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JANTX1N5310UR-1 Microchip Technology jantx1n5310ur-1 36.0000
RFQ
ECAD 8819 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5310 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.63MA 2.35V
1N5313-1 Microchip Technology 1N5313-1 21.6600
RFQ
ECAD 9287 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5313 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5313-1 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.73MA 2.75V
JANS1N5310-1 Microchip Technology JANS1N5310-1 99.8700
RFQ
ECAD 5218 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5310 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.63MA 2.35V
JANTXV1N5286-1 Microchip Technology jantxv1n5286-1 36.4050
RFQ
ECAD 7244 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5286 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
JANTX1N5284UR-1 Microchip Technology jantx1n5284ur-1 38.2650
RFQ
ECAD 4844 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5284 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
CDS5298UR-1/TR Microchip Technology CDS5298UR-1/TR -
RFQ
ECAD 9999 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 CDS52 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5298UR-1/TR 50
JANTXV1N5309UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5309ur-1/tr 40.9500
RFQ
ECAD 6389 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5309 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5309ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
JANHCA1N5300 Microchip Technology JANHCA1N5300 -
RFQ
ECAD 8734 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5300 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.43MA 1.5V
CDLL5283 Microchip Technology CDLL5283 25.0950
RFQ
ECAD 7595 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 242µA 1V
1N5283-1 Microchip Technology 1N5283-1 18.4950
RFQ
ECAD 7813 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5283 500MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
1N5307UR-1 Microchip Technology 1N5307UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 8551 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5307 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.64ma 2V
JANS1N5299UR-1 Microchip Technology JANS1N5299UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 6385 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5299 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.32MA 1.45V
JAN1N5292UR-1 Microchip Technology JAN1N5292UR-1 36.6900
RFQ
ECAD 8067 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5292 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
1N5304UR-1/TR Microchip Technology 1N5304UR-1/TR 22.0050
RFQ
ECAD 9121 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5304 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5304ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.98ma 1.75V
JANTX1N5308UR-1 Microchip Technology jantx1n5308ur-1 38.2650
RFQ
ECAD 9019 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5308 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.97MA 2.15V
1N5296UR-1/TR Microchip Technology 1N5296UR-1/TR 21.9800
RFQ
ECAD 8565 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) - 귀 99 8541.10.0050 100 100V 1.001ma 1.29V
JANTX1N5289-1 Microchip Technology JANTX1N5289-1 33.9900
RFQ
ECAD 1447 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5289 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
1N5310-1 Microchip Technology 1N5310-1 18.6000
RFQ
ECAD 3207 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5310 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.63MA 2.35V
JANS1N5309UR-1 Microchip Technology JANS1N5309UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 9616 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5309 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
1N5287-1 Microchip Technology 1N5287-1 18.7800
RFQ
ECAD 8680 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5287 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
JANTXV1N5294UR-1 Microchip Technology jantxv1n5294ur-1 -
RFQ
ECAD 9252 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5294 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 825µA 1.2V
JANS1N5313-1 Microchip Technology JANS1N5313-1 99.8700
RFQ
ECAD 1981 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5313 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.73MA 2.75V
JANS1N5305-1 Microchip Technology JANS1N5305-1 100.8300
RFQ
ECAD 1360 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5305 500MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.2MA 1.85V
1N5294-1 Microchip Technology 1N5294-1 18.6000
RFQ
ECAD 3210 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5294 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 825µA 1.2V
1N5283UR-1/TR Microchip Technology 1N5283UR-1/TR 22.0050
RFQ
ECAD 8331 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5283 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5283ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JANTXV1N5311UR-1 Microchip Technology jantxv1n5311ur-1 40.8000
RFQ
ECAD 6781 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5311 500MW do-213ab (Melf, LL41) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
JAN1N5291UR-1 Microchip Technology Jan1n5291ur-1 36.6900
RFQ
ECAD 1925 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5291 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 616µA 1.1V
JANTXV1N5307UR-1 Microchip Technology jantxv1n5307ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 5021 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5307 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.64ma 2V
JANTX1N5309UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5309ur-1/tr 30.1950
RFQ
ECAD 1502 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5309 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5309ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
CDS5305UR-1 Microchip Technology CDS5305UR-1 -
RFQ
ECAD 3084 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDS53 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5305UR-1 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고