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결정, 공진기, 발진기 (5864)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
502GBE-ABAG Silicon Labs 502GBE-AAG -
RFQ
 ECAD 9350 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI502 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 502GBE LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 30ppm
502PAA-ACAF Silicon Labs 502PAA-ACAF -
RFQ
 ECAD 4628 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI502 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 502PAA LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 50ppm
503MCB-ADAF Silicon Labs 503MCB-ADAF -
RFQ
 ECAD 4549 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI503 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 503MCB LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
502BBA-ACAG Silicon Labs 502bba-acag -
RFQ
 ECAD 9282 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI502 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 502bba LVCMOS 3.3v 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 30ppm
502BCE-ACAG Silicon Labs 502bce-acag -
RFQ
 ECAD 5992 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI502 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 502bce LVCMOS 3.3v 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
502FAA-ACAF Silicon Labs 502FAA-ACAF -
RFQ
 ECAD 4743 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI502 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 502FAA LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 50ppm
502GCA-ADAF Silicon Labs 502GCA-ADAF -
RFQ
 ECAD 3182 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI502 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 502GCA LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
502GCB-ADAG Silicon Labs 502GCB b 곳 -
RFQ
 ECAD 7298 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI502 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 502GCB LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
502GCC-ADAF Silicon Labs 502GCC-ADAF -
RFQ
 ECAD 9346 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI502 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 502GCC LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
502GCE-ADAF Silicon Labs 502GCE-ADAF -
RFQ
 ECAD 6890 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI502 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 502GCE LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
502KCC-ADAG Silicon Labs 502kcc-adag -
RFQ
 ECAD 8724 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI502 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 502KCC LVCMOS 2.5V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
501HCB-ADAG Silicon Labs 501HCB-ADAG -
RFQ
 ECAD 2233 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501HCB LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
501KAK-ADAG Silicon Labs 501kak-adag -
RFQ
 ECAD 5532 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501kak LVCMOS 2.5V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 50ppm
501MBA-ABAF Silicon Labs 501MBA-ABAF -
RFQ
 ECAD 6376 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501MBA LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 30ppm
504LBA-ABAG Silicon Labs 504lba-abag -
RFQ
 ECAD 3923 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI504 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 504LBA LVCMOS 1.8V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 80MHz ± 30ppm
502JBD-ABAG Silicon Labs 502JBD-ABAG -
RFQ
 ECAD 1911 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI502 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 502JBD LVCMOS 3.3v 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 30ppm
503LCA-ABAG Silicon Labs 503LCA-ABAG -
RFQ
 ECAD 6753 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI503 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 503LCA LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
501CAE-ABAF Silicon Labs 501CAE-ABAF -
RFQ
 ECAD 4574 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501cae LVCMOS 2.5V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 50ppm
501CBJ-ABAF Silicon Labs 501CBJ-ABAF -
RFQ
 ECAD 3877 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501cbj LVCMOS 2.5V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 30ppm
501GCH-ABAF Silicon Labs 501GCH-ABAF -
RFQ
 ECAD 6942 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501gch LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
501JCAM032768CAFR Silicon Labs 501JCAM032768CAFR -
RFQ
 ECAD 4101 0.00000000 실리콘 실리콘 SI501 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 32.768 kHz LVCMOS 3.3v 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 2,500 활성화/비활성화 4.9ma MEMS ± 20ppm - - 4.9ma
501HCA12M0000DAFR Silicon Labs 501HCA12M0000DAFR -
RFQ
 ECAD 2375 0.00000000 실리콘 실리콘 SI501 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 12MHz LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 2,500 활성화/비활성화 4.9ma MEMS ± 20ppm - - 4.9ma
501BCA16M0000DAFR Silicon Labs 501BCA16M0000DAFR -
RFQ
 ECAD 1866 0.00000000 실리콘 실리콘 SI501 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 16MHz LVCMOS 3.3v 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 2,500 활성화/비활성화 2.5MA MEMS ± 20ppm - - 2.5MA
501BAA16M0000CAFR Silicon Labs 501BAA16M0000CAR -
RFQ
 ECAD 9977 0.00000000 실리콘 실리콘 SI501 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 16MHz LVCMOS 3.3v 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 2,500 활성화/비활성화 2.5MA MEMS ± 50ppm - - 2.5MA
501AAA24M0000DAGR Silicon Labs 501AAA24M0000DAGR -
RFQ
 ECAD 3390 0.00000000 실리콘 실리콘 SI501 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 24 MHz LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 2,500 활성화/비활성화 2.5MA MEMS ± 50ppm - - 2.5MA
501JAA24M0000CAFR Silicon Labs 501JAA24M0000CAR -
RFQ
 ECAD 4047 0.00000000 실리콘 실리콘 SI501 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 24 MHz LVCMOS 3.3v 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 2,500 활성화/비활성화 4.9ma MEMS ± 50ppm - - 4.9ma
501JAA24M0000CAGR Silicon Labs 501JAA24M0000CAGR -
RFQ
 ECAD 9566 0.00000000 실리콘 실리콘 SI501 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 24 MHz LVCMOS 3.3v 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 2,500 활성화/비활성화 4.9ma MEMS ± 50ppm - - 4.9ma
501JCA24M0000BAGR Silicon Labs 501JCA24M0000BAGR -
RFQ
 ECAD 5124 0.00000000 실리콘 실리콘 SI501 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 24 MHz LVCMOS 3.3v 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 1,500 활성화/비활성화 4.9ma MEMS ± 20ppm - - 4.9ma
501JCA24M0000CAFR Silicon Labs 501JCA24M0000CAR -
RFQ
 ECAD 6581 0.00000000 실리콘 실리콘 SI501 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 24 MHz LVCMOS 3.3v 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 2,500 활성화/비활성화 4.9ma MEMS ± 20ppm - - 4.9ma
501JCA24M0000CAGR Silicon Labs 501JCA24M0000CAGR -
RFQ
 ECAD 1103 0.00000000 실리콘 실리콘 SI501 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 24 MHz LVCMOS 3.3v 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 2,500 활성화/비활성화 4.9ma MEMS ± 20ppm - - 4.9ma
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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