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CD5297 Microchip Technology CD5297 19.4400
RFQ
ECAD 6859 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD529 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5297 귀 99 8541.10.0040 1 100V 1.1ma 1.35V
JANTXV1N5297-1/TR Microchip Technology jantxv1n5297-1/tr 36.6150
RFQ
ECAD 1123 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5297 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5297-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
JANTXV1N5301UR-1 Microchip Technology jantxv1n5301ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 2981 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5301 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.54MA 1.55V
JANTXV1N5286-1/TR Microchip Technology jantxv1n5286-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 3527 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5286 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5286-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
CDLL5310/TR Microchip Technology CDLL5310/tr 25.2900
RFQ
ECAD 1607 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5310/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 3.63MA 2.35V
JANS1N5303UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5303UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 7036 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5303ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
CDLL5311/TR Microchip Technology CDLL5311/tr 25.2900
RFQ
ECAD 3212 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5311/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 3.96MA 2.5V
CDLL5309 Microchip Technology CDLL5309 25.3350
RFQ
ECAD 3994 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 3.3ma 2.25V
JAN1N5312UR-1 Microchip Technology JAN1N5312UR-1 30.3150
RFQ
ECAD 9372 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5312 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.29ma 2.6v
1N5299/TR Microchip Technology 1N5299/tr 18.7950
RFQ
ECAD 8676 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5299 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5299/tr 100 100V 1.32MA 1.45V
JANKCA1N5301 Microchip Technology jankca1n5301 -
RFQ
ECAD 6555 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5301 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.54MA 1.55V
JAN1N5311UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5311ur-1/tr 30.4650
RFQ
ECAD 4112 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5311 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5311UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
1N5288UR-1/TR Microchip Technology 1N5288UR-1/TR 22.0050
RFQ
ECAD 1821 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5288 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5288ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 429µA 1.05V
1N5290UR-1/TR Microchip Technology 1N5290UR-1/TR 22.0050
RFQ
ECAD 2242 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5290 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5290ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
CD5288 Microchip Technology CD5288 19.2450
RFQ
ECAD 4226 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD528 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5288 귀 99 8541.10.0040 1 100V 429µA 1.05V
CDLL5286 Microchip Technology CDLL5286 25.3350
RFQ
ECAD 2324 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 330µA 1V
1N5297-1E3/TR Microchip Technology 1N5297-1E3/tr 22.0200
RFQ
ECAD 7502 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5297 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5297-1e3/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
JANTXV1N5300UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5300ur-1/tr 40.8000
RFQ
ECAD 7469 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5300 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5300ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.43MA 1.5V
1N5295/TR Microchip Technology 1N5295/tr 18.7950
RFQ
ECAD 7687 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5295 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5295/tr 100 100V 902µA 1.25V
JAN1N5314UR-1 Microchip Technology JAN1N5314UR-1 36.6900
RFQ
ECAD 8710 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5314 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 5.17ma 2.9V
JANTX1N5293-1/TR Microchip Technology jantx1n5293-1/tr 34.1550
RFQ
ECAD 1285 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5293 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5293-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
CDLL7054 Microchip Technology CDLL7054 68.1450
RFQ
ECAD 6245 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDLL70 - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL7054 1
JAN1N5286-1/TR Microchip Technology Jan1n5286-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 3506 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5286 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5286-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
JANTXV1N5306UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5306ur-1/tr 40.4100
RFQ
ECAD 9365 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5306 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5306ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.42MA 1.95V
CDS5303-1/TR Microchip Technology CDS5303-1/TR -
RFQ
ECAD 3896 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 CDS53 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5303-1/TR 50
JAN1N5298-1/TR Microchip Technology Jan1n5298-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 3259 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5298 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5298-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.21MA 1.4V
JANKCA1N5299 Microchip Technology Jankca1n5299 -
RFQ
ECAD 8264 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5299 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.32MA 1.45V
JANTXV1N5311UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5311ur-1/tr 40.5600
RFQ
ECAD 7334 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5311 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5311ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
JANTXV1N5301-1 Microchip Technology jantxv1n5301-1 36.4050
RFQ
ECAD 2719 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5301 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.54MA 1.55V
CDLL7055/TR Microchip Technology CDLL7055/tr 68.3250
RFQ
ECAD 7476 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 CDLL70 - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL7055/tr 100
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고