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1N5309/TR Microchip Technology 1N5309/tr 18.7950
RFQ
ECAD 4733 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5309 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5309/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
JANTX1N5299UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5299ur-1/tr 38.4300
RFQ
ECAD 7999 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5299 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5299ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.32MA 1.45V
1N5301 Microchip Technology 1N5301 18.6000
RFQ
ECAD 9245 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5301 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5301 1 100V 1.54MA 1.55V
JANTXV1N5284-1/TR Microchip Technology jantxv1n5284-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 1769 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5284 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5284-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
JAN1N5301-1 Microchip Technology JAN1N5301-1 31.5150
RFQ
ECAD 5268 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5301 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.54MA 1.55V
JANS1N5309-1/TR Microchip Technology JANS1N5309-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 3136 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5309-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
CDLL5298/TR Microchip Technology CDLL5298/tr 25.2900
RFQ
ECAD 4861 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5298/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 1.21MA 1.4V
1N5287/TR Microchip Technology 1N5287/tr 18.7950
RFQ
ECAD 5800 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5287 500MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5287/tr 100 100V 363µA 1V
JANHCA1N5314 Microchip Technology JANHCA1N5314 -
RFQ
ECAD 7147 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5314 귀 99 8541.10.0070 1 100V 5.17ma 2.9V
JANS1N5283-1/TR Microchip Technology JANS1N5283-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 1438 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5283-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
CDLL5295/TR Microchip Technology CDLL5295/tr 25.2900
RFQ
ECAD 3393 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5295/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 902µA 1.25V
1N5306UR-1 Microchip Technology 1N5306UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 5662 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5306 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.42MA 1.95V
CD5286 Microchip Technology CD5286 19.2450
RFQ
ECAD 3385 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD528 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5286 귀 99 8541.10.0040 1 100V 330µA 1V
JANTX1N5302-1/TR Microchip Technology jantx1n5302-1/tr 34.1550
RFQ
ECAD 5749 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5302 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5302-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.65MA 1.6V
JANTXV1N5292UR-1 Microchip Technology jantxv1n5292ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 7027 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5292 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
1N5302UR-1 Microchip Technology 1N5302UR-1 22.1850
RFQ
ECAD 8748 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5302 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.65MA 1.6V
JANS1N5283UR-1 Microchip Technology JANS1N5283UR-1 131.4000
RFQ
ECAD 7674 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5283 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JAN1N5291UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5291ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 5854 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5291 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5291UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 616µA 1.1V
1N5303-1 Microchip Technology 1N5303-1 18.6000
RFQ
ECAD 4198 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5303 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
1N7049UR-1 Microchip Technology 1N7049UR-1 9.3000
RFQ
ECAD 6154 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 1N7049 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1
JANS1N5288-1/TR Microchip Technology JANS1N5288-1/tr 100.0200
RFQ
ECAD 2375 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5288-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 429µA 1.05V
JANTX1N5283UR-1 Microchip Technology jantx1n5283ur-1 38.7600
RFQ
ECAD 5241 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5283 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
1N5309UR-1 Microchip Technology 1N5309UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 6586 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5309 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
CDLL5306 Microchip Technology CDLL5306 25.0950
RFQ
ECAD 1149 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 2.42MA 1.95V
JAN1N5292UR-1/TR Microchip Technology JAN1N5292UR-1/TR 36.8400
RFQ
ECAD 3349 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5292 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5292UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
CDLL5313 Microchip Technology CDLL5313 25.0950
RFQ
ECAD 2935 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 4.73MA 2.75V
JANS1N5298-1 Microchip Technology JANS1N5298-1 116.6200
RFQ
ECAD 498 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5298 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.21MA 1.4V
1N5286/TR Microchip Technology 1N5286/tr 18.6900
RFQ
ECAD 8647 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5286 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5286/tr 100 100V 330µA 1V
CDLL257/TR Microchip Technology CDLL257/TR 28.5000
RFQ
ECAD 7656 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL25 500MW do-213ab (Melf, LL41) - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL257/TR 100 50V 11.1MA 7.2v
JANS1N5303-1/TR Microchip Technology JANS1N5303-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 7421 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5303-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고