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수정, 발진기, 공진기(5864)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	평가	사이즈/치수	높이 - 자리에 앉다(최대)	장착	세트/케이스	에	기본 제품 번호	그들	널리	전압 - 공급	민감도특급(MSL)	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	기능	프로그래밍 가능 여부	현재 - 공급(최대)	찹 공진기	안드로이드	절대 금지 범위(APR)	전개분류의 구분	현재 - 공급(비활성화)(최대)	사용 가능한 유튜브 범위	안드로이드의 특징(전체)
501BAA16M0000BAG	-	보상요청	8664	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®		16MHz	LVCMOS	3.3V	2(1년)	336-2899	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화		2.5mA	MEMS	±50ppm	-	-	2.5mA
501EAA48M0000DAG	-	보상요청	2960	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®		48MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	2(1년)	336-2975	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화		2.5mA	MEMS	±50ppm	-	-	2.5mA
504FAA-BBAF	-	보상요청	4632	실리콘랩스	CMEMS® Si504	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	504FAA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501AAJ-ADAF	-	보상요청	9784	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501AAJ		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
504ACA-ABAF	-	보상요청	8255	실리콘랩스	CMEMS® Si504	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	504ACA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 80MHz	±20ppm
501CBG-ADAG	-	보상요청	8207	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501CBG		LVCMOS	2.5V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501GBC-ABAG	-	보상요청	7477	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501GBC		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
503JBA-ACAF	-	보상요청	9143	실리콘랩스	CMEMS® Si503	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	503JBA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501JCA24M0000CAGR	-	보상요청	1103	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®		24MHz	LVCMOS	3.3V	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	2,500	활성화/비활성화		4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501AAJ-ACAG	-	보상요청	2152	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501AAJ		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
502MCC-ABAF	-	보상요청	7694	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502MCC		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
503HCA-ACAG	-	보상요청	6567	실리콘랩스	CMEMS® Si503	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	503HCA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
501BAL-ACAF	-	보상요청	3388	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501BAL		LVCMOS	3.3V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501PCK-ACAG	-	보상요청	4513	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501PCK		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
501GAM-ADAG	-	보상요청	8304	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501GAM		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501MAA-ADAG	-	보상요청	5685	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501MAA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501HAM-ADAF	-	보상요청	6655	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501HAM		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501EAE-ADAF	-	보상요청	9487	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501EAE		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
504GCA-BCAF	-	보상요청	4997	실리콘랩스	CMEMS® Si504	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	504GCA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
501ABL-ADAG	-	보상요청	5337	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501ABL		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
502CAA-ABAF	-	보상요청	9418	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502CAA		LVCMOS	2.5V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
503ECA-ACAF	-	보상요청	9631	실리콘랩스	CMEMS® Si503	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	503ECA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
503PCB-ABAG	-	보상요청	3010	실리콘랩스	CMEMS® Si503	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	503PCB		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
502ABC-ADAF	-	보상요청	2273	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502ABC		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
502MBC-ADAG	-	보상요청	1886년	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502MBC		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
502PBE-ACAF	-	보상요청	4393	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502PBE		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501DAA-ABAG	-	보상요청	7162	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501DAA		LVCMOS	1.8V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501BBG-ABAG	-	보상요청	1841년	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501BBG		LVCMOS	3.3V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501FBM-ACAF	-	보상요청	1347	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501FBM		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
504CBA-BDAG	-	보상요청	5329	실리콘랩스	CMEMS® Si504	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	504CBA		LVCMOS	2.5V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

수정, 발진기, 공진기(5864)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²