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JANS1N5288UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5288UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 6567 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5288 500MW do-213ab (Melf, LL41) - 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5288ur-1/tr 50 100V 429µA 1.05V
JANS1N5295-1/TR Microchip Technology JANS1N5295-1/tr 100.0200
RFQ
ECAD 3258 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5295-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
JANKCA1N5296 Microchip Technology Jankca1n5296 -
RFQ
ECAD 1614 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5296 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.001ma 1.29V
1N5285UR-1/TR Microchip Technology 1N5285UR-1/TR 21.9800
RFQ
ECAD 9364 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) - 귀 99 8541.10.0050 100 100V 297µA 1V
JAN1N5291-1 Microchip Technology Jan1n5291-1 31.5150
RFQ
ECAD 9161 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5291 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 616µA 1.1V
JANTX1N5311UR-1 Microchip Technology jantx1n5311ur-1 36.0000
RFQ
ECAD 6027 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5311 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
JANKCA1N5300 Microchip Technology Jankca1n5300 -
RFQ
ECAD 3769 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5300 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.43MA 1.5V
1N5311 Microchip Technology 1N5311 18.7800
RFQ
ECAD 2655 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5311 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5311 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
JANTXV1N5295UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5295ur-1/tr 40.4100
RFQ
ECAD 4898 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5295 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5295ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
JANS1N5292-1/TR Microchip Technology JANS1N5292-1/tr 100.0200
RFQ
ECAD 9753 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5292-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JANTXV1N5288-1 Microchip Technology jantxv1n5288-1 36.4050
RFQ
ECAD 5468 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5288 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 429µA 1.05V
JANS1N5314-1 Microchip Technology JANS1N5314-1 99.8700
RFQ
ECAD 4735 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5314 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 5.17ma 2.9V
JANS1N5311-1/TR Microchip Technology JANS1N5311-1/tr 100.0200
RFQ
ECAD 5185 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5311-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
JANS1N5303-1 Microchip Technology JANS1N5303-1 99.8700
RFQ
ECAD 8436 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5303 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
1N5292 Microchip Technology 1N5292 21.6600
RFQ
ECAD 7059 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5292 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5292 1 100V 682µA 1.13V
JANS1N5293-1 Microchip Technology JANS1N5293-1 99.8700
RFQ
ECAD 4135 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5293 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
JANS1N5286-1/TR Microchip Technology JANS1N5286-1/tr 100.0200
RFQ
ECAD 6222 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5286-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
CDLL7055 Microchip Technology CDLL7055 68.1450
RFQ
ECAD 7990 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDLL70 - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL7055 1
JAN1N5296UR-1 Microchip Technology Jan1n5296ur-1 36.6900
RFQ
ECAD 6339 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5296 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.001ma 1.29V
CDLL5314 Microchip Technology CDLL5314 25.0950
RFQ
ECAD 8680 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 5.17ma 2.9V
1N5306-1 Microchip Technology 1N5306-1 18.7800
RFQ
ECAD 3238 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5306 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.42MA 1.95V
JAN1N5289-1/TR Microchip Technology Jan1n5289-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 1920 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5289 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5289-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
JANS1N5305-1/TR Microchip Technology JANS1N5305-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 5770 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5305-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.2MA 1.85V
JANTX1N5296-1 Microchip Technology jantx1n5296-1 -
RFQ
ECAD 5441 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5296 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.001ma 1.29V
JAN1N5310-1 Microchip Technology JAN1N5310-1 27.2700
RFQ
ECAD 8133 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5310 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.63MA 2.35V
1N5298 Microchip Technology 1N5298 18.6000
RFQ
ECAD 8100 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5298 500MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5298 1 100V 1.21MA 1.4V
JANKCA1N5284 Microchip Technology Jankca1n5284 -
RFQ
ECAD 1225 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5284 귀 99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
JANTX1N5310-1/TR Microchip Technology jantx1n5310-1/tr 31.9350
RFQ
ECAD 2185 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5310 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5310-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.63MA 2.35V
JANTX1N5287-1 Microchip Technology JANTX1N5287-1 33.7200
RFQ
ECAD 3765 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5287 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
CDLL5305E3 Microchip Technology CDLL5305E3 25.2900
RFQ
ECAD 5323 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5305E3 귀 99 8541.10.0050 1 100V 2.2MA 1.85V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고