290UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5290ur-1/tr 30.2100
RFQ
ECAD 5779 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5290 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5290ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
1N5298RL Microchip Technology 1N5298RL 18.6000
RFQ
ECAD 1634 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 1N5298 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5298RL 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고