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수정, 발진기, 공진기(5864)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	평가	사이즈/치수	높이 - 자리에 앉다(최대)	장착	세트/케이스	에	기본 제품 번호	그들	널리	전압 - 공급	민감도특급(MSL)	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	기능	프로그래밍 가능 여부	현재 - 공급(최대)	찹 공진기	안드로이드	절대 금지 범위(APR)	전개분류의 구분	현재 - 공급(비활성화)(최대)	사용 가능한 유튜브 범위	안드로이드의 특징(전체)
501CCL-ADAG	-	보상요청	2494	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501CCL		LVCMOS	2.5V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
501GAM-ADAF	-	보상요청	5117	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501GAM		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501GBF-ADAF	-	보상요청	8297	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501GBF		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501JAA25M0000CAG	-	보상요청	1995년	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®		25MHz	LVCMOS	3.3V	2(1년)	336-2937	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화		4.9mA	MEMS	±50ppm	-	-	4.9mA
501HAL-ACAF	-	보상요청	9844	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501HAL		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
504GCA-ADAF	-	보상요청	6157	실리콘랩스	CMEMS® Si504	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	504GCA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 80MHz	±20ppm
501ABG-ADAG	-	보상요청	2166	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501ABG		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
503HAB-ADAG	-	보상요청	4384	실리콘랩스	CMEMS® Si503	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	503HAB		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
502ABE-ADAF	-	보상요청	8191	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502ABE		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501FAH-ABAG	-	보상요청	2897	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501FAH		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
502FAA-ACAF	-	보상요청	4743	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502FAA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
503BBA-ABAF	-	보상요청	6312	실리콘랩스	CMEMS® Si503	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	503BBA		LVCMOS	3.3V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501NAE-ADAG	-	보상요청	8768	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501NAE		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
504FBA-BBAG	-	보상요청	3912	실리콘랩스	CMEMS® Si504	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	504FBA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501NCK-ABAF	-	보상요청	5549	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501NCK		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
501KCE-ABAF	-	보상요청	7943	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501KCE		LVCMOS	2.5V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
501MBH-ADAF	-	보상요청	3762	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501MBH		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
502DBD-ADAG	-	보상요청	5520	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502DBD		LVCMOS	1.8V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
502DBF-ADAG	-	보상요청	8527	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502DBF		LVCMOS	1.8V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501DAH-ABAG	-	보상요청	8015	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501DAH		LVCMOS	1.8V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501DAK-ADAG	-	보상요청	9288	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501DAK		LVCMOS	1.8V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
502KCE-ABAG	-	보상요청	7206	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502KCE		LVCMOS	2.5V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
502HAC-ACAF	-	보상요청	9960	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502HAC		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501JCG-ACAG	-	보상요청	7119	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501JCG		LVCMOS	3.3V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
501BCM-ABAG	-	보상요청	8789	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501BCM		LVCMOS	3.3V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
501NCF-ACAG	-	보상요청	5655	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501NCF		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
501NCL-ADAF	-	보상요청	1669년	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501NCL		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
501EAE-ADAG	-	보상요청	4902	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501EAE		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501GBH-ABAF	-	보상요청	3870	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501GBH		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
503PAB-ADAF	-	보상요청	4953	실리콘랩스	CMEMS® Si503	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	503PAB		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

수정, 발진기, 공진기(5864)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²