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1N5299UR-1/TR Microchip Technology 1N5299UR-1/TR 21.9800
RFQ
ECAD 9195 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) - 귀 99 8541.10.0050 100 100V 1.32MA 1.45V
JANKCA1N5301 Microchip Technology jankca1n5301 -
RFQ
ECAD 6555 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5301 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.54MA 1.55V
JAN1N5303-1 Microchip Technology JAN1N5303-1 31.5150
RFQ
ECAD 8776 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5303 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
1N5285/TR Microchip Technology 1N5285/tr 18.6900
RFQ
ECAD 1726 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5285 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5285/tr 100 100V 297µA 1V
CDLL5310/TR Microchip Technology CDLL5310/tr 25.2900
RFQ
ECAD 1607 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5310/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 3.63MA 2.35V
CDLL5295/TR Microchip Technology CDLL5295/tr 25.2900
RFQ
ECAD 3393 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5295/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 902µA 1.25V
1N5301 Microchip Technology 1N5301 18.6000
RFQ
ECAD 9245 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5301 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5301 1 100V 1.54MA 1.55V
JANTXV1N5301UR-1 Microchip Technology jantxv1n5301ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 2981 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5301 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.54MA 1.55V
JANTXV1N5303UR-1 Microchip Technology jantxv1n5303ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 4952 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5303 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
CDLL5294/TR Microchip Technology CDLL5294/tr 25.2900
RFQ
ECAD 7225 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5294/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 825µA 1.2V
1N7049UR-1 Microchip Technology 1N7049UR-1 9.3000
RFQ
ECAD 6154 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 1N7049 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1
1N5306UR-1 Microchip Technology 1N5306UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 5662 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5306 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.42MA 1.95V
1N5313-1E3/TR Microchip Technology 1N5313-1E3/tr 22.0200
RFQ
ECAD 7281 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5313 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-1n5313-1e3/tr 100 100V 4.73MA 2.75V
CDLL5286 Microchip Technology CDLL5286 25.3350
RFQ
ECAD 2324 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 330µA 1V
JANS1N5293UR-1 Microchip Technology JANS1N5293UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 5298 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5293 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
JANHCA1N5311 Microchip Technology JANHCA1N5311 -
RFQ
ECAD 5265 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5311 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
JAN1N5292UR-1/TR Microchip Technology JAN1N5292UR-1/TR 36.8400
RFQ
ECAD 3349 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5292 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5292UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JANS1N5312-1 Microchip Technology JANS1N5312-1 99.8700
RFQ
ECAD 4370 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5312 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.29ma 2.6v
1N5297-1E3/TR Microchip Technology 1N5297-1E3/tr 22.0200
RFQ
ECAD 7502 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5297 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5297-1e3/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
JAN1N5306-1 Microchip Technology Jan1n5306-1 31.5150
RFQ
ECAD 2433 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5306 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.42MA 1.95V
JANTX1N5299-1/TR Microchip Technology jantx1n5299-1/tr 34.1550
RFQ
ECAD 8864 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5299 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5299-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.32MA 1.45V
JAN1N5285UR-1 Microchip Technology JAN1N5285UR-1 36.6900
RFQ
ECAD 2757 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5285 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANS1N5284-1 Microchip Technology JANS1N5284-1 99.8700
RFQ
ECAD 6471 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5284 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
JANTXV1N5298UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5298ur-1/tr 40.4100
RFQ
ECAD 2744 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5298 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5298ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.21MA 1.4V
JANTX1N5306UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5306ur-1/tr 38.4300
RFQ
ECAD 4517 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5306 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5306ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.42MA 1.95V
JANTXV1N5314-1 Microchip Technology jantxv1n5314-1 60.1950
RFQ
ECAD 1282 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5314 500MW DO-7 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 5.17ma 2.9V
JANTXV1N5306-1 Microchip Technology jantxv1n5306-1 36.4050
RFQ
ECAD 7219 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5306 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.42MA 1.95V
JAN1N5295-1/TR Microchip Technology Jan1n5295-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 6316 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5295 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5295-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
CDLL200 Microchip Technology CDLL200 22.0950
RFQ
ECAD 9458 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDLL20 - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL200 1
JANTX1N5293-1 Microchip Technology jantx1n5293-1 -
RFQ
ECAD 5437 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5293 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고