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JANS1N5302-1 Microchip Technology JANS1N5302-1 99.8700
RFQ
ECAD 9008 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5302 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.65MA 1.6V
JANS1N5290-1/TR Microchip Technology JANS1N5290-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 6963 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5290-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
JANTX1N5303UR-1 Microchip Technology jantx1n5303ur-1 38.2650
RFQ
ECAD 4632 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5303 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
JAN1N5306-1/TR Microchip Technology Jan1n5306-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 2362 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5306 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5306-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.42MA 1.95V
JANS1N5300-1/TR Microchip Technology JANS1N5300-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 2896 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5300-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.43MA 1.5V
1N5297UR-1 Microchip Technology 1N5297UR-1 22.0350
RFQ
ECAD 1262 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5297 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
JANHCA1N5288 Microchip Technology JANHCA1N5288 -
RFQ
ECAD 7023 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5288 귀 99 8541.10.0070 1 100V 429µA 1.05V
1N5298RL/TR Microchip Technology 1N5298RL/tr 18.7950
RFQ
ECAD 2466 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 1N5298 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5298RL/tr 100
JANTX1N5293UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5293ur-1/tr 38.4300
RFQ
ECAD 2143 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5293 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5293ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
JAN1N5307UR-1 Microchip Technology Jan1n5307ur-1 21.0900
RFQ
ECAD 2701 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5307 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.64ma 2V
JANTX1N5293UR-1 Microchip Technology jantx1n5293ur-1 38.2650
RFQ
ECAD 4026 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5293 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
1N5314 Microchip Technology 1N5314 18.8100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5314 500MW DO-35 (DO-204AH) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 5.17ma 2.9V
CDS5312UR-1 Microchip Technology CDS5312UR-1 -
RFQ
ECAD 9826 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDS53 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5312UR-1 50
JANS1N5285UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5285UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 7062 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5285ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
CDLL5312/TR Microchip Technology CDLL5312/TR 25.2900
RFQ
ECAD 4969 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5312/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 4.29ma 2.6v
JAN1N5309-1 Microchip Technology JAN1N5309-1 31.5150
RFQ
ECAD 7789 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5309 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
CDS5305UR-1/TR Microchip Technology CDS5305UR-1/TR -
RFQ
ECAD 2724 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 CDS53 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5305UR-1/TR 50
JAN1N5309UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5309ur-1/tr 25.6950
RFQ
ECAD 9320 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5309 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5309UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
JAN1N5310UR-1 Microchip Technology Jan1n5310ur-1 30.3150
RFQ
ECAD 9523 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5310 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.63MA 2.35V
CDLL5303 Microchip Technology CDLL5303 25.0950
RFQ
ECAD 4227 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 1.76MA 1.65V
JANTXV1N5285-1 Microchip Technology jantxv1n5285-1 36.4050
RFQ
ECAD 7440 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5285 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANKCA1N5313 Microchip Technology Jankca1n5313 -
RFQ
ECAD 9475 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5313 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.73MA 2.75V
JANKCA1N5289 Microchip Technology Jankca1n5289 -
RFQ
ECAD 7866 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5289 귀 99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
JANTX1N5292-1/TR Microchip Technology jantx1n5292-1/tr 34.1550
RFQ
ECAD 3102 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5292 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5292-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JAN1N5311-1 Microchip Technology JAN1N5311-1 28.8900
RFQ
ECAD 3649 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5311 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
1N5289UR-1 Microchip Technology 1N5289UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 6200 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5289 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
JANTXV1N5292UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5292ur-1/tr 40.4100
RFQ
ECAD 6884 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5292 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5292ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
CD5313 Microchip Technology CD5313 19.2450
RFQ
ECAD 6827 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD531 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5313 귀 99 8541.10.0040 1 100V 4.73MA 2.75V
JAN1N5308UR-1 Microchip Technology Jan1n5308ur-1 36.6900
RFQ
ECAD 1513 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5308 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.97MA 2.15V
JANTXV1N5288UR-1 Microchip Technology jantxv1n5288ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 7989 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5288 500MW do-213ab (Melf, LL41) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 429µA 1.05V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고