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1N5291/TR Microchip Technology 1N5291/tr 18.7950
RFQ
ECAD 6681 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5291 500MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5291/tr 100 100V 616µA 1.1V
CDLL25V/TR Microchip Technology CDLL25V/TR 28.5000
RFQ
ECAD 5899 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 CDLL25 - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL25V/TR 100
1N5296 Microchip Technology 1N5296 18.6000
RFQ
ECAD 4794 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5296 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5296 1 100V 1.001ma 1.29V
1N5304/TR Microchip Technology 1N5304/tr 18.7950
RFQ
ECAD 8446 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5304 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5304/tr 100 100V 1.98ma 1.75V
CDS5314UR-1/TR Microchip Technology CDS5314UR-1/TR -
RFQ
ECAD 6883 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 CDS53 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5314UR-1/TR 50
CDLL7051 Microchip Technology CDLL7051 68.1450
RFQ
ECAD 8821 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDLL70 - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL7051 1
CDLL7055 Microchip Technology CDLL7055 68.1450
RFQ
ECAD 7990 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDLL70 - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL7055 1
1N5291 Microchip Technology 1N5291 18.6000
RFQ
ECAD 1319 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5291 500MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5291 1 100V 616µA 1.1V
CDLL7052 Microchip Technology CDLL7052 68.1450
RFQ
ECAD 1143 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDLL70 - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL7052 1
CDS5297-1 Microchip Technology CDS5297-1 -
RFQ
ECAD 1856 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDS52 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5297-1 50
JANTX1N5285-1 Microchip Technology jantx1n5285-1 33.3000
RFQ
ECAD 9056 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5285 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANTXV1N5285-1 Microchip Technology jantxv1n5285-1 36.4050
RFQ
ECAD 7440 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5285 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JAN1N5286UR-1 Microchip Technology Jan1n5286ur-1 36.6900
RFQ
ECAD 9815 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5286 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
JANTXV1N5288-1 Microchip Technology jantxv1n5288-1 36.4050
RFQ
ECAD 5468 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5288 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 429µA 1.05V
JANTX1N5293UR-1 Microchip Technology jantx1n5293ur-1 38.2650
RFQ
ECAD 4026 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5293 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
JANTX1N5294-1 Microchip Technology jantx1n5294-1 33.9900
RFQ
ECAD 9658 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5294 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 825µA 1.2V
JAN1N5294UR-1 Microchip Technology JAN1N5294UR-1 36.6900
RFQ
ECAD 9023 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5294 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 825µA 1.2V
JANTXV1N5295-1 Microchip Technology jantxv1n5295-1 36.4050
RFQ
ECAD 5276 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5295 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
JANTXV1N5297-1 Microchip Technology jantxv1n5297-1 36.8100
RFQ
ECAD 4137 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5297 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
JAN1N5299-1 Microchip Technology Jan1n5299-1 31.5150
RFQ
ECAD 2118 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5299 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.32MA 1.45V
JANTX1N5299UR-1 Microchip Technology jantx1n5299ur-1 38.2650
RFQ
ECAD 8702 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5299 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.32MA 1.45V
JANTXV1N5311-1 Microchip Technology jantxv1n5311-1 36.4050
RFQ
ECAD 4209 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5311 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
JANTXV1N5312UR-1 Microchip Technology jantxv1n5312ur-1 40.4100
RFQ
ECAD 8760 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5312 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.29ma 2.6v
JAN1N5313-1 Microchip Technology Jan1n5313-1 28.8900
RFQ
ECAD 9819 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5313 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.73MA 2.75V
JANKCA1N5311 Microchip Technology Jankca1n5311 -
RFQ
ECAD 8220 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5311 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
JANS1N5308UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5308UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 1534 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5308ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.97MA 2.15V
JAN1N5309-1/TR Microchip Technology Jan1n5309-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 7056 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5309 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5309-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
1N5308-1 Microchip Technology 1N5308-1 18.6000
RFQ
ECAD 1257 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5308 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.97MA 2.15V
CDS5311UR-1/TR Microchip Technology CDS5311UR-1/TR -
RFQ
ECAD 5036 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 CDS53 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5311UR-1/TR 50
1N5298RL/TR Microchip Technology 1N5298RL/tr 18.7950
RFQ
ECAD 2466 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 1N5298 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5298RL/tr 100
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고