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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 레귤레이터 레귤레이터 (전류) 전압- 최대 (제한)
CDLL256 Microchip Technology CDLL256 28.3200
RFQ
ECAD 4388 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL25 500MW do-213ab (Melf, LL41) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 50V 10.01ma 6.55V
JANS1N5303UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5303UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 7036 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5303ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
JANKCA1N5299 Microchip Technology Jankca1n5299 -
RFQ
ECAD 8264 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5299 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.32MA 1.45V
JANTXV1N5292-1 Microchip Technology jantxv1n5292-1 36.4050
RFQ
ECAD 5932 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5292 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JAN1N5289-1 Microchip Technology Jan1n5289-1 31.5150
RFQ
ECAD 1969 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5289 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
1N5288UR-1/TR Microchip Technology 1N5288UR-1/TR 22.0050
RFQ
ECAD 1821 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5288 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5288ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 429µA 1.05V
1N5290UR-1/TR Microchip Technology 1N5290UR-1/TR 22.0050
RFQ
ECAD 2242 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5290 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5290ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
JAN1N5311UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5311ur-1/tr 30.4650
RFQ
ECAD 4112 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5311 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5311UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
JAN1N5298-1/TR Microchip Technology Jan1n5298-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 3259 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5298 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5298-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.21MA 1.4V
CDS5303-1/TR Microchip Technology CDS5303-1/TR -
RFQ
ECAD 3896 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 CDS53 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5303-1/TR 50
CDLL252/TR Microchip Technology CDLL252/TR 28.5000
RFQ
ECAD 4701 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL25 500MW do-213ab (Melf, LL41) - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL252/tr 100 70V 6.82MA 4.46V
JANTXV1N5311UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5311ur-1/tr 40.5600
RFQ
ECAD 7334 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5311 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5311ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
JANTXV1N5307-1/TR Microchip Technology jantxv1n5307-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 5071 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5307 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5307-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.64ma 2V
JANTX1N5289UR-1 Microchip Technology jantx1n5289ur-1 38.2650
RFQ
ECAD 2487 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5289 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
CDLL5310 Microchip Technology CDLL5310 25.0950
RFQ
ECAD 1686 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 3.63MA 2.35V
JANKCA1N5293 Microchip Technology Jankca1n5293 -
RFQ
ECAD 9812 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5293 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
JANS1N5292-1 Microchip Technology JANS1N5292-1 99.8700
RFQ
ECAD 2700 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5292 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
1N5310 Microchip Technology 1N5310 18.7800
RFQ
ECAD 5082 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5310 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5310 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.63MA 2.35V
CDLL251/TR Microchip Technology CDLL251/TR 28.5000
RFQ
ECAD 6317 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL25 500MW do-213ab (Melf, LL41) - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL251/TR 100 80V 6.16MA 4.03V
1N5303-1/TR Microchip Technology 1N5303-1/tr 18.7950
RFQ
ECAD 4091 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5303 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5303-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
JAN1N5306UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5306ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 1525 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5306 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5306UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.42MA 1.95V
CD5297 Microchip Technology CD5297 19.4400
RFQ
ECAD 6859 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD529 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5297 귀 99 8541.10.0040 1 100V 1.1ma 1.35V
CDLL5309 Microchip Technology CDLL5309 25.3350
RFQ
ECAD 3994 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 3.3ma 2.25V
JAN1N5312UR-1 Microchip Technology JAN1N5312UR-1 30.3150
RFQ
ECAD 9372 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5312 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.29ma 2.6v
1N5299/TR Microchip Technology 1N5299/tr 18.7950
RFQ
ECAD 8676 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5299 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5299/tr 100 100V 1.32MA 1.45V
JANTXV1N5286-1/TR Microchip Technology jantxv1n5286-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 3527 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5286 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5286-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
CDLL5311/TR Microchip Technology CDLL5311/tr 25.2900
RFQ
ECAD 3212 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5311/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 3.96MA 2.5V
CDLL5286 Microchip Technology CDLL5286 25.3350
RFQ
ECAD 2324 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 330µA 1V
JANTXV1N5300UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5300ur-1/tr 40.8000
RFQ
ECAD 7469 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5300 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5300ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.43MA 1.5V
CD5288 Microchip Technology CD5288 19.2450
RFQ
ECAD 4226 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD528 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5288 귀 99 8541.10.0040 1 100V 429µA 1.05V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고