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JANHCA1N5305 Microchip Technology JANHCA1N5305 -
RFQ
ECAD 9757 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5305 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.2MA 1.85V
1N5292/TR Microchip Technology 1N5292/tr 21.8400
RFQ
ECAD 3782 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5292 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5292/tr 100 100V 682µA 1.13V
CDLL257 Microchip Technology CDLL257 28.3200
RFQ
ECAD 9083 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL25 500MW do-213ab (Melf, LL41) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 50V 11.1MA 7.2v
JANTXV1N5314UR-1 Microchip Technology jantxv1n5314ur-1 43.9200
RFQ
ECAD 1314 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5314 500MW do-213ab (Melf, LL41) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 5.17ma 2.9V
1N5303 Microchip Technology 1N5303 18.6000
RFQ
ECAD 3097 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5303 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5303 1 100V 1.76MA 1.65V
CDS5303UR-1 Microchip Technology CDS5303UR-1 -
RFQ
ECAD 8770 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDS53 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5303UR-1 50
1N5298UR-1/TR Microchip Technology 1N5298UR-1/TR 22.0050
RFQ
ECAD 3847 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5298 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5298ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.21MA 1.4V
JANTX1N5297-1 Microchip Technology jantx1n5297-1 33.7050
RFQ
ECAD 6027 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5297 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
CDLL5304/TR Microchip Technology CDLL5304/TR 25.2900
RFQ
ECAD 2994 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5304/TR 귀 99 8541.10.0050 1 100V 1.98ma 1.75V
1N5304UR-1/TR Microchip Technology 1N5304UR-1/TR 22.0050
RFQ
ECAD 9121 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5304 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5304ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.98ma 1.75V
JANTXV1N5304-1 Microchip Technology jantxv1n5304-1 36.4050
RFQ
ECAD 7278 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5304 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.98ma 1.75V
JANS1N5304-1/TR Microchip Technology JANS1N5304-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 5647 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5304-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.98ma 1.75V
JANTXV1N5299-1/TR Microchip Technology jantxv1n5299-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 4416 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5299 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5299-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.32MA 1.45V
JANS1N5298-1/TR Microchip Technology JANS1N5298-1/tr 100.0200
RFQ
ECAD 1358 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5298-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.21MA 1.4V
1N5285UR-1 Microchip Technology 1N5285UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 5107 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5285 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANS1N5296UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5296UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 6476 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5296ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.001ma 1.29V
1N5303UR-1 Microchip Technology 1N5303UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 5030 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5303 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
1N5309-1/TR Microchip Technology 1N5309-1/tr 18.7950
RFQ
ECAD 2477 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5309 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5309-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
JAN1N5283-1 Microchip Technology Jan1n5283-1 31.5150
RFQ
ECAD 4719 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5283 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JANS1N5304UR-1 Microchip Technology JANS1N5304UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 2918 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5304 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.98ma 1.75V
JANTX1N5311-1/TR Microchip Technology jantx1n5311-1/tr 34.1550
RFQ
ECAD 2529 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5311 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5311-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
1N5306/TR Microchip Technology 1N5306/tr 18.7950
RFQ
ECAD 4303 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5306 500MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5306/tr 100 100V 2.42MA 1.95V
1N5305UR-1/TR Microchip Technology 1N5305UR-1/TR 22.0050
RFQ
ECAD 2363 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5305 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5305ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.2MA 1.85V
JAN1N5295-1 Microchip Technology Jan1n5295-1 31.5150
RFQ
ECAD 5777 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5295 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
JANTX1N5283-1/TR Microchip Technology jantx1n5283-1/tr 36.2850
RFQ
ECAD 3292 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5283 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5283-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JANTXV1N5310-1 Microchip Technology jantxv1n5310-1 36.4050
RFQ
ECAD 7856 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5310 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.63MA 2.35V
1N5294UR-1/TR Microchip Technology 1N5294UR-1/TR 22.0050
RFQ
ECAD 9157 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5294 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5294ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 825µA 1.2V
CD5283 Microchip Technology CD5283 19.2450
RFQ
ECAD 2447 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD528 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5283 귀 99 8541.10.0040 1 100V 242µA 1V
CDS5312UR-1/TR Microchip Technology CDS5312UR-1/TR -
RFQ
ECAD 6942 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 CDS53 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5312UR-1/TR 50
JANS1N5309UR-1 Microchip Technology JANS1N5309UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 9616 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5309 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고