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1N5313-1E3/TR Microchip Technology 1N5313-1E3/tr 22.0200
RFQ
ECAD 7281 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5313 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-1n5313-1e3/tr 100 100V 4.73MA 2.75V
JANS1N5309-1/TR Microchip Technology JANS1N5309-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 3136 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5309-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
JANTX1N5293-1/TR Microchip Technology jantx1n5293-1/tr 34.1550
RFQ
ECAD 1285 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5293 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5293-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
JANHCA1N5287 Microchip Technology JANHCA1N5287 -
RFQ
ECAD 9821 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5287 귀 99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
JANTXV1N5303UR-1 Microchip Technology jantxv1n5303ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 4952 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5303 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
JANTXV1N5301UR-1 Microchip Technology jantxv1n5301ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 2981 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5301 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.54MA 1.55V
CDLL5287 Microchip Technology CDLL5287 25.0950
RFQ
ECAD 8625 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 363µA 1V
CDLL200/TR Microchip Technology CDLL200/TR 22.2750
RFQ
ECAD 9468 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 CDLL20 - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL200/tr 100
1N5312UR-1E3 Microchip Technology 1N5312UR-1E3 22.0050
RFQ
ECAD 9131 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5312 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5312UR-1E3 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.29ma 2.6v
1N5309UR-1 Microchip Technology 1N5309UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 6586 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5309 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
JANS1N5283UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5283UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 6419 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5283ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JANS1N5302UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5302UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 7414 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5302ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.65MA 1.6V
CDLL252/TR Microchip Technology CDLL252/TR 28.5000
RFQ
ECAD 4701 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL25 500MW do-213ab (Melf, LL41) - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL252/tr 100 70V 6.82MA 4.46V
JANTX1N5298UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5298ur-1/tr 38.4300
RFQ
ECAD 3176 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5298 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5298ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.21MA 1.4V
1N5313UR-1/TR Microchip Technology 1N5313UR-1/TR 21.9800
RFQ
ECAD 6764 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) - 귀 99 8541.10.0050 100 100V 4.73MA 2.75V
CDLL7054 Microchip Technology CDLL7054 68.1450
RFQ
ECAD 6245 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDLL70 - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL7054 1
CDS5300UR-1 Microchip Technology CDS5300UR-1 -
RFQ
ECAD 7164 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDS53 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5300UR-1 50
JANS1N5294-1 Microchip Technology JANS1N5294-1 99.8700
RFQ
ECAD 8432 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5294 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 825µA 1.2V
JANTX1N5285UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5285ur-1/tr 38.4300
RFQ
ECAD 2948 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5285 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5285ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANTXV1N5294-1 Microchip Technology jantxv1n5294-1 36.4050
RFQ
ECAD 7583 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5294 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 825µA 1.2V
1N5290-1/TR Microchip Technology 1N5290-1/tr 18.7950
RFQ
ECAD 5452 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5290 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5290-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
JANS1N5309-1 Microchip Technology JANS1N5309-1 99.8700
RFQ
ECAD 1084 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5309 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
CDLL5300/TR Microchip Technology CDLL5300/tr 25.2900
RFQ
ECAD 8071 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5300/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 1.43MA 1.5V
1N5286UR-1 Microchip Technology 1N5286UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 1221 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5286 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
CDLL5298 Microchip Technology CDLL5298 25.0950
RFQ
ECAD 2602 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 1.21MA 1.4V
JANTXV1N5300UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5300ur-1/tr 40.8000
RFQ
ECAD 7469 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5300 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5300ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.43MA 1.5V
CDLL25V Microchip Technology CDLL25V 28.3200
RFQ
ECAD 6882 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDLL25 - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL25V 1
JANTX1N5313UR-1 Microchip Technology jantx1n5313ur-1 36.0000
RFQ
ECAD 4062 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5313 500MW do-213ab (Melf, LL41) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.73MA 2.75V
JANTXV1N5298UR-1 Microchip Technology jantxv1n5298ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 1321 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5298 500MW do-213ab (Melf, LL41) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.21MA 1.4V
1N5299/TR Microchip Technology 1N5299/tr 18.7950
RFQ
ECAD 8676 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5299 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5299/tr 100 100V 1.32MA 1.45V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고