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JANTX1N5302-1/TR Microchip Technology jantx1n5302-1/tr 34.1550
RFQ
ECAD 5749 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5302 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5302-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.65MA 1.6V
JANTXV1N5292UR-1 Microchip Technology jantxv1n5292ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 7027 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5292 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JAN1N5292UR-1/TR Microchip Technology JAN1N5292UR-1/TR 36.8400
RFQ
ECAD 3349 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5292 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5292UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JANS1N5288-1/TR Microchip Technology JANS1N5288-1/tr 100.0200
RFQ
ECAD 2375 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5288-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 429µA 1.05V
JAN1N5291UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5291ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 5854 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5291 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5291UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 616µA 1.1V
1N5303-1 Microchip Technology 1N5303-1 18.6000
RFQ
ECAD 4198 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5303 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
1N7049UR-1 Microchip Technology 1N7049UR-1 9.3000
RFQ
ECAD 6154 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 1N7049 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1
JANS1N5283UR-1 Microchip Technology JANS1N5283UR-1 131.4000
RFQ
ECAD 7674 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5283 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
CDLL5313 Microchip Technology CDLL5313 25.0950
RFQ
ECAD 2935 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 4.73MA 2.75V
JANS1N5298-1 Microchip Technology JANS1N5298-1 116.6200
RFQ
ECAD 498 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5298 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.21MA 1.4V
CDLL5306 Microchip Technology CDLL5306 25.0950
RFQ
ECAD 1149 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 2.42MA 1.95V
JANTX1N5290UR-1 Microchip Technology jantx1n5290ur-1 30.3450
RFQ
ECAD 1052 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5290 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
1N5299UR-1/TR Microchip Technology 1N5299UR-1/TR 21.9800
RFQ
ECAD 9195 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) - 귀 99 8541.10.0050 100 100V 1.32MA 1.45V
1N5285 Microchip Technology 1N5285 18.4950
RFQ
ECAD 7271 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5285 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5285 1 100V 297µA 1V
1N5292UR-1 Microchip Technology 1N5292UR-1 24.8100
RFQ
ECAD 1680 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5292 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
CDLL5295 Microchip Technology CDLL5295 25.0950
RFQ
ECAD 1116 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 902µA 1.25V
JANS1N5302UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5302UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 7414 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5302ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.65MA 1.6V
JANTXV1N5290-1 Microchip Technology jantxv1n5290-1 36.4050
RFQ
ECAD 6927 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5290 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
JANS1N5297-1/TR Microchip Technology JANS1N5297-1/tr 100.0200
RFQ
ECAD 6860 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5297-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
JANTXV1N5294-1 Microchip Technology jantxv1n5294-1 36.4050
RFQ
ECAD 7583 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5294 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 825µA 1.2V
JANTXV1N5293UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5293ur-1/tr 40.4100
RFQ
ECAD 4413 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5293 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5293ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
1N5306E3 Microchip Technology 1N5306E3 18.7600
RFQ
ECAD 2760 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5306 500MW DO-7 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-1n5306E3 귀 99 8541.10.0080 1 100V 2.42MA 1.95V
1N5307-1 Microchip Technology 1N5307-1 18.7800
RFQ
ECAD 5283 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5307 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.64ma 2V
JANS1N5299-1 Microchip Technology JANS1N5299-1 99.8700
RFQ
ECAD 1870 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5299 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.32MA 1.45V
CD5301 Microchip Technology CD5301 19.4400
RFQ
ECAD 3036 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD530 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5301 귀 99 8541.10.0040 1 100V 1.54MA 1.55V
CDLL5299E3/TR Microchip Technology CDLL5299E3/TR 25.4850
RFQ
ECAD 9153 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5299E3/TR 귀 99 8541.10.0050 1 100V 1.32MA 1.45V
JANTXV1N5284UR-1 Microchip Technology jantxv1n5284ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 8719 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5284 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
JANKCA1N5295 Microchip Technology Jankca1n5295 -
RFQ
ECAD 4722 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5295 귀 99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
JANTX1N5304-1/TR Microchip Technology jantx1n5304-1/tr 34.1550
RFQ
ECAD 6790 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5304 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5304-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.98ma 1.75V
JANS1N5297-1 Microchip Technology JANS1N5297-1 99.8700
RFQ
ECAD 1043 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5297 500MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고